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公开(公告)号：CN101202053A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710188779.4
申请日：2007-11-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/59688 , G11B5/743 , G11B5/855
Abstract: 一种磁记录介质、其制造方法、以及磁记录装置，所述磁记录介质包括：基底(51)；和形成在基底(51)上具有对应伺服区和记录区的凸起和凹陷图形的磁记录层(53)，其中位于记录区每个凹陷中的磁记录层(53)的厚度(T2)小于对应于每个凸起的磁记录层(53)的厚度(T1)的三分之二，在记录区每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为1nm或更高，而磁记录介质表面上的高度差为7nm或更小。
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公开(公告)号：CN100375156C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200610008960.8
申请日：2006-01-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种图案化磁记录介质具有形成在基底(11)上的磁记录层(13)和保护层(14)，其中，该磁记录层(13)包括图案化为磁轨的磁性材料(15)和填充在数据区域(33)内的磁轨间的非磁材料(16)，并且具有在距离介质外侧端1mm内的区域(42)中形成并延伸到该介质端部的一凹进部分(32)。该凹进部分(32)被形成为比该数据区域(33)深1到50nm。
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公开(公告)号：CN100356450C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510074222.9
申请日：2005-05-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/72 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , G11B2005/0029 , Y10T428/1164
Abstract: 通过在不恶化其电磁变换特性的情况下，容易地图形化磁记录层，通过在磁记录层(2)与光致抗蚀剂(3)之间形成基于硅的保护膜以及通过进行干蚀刻和氧等离子处理，获得磁记录介质。
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公开(公告)号：CN101079271A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710137983.3
申请日：2007-03-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , G11B5/667 , G11B5/72 , G11B5/7315 , G11B5/7325 , G11B5/855
Abstract: 一种磁记录介质，包括：环形基底(11)，其表面分成位于外圆周边缘与内圆周边缘之间的中央部分的记录区域(21)、位于分别从外和内圆周边缘开始的100μm或更大和2,000μm或更小的范围之内的边缘区域(23、25)，以及分别位于各边缘区域(23、25)和记录区域(21)之间的相邻区域(22、24)，基底(11)上的磁性膜(12)，以及磁性膜(12)上的保护膜(13)，其中边缘区域(23、25)的磁性膜(12)比相邻区域(22、24)的磁性膜薄，以及边缘区域(23、25)的保护膜(13)的至少一部分比相邻区域(22、24)的保护膜厚。
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公开(公告)号：CN101042880A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710089484.1
申请日：2007-03-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 提供了一种制造构图介质的方法，所述构图介质具有基底(51)和在所述基底上的磁记录层，所述磁记录层包括凸起的磁图形(52)和填充所述磁图形(52)之间的凹陷的非磁性材料。该方法包括以下步骤：沉积第一非磁性材料(55)，以填充所述磁图形(52)之间的凹陷；进行对所述第一非磁性材料(55)的表面改性；在所述第一非磁性材料(55)上沉积第二非磁性材料(56)；以及回蚀刻所述第二和第一非磁性材料(55，56)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101038752A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710089302.0
申请日：2007-03-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/59655 , G11B5/743 , G11B5/855
Abstract: 图案化介质具有基片，以及在基片上包括凸出的磁性图案的磁性记录层，以及填充在凸出的磁性图案之间的非磁性材料。在图案化介质中，深度Db和深度Da存在关系深度Da大于深度Db，其中Db定义为从磁性图案表面到填充在交叉磁轨方向或沿着磁轨方向上相邻的磁性图案之间的第一中间部中的非磁性材料表面的深度，且Da定义为从磁性图案表面到填充在由四个磁性图案所环绕的部件中的第二中间部中的非磁性材料表面的深度。
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公开(公告)号：CN1956064A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610137583.8
申请日：2006-10-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23F4/00 , B82Y10/00 , C23C2/02 , C23C2/26 , C23C4/02 , C23C4/18 , G03F7/0046 , G11B5/74 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , H01F41/34
Abstract: 根据一个实施例，一种形成图形的方法，包括在衬层材料(2)上形成抗蚀剂(3)，在抗蚀剂(3)上按压具有突起和凹口的图形的压模(4)，其突起的侧壁逐渐变细，以形成具有突起和凹口的图形的图形化的抗蚀剂(3)，其突起的侧壁逐渐变细，在图形化的抗蚀剂(3)上形成保护膜(5)，进行各向异性蚀刻以将保护膜(5)留在图形化的抗蚀剂(3)的锥形侧壁上，利用保护膜(5)作掩模蚀刻残留在图形化的抗蚀剂(3)的凹口中的抗蚀剂残留物，以及利用保护膜(5)和图形化的抗蚀剂(3)作为掩模，蚀刻衬层材料(2)。
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公开(公告)号：CN101542608A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000653.2
申请日：2008-06-20
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据一个实施例，一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤：在基底上沉积磁记录层和牺牲层；构图所述牺牲层和磁记录层，以形成凸出的磁图形和牺牲图形；在所述磁图形和牺牲图形之间的凹陷中以及在所述牺牲图形上沉积非磁性材料；以及回蚀刻所述非磁性材料。
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公开(公告)号：CN100541610C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710089302.0
申请日：2007-03-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/59655 , G11B5/743 , G11B5/855
Abstract: 图案化介质具有基片，以及在基片上包括凸出的磁性图案的磁性记录层，以及填充在凸出的磁性图案之间的非磁性材料。在图案化介质中，深度Db和深度Da存在关系深度Da大于深度Db，其中Db定义为从磁性图案表面到填充在交叉磁轨方向或沿着磁轨方向上相邻的磁性图案之间的第一中间部中的非磁性材料表面的深度，且Da定义为从磁性图案表面到填充在由四个磁性图案所环绕的部件中的第二中间部中的非磁性材料表面的深度。
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公开(公告)号：CN100476956C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610139388.9
申请日：2006-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/855 , Y10S425/81
Abstract: 一种用于磁记录介质的压模(100，400，500，800)，包括：凸起和凹陷的图形，用于制造出离散磁道记录型磁记录介质，该离散磁道记录型磁记录介质包括伺服区和数据区，其中伺服区包括地址部分、前导部分和突发部分，而数据区包括记录磁道部分，凸起和凹陷的图形以小于等于400nm的间距形成，其中对应于地址部分(401，501)、前导部分(401，501)、突发部分(402，501)和记录磁道部分(403，502)的凹陷深度的大小关系与地址部分(401，501)、前导部分(401，501)、突发部分(402，501)和记录磁道部分(403，502)的凹陷与凸起的面积比的大小关系相反。
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