公开(公告)号：CN112542507B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202010092192.9

申请日：2020-02-14

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 河野洋志 ,  蟹江创造 ,  深津茂人 ,  铃木拓马

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式的半导体装置具备碳化硅层，该碳化硅层具有元件区域和设置在元件区域的周围的末端区域，末端区域具有沿第1方向延伸的第1直线部、沿第2方向延伸的第2直线部、以及第1直线部与第2直线部之间的角部，并且末端区域具有：第2导电型的第2碳化硅区域，包围元件区域，呈由第1点部和第1空间部构成的点线状，角部的第1点部所占的比例大于第1直线部的第1点部所占的比例；以及第2导电型的第3碳化硅区域，包围第2碳化硅区域，呈由第2点部和第2空间部构成的点线状，角部的第2点部所占的比例大于第1直线部的第2点部所占的比例。

公开(公告)号：CN112542507A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010092192.9

申请日：2020-02-14

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 河野洋志 ,  蟹江创造 ,  深津茂人 ,  铃木拓马

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式的半导体装置具备碳化硅层，该碳化硅层具有元件区域和设置在元件区域的周围的末端区域，末端区域具有沿第1方向延伸的第1直线部、沿第2方向延伸的第2直线部、以及第1直线部与第2直线部之间的角部，并且末端区域具有：第2导电型的第2碳化硅区域，包围元件区域，呈由第1点部和第1空间部构成的点线状，角部的第1点部所占的比例大于第1直线部的第1点部所占的比例；以及第2导电型的第3碳化硅区域，包围第2碳化硅区域，呈由第2点部和第2空间部构成的点线状，角部的第2点部所占的比例大于第1直线部的第2点部所占的比例。

公开(公告)号：CN114203795A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202011599608.2

申请日：2020-12-30

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 蟹江创造 ,  河野洋志

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/786

Abstract: 一种能够提高可靠性的半导体装置。半导体装置具有单元区域以及包围所述单元区域的终端区域。所述半导体装置具备半导体部分、绝缘膜、以及导电部件。所述半导体部分具有第一导电型的第一半导体层和第二导电型的保护环层。所述保护环层在所述终端区域中设于所述第一半导体层的上部，并包围所述单元区域。所述绝缘膜设于所述半导体部分上。所述导电部件隔着所述绝缘膜而与所述半导体部分分离地设置。所述导电部件的所述终端侧的端缘位于比所述保护环层的所述终端侧的端缘靠所述终端侧，所述导电部件的所述单元区域侧的端缘位于比所述保护环层的所述单元区域侧的端缘的正上方区域靠终端侧，且位于到所述终端侧的端缘的正上方区域的之间的位置。