接合体、陶瓷铜电路基板、及半导体装置

    公开(公告)号:CN115667186A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202180036089.5

    申请日:2021-05-17

    Abstract: 实施方式的接合体具备:陶瓷基板、铜板、以及配置于上述陶瓷基板的至少一面且将上述陶瓷基板与上述铜板接合的接合层。上述接合层含有钛。上述接合层具有第一区域、和位于上述第一区域与上述铜板之间的第二区域,上述第一区域包含以钛作为主成分的层,上述层形成于上述接合层与上述陶瓷基板的界面。通过EDX测定上述第一区域及上述第二区域各自的测定区域的200μm×厚度的范围中的Ti浓度时,上述接合体的上述第一区域的钛浓度M1at%与上述第二区域的钛浓度M2at%之比M1/M2为0.1~5。

    磁性材料及设备
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105448446B

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201510540828.0

    申请日:2015-08-28

    CPC classification number: H01F27/255 H01F1/28 H01F1/37 H01F41/0246

    Abstract: 实施方式涉及一种磁性材料和设备,所述磁性材料是具备含有磁性金属的多个扁平粒子、以及配置在扁平粒子周围且电阻比扁平粒子高的基质相的磁性材料,在磁性材料的截面,扁平粒子的长宽比为10以上,当将扁平粒子的长径设定为L、将连接扁平粒子的2个端点的直线长度设定为W时,将满足W≤0.95×L的扁平粒子连续层叠的部分的外周包围的面积的比例是截面的面积的10%以上。

    复合磁性材料的制造方法
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105448450B

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201510550141.5

    申请日:2015-09-01

    CPC classification number: H01F1/0063

    Abstract: 本发明提供高频下具备高μ’和低μ”的特性优良的复合磁性材料的制造方法。实施方式的复合磁性材料的制造方法的特征在于,其包含以下工序:准备由第1磁性金属相和第2相构成的混相材料的第1工序,所述第1磁性金属相由磁性金属构成,所述第2相含氧(O)、氮(N)或碳(C)中的任意一种及非磁性金属;在50℃以上且800℃以下的温度下对混相材料进行热处理的第2工序;通过减小热处理后的混相材料所含的第1磁性金属相的平均粒径及粒度分布不均、获得由磁性金属纳米粒子和所述第2相构成的纳米粒子集合体的第3工序,所述磁性金属纳米粒子由所述第1磁性金属相构成;以及在50℃以上且800℃以下的温度下对纳米粒子集合体进行热处理的第4工序。

    磁性材料以及装置
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104252941A

    公开(公告)日:2014-12-31

    申请号:CN201410289793.3

    申请日:2014-06-25

    CPC classification number: H01F1/37 H01F1/09 H01F1/28 H01F1/33

    Abstract: 本发明涉及一种磁性材料,其具备:多个磁性金属粒子;和填充磁性金属粒子之间的间隙的比磁性金属粒子的电阻高的基体相,所述磁性金属粒子含有:含有选自由Fe、Co、Ni组成的组中的至少一种元素的磁性金属;和包含于磁性金属内的第1化合物,该第1化合物为选自由Fe、Al、Si、B、Mg、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、Mn、Nb、Ta、Mo、Cr、Cu、W、稀土类元素、Ba和Sr组成的组中的至少一种元素的氧化物、氮化物或碳化物。

    磁性材料和天线器件
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101449344A

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:CN200780018738.9

    申请日:2007-04-18

    Abstract: 本发明提供一种具备复合磁性膜的磁性材料,所述复合磁性膜中,含有磁性金属或磁性合金的柱状体的体积百分率高,并且导磁率实部(μ’)与导磁率虚部(μ”)之比(μ’/μ”)大。本发明的磁性材料,其具备基板和复合磁性膜,所述复合磁性膜具备形成于该基板上、纵向朝向相对于上述基板的表面垂直的方向的含有从Fe、Co和Ni的至少一种中选出的磁性金属或磁性合金的多个柱状体、和形成于上述柱状体之间的选自金属的氧化物、氮化物、碳化物和氟化物中的至少一种的无机绝缘体,并且与上述基板表面平行的表面内的最小各向异性磁场Hk1和与上述基板的表面平行的表面的最大各向异性磁场Hk2之比Hk2/Hk1大于1。

Patent Agency Ranking