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公开(公告)号：CN116779675A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210696549.3
申请日：2022-06-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 根据一实施方式，半导体装置有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、栅极电极、第二导电型的第三半导体区域、导电部、第二导电型的第四半导体区域、第一导电型的第五半导体区域、第一导电型的第六半导体区域及第二电极。第一半导体区域包含第一区域及第二区域。第二半导体区域及第三半导体区域设于第一区域之上。栅极电极设于第二半导体区域之上。第三半导体区域与第二半导体区域分离。导电部设于第三半导体区域之上。第四半导体区域设于第二区域之上，与第三半导体区域相接。第五半导体区域设于第四半导体区域的一部分之上。第六半导体区域有比第一半导体区域高的第一导电型的杂质浓度，与第三半导体区域相接。
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公开(公告)号：CN112542507A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010092192.9
申请日：2020-02-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式的半导体装置具备碳化硅层，该碳化硅层具有元件区域和设置在元件区域的周围的末端区域，末端区域具有沿第1方向延伸的第1直线部、沿第2方向延伸的第2直线部、以及第1直线部与第2直线部之间的角部，并且末端区域具有：第2导电型的第2碳化硅区域，包围元件区域，呈由第1点部和第1空间部构成的点线状，角部的第1点部所占的比例大于第1直线部的第1点部所占的比例；以及第2导电型的第3碳化硅区域，包围第2碳化硅区域，呈由第2点部和第2空间部构成的点线状，角部的第2点部所占的比例大于第1直线部的第2点部所占的比例。
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公开(公告)号：CN110911470A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910110909.5
申请日：2019-02-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式的半导体装置具备：具有第1面和第2面的碳化硅层、第1面侧的第1电极、第2面侧的第2电极、第1导电型的第1碳化硅区域、第1碳化硅区域与第1面之间的第2导电型的第2碳化硅区域及第3碳化硅区域、第1碳化硅区域与第2碳化硅区域之间的第1导电型浓度比第1碳化硅区域高的第5碳化硅区域、第1碳化硅区域与第3碳化硅区域之间的第1导电型浓度比第1碳化硅区域高的第6碳化硅区域、第5碳化硅区域与第6碳化硅区域之间的第1导电型浓度比第5碳化硅区域及第6碳化硅区域低的第7碳化硅区域、第7碳化硅区域与第1面之间的和第1电极接触的第1导电型的第8碳化硅区域、栅极电极、以及栅极绝缘层。
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公开(公告)号：CN119836855A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202480003865.5
申请日：2024-02-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一～第三电极、第一～第四半导体部件以及第一绝缘部件。第一半导体部件设置于第一电极与第二电极之间，为第一导电型。第一半导体部件包含第五部分区域。第二半导体部件为第二导电型。第二半导体部件包含第一半导体区域和第二半导体区域。第五部分区域在第三方向上位于第一半导体区域与第二半导体区域之间。第三半导体部件为第二导电型。第四半导体部件为第一导电型。
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公开(公告)号：CN111640790B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201910619462.4
申请日：2019-07-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供能够降低导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置，具备：第一电极、第二电极、碳化硅层、和与第二碳化硅区域对置的栅极电极。碳化硅层具有：第1导电型的第一碳化硅区域，设在第一电极与第二电极之间，具有第一面和第二面；第一碳化硅区域与第一面之间的第2导电型的第二碳化硅区域；第一碳化硅区域与第一面之间的、与第二碳化硅区域分离的第2导电型的第三碳化硅区域；第二碳化硅区域与第一面之间的、与第一电极相接的第1导电型的第四碳化硅区域、第二碳化硅区域与第三碳化硅区域之间的、第1导电型杂质浓度比第一碳化硅区域高的第1导电型的第五碳化硅区域；以及第五碳化硅区域与第一面之间的、与第一电极相接的第2导电型的第六碳化硅区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116845083A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210919891.5
申请日：2022-08-01
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式的碳化硅半导体装置包括：第一电极；第二电极；第一半导体层，设置在第一电极与第二电极之间，包括碳化硅；包括碳化硅的第一导电型的多个第一半导体柱区域；包括碳化硅的第二导电型的第二半导体柱区域。第一半导体柱区域设置在第一半导体层与第二电极之间，包括：第一区域，具有第一杂质浓度；第二区域，在与从第一电极朝向第二电极的第一方向正交的第二方向上与第一区域并列，且具有比第一杂质浓度浓的第二杂质浓度。第二半导体柱区域设置在第一半导体层与第二电极之间，在第二方向上位于第一半导体柱区域之间，还包括：第三区域，具有第三杂质浓度；第四区域，在第二方向上与第三区域并列，且具有比第三杂质浓度浓的第四杂质浓度。
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公开(公告)号：CN116799063A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210846354.2
申请日：2022-07-04
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 根据一实施方式，半导体装置具备第一电极、第一半导体区域、栅极电极、第二导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、第一导电型的第五半导体区域以及第二电极。第一半导体区域包含第一导电型的第一区域。栅极电极设于第一半导体区域之上。第二半导体区域在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上，与栅极电极相对。第三半导体区域在第一方向上设于第一半导体区域与第二半导体区域之间。第三半导体区域的下部的宽度比第三半导体区域的上部的宽度长。第四半导体区域设于第三半导体区域与栅极电极之间，具有比第一区域高的第一导电型的杂质浓度。第五半导体区域设于第二半导体区域之上。
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公开(公告)号：CN114203795A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202011599608.2
申请日：2020-12-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/786
Abstract: 一种能够提高可靠性的半导体装置。半导体装置具有单元区域以及包围所述单元区域的终端区域。所述半导体装置具备半导体部分、绝缘膜、以及导电部件。所述半导体部分具有第一导电型的第一半导体层和第二导电型的保护环层。所述保护环层在所述终端区域中设于所述第一半导体层的上部，并包围所述单元区域。所述绝缘膜设于所述半导体部分上。所述导电部件隔着所述绝缘膜而与所述半导体部分分离地设置。所述导电部件的所述终端侧的端缘位于比所述保护环层的所述终端侧的端缘靠所述终端侧，所述导电部件的所述单元区域侧的端缘位于比所述保护环层的所述单元区域侧的端缘的正上方区域靠终端侧，且位于到所述终端侧的端缘的正上方区域的之间的位置。
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公开(公告)号：CN119968936A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202480003856.6
申请日：2024-02-16
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高耐压的半导体装置。根据一个实施方式，半导体装置包括第一～第三电极以及第一、第二半导体部。第一半导体部是第一导电型。第一半导体部包含第一～第三半导体区域。第二～第三半导体区域中的第一导电型的杂质浓度比第一半导体区域中的第一导电型的杂质浓度高。第二半导体部包含第一～第四部分。第一～第三部分设置于单元部。第一部分及第三部分具有第一深度。第二部分设置于第一部分与第三部分之间。第二部分具有比所述第一深度浅的第二深度。第一部分设置于第二半导体区域之上，第四部分设置于第三半导体区域之上。
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公开(公告)号：CN119836857A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202480003855.1
申请日：2024-02-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一～第三电极、第一～第四半导体部件。第三电极沿着与从第一电极向第二电极的第一方向交叉的第二方向延伸。第一半导体部件为第一导电型。第一半导体部件的第五部分区域与第二电极肖特基接触。第二半导体部件为第二导电型。第三半导体部件为第二导电型。第三半导体部件的第三半导体部分与第二电极电连接。第三半导体部件的杂质浓度比第二半导体部件的杂质浓度高。第四半导体部件为第一导电型。第四半导体部件的第二半导体区域与第二电极电连接。第四半导体部件的杂质浓度比第一半导体部件中的杂质浓度高。
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