公开(公告)号：CN1604275A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410049548.1

申请日：2004-06-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40

Abstract: 提供一种图案形成方法，在基板(101)上形成抗蚀剂膜(102)，对形成的抗蚀剂膜(102)选择性地照射曝光光线进行曝光。对进行了图案曝光的抗蚀剂膜(102)进行显影，形成第一抗蚀剂图案(102b)，接着在基板(101)上遍及含有第一抗蚀剂图案(102b)的全部表面上形成水溶性膜，该水溶性膜中含有与抗蚀剂构成材料交联的交联剂及促进该交联剂交联反应的作为交联促进剂的酸。进而通过加热使水溶性膜(105)和在第一抗蚀剂图案(102b)的侧面上接触部分之间交联反应后，除去水溶性膜(105)中与第一抗蚀剂图案(102b)未反应的部分，以形成从第一抗蚀剂图案(102b)在其侧面上由水溶性膜(105)残存而成的第二抗蚀剂图案(107)。使得到的抗蚀剂图案形状良好。

公开(公告)号：CN1574234A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410044717.2

申请日：2004-05-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395

Abstract: 一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(101)之后，在向抗蚀膜(102)上方供给溶液(103)的状态下，向抗蚀膜(102)选择性地照射曝光光(104)而进行图形曝光，所述溶液(103)，是在全氟聚醚中添加有水且边循环边被暂时储存在溶液储存部中的溶液。对于进行了图形曝光的抗蚀膜(102)进行后烘后，通过碱性显影液进行显影，得到了由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的、且具有良好形状的抗蚀图形(105)。根据本发明，可使由浸渍平版印刷术得到的抗蚀图形的形状良好。

公开(公告)号：CN1096400A

公开(公告)日：1994-12-14

申请号：CN94103346.5

申请日：1994-03-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大西照人 ,  矢野航作 ,  野村登 ,  远藤政孝

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67057

Abstract: 本发明揭示了一种用于清洗半导体器件表面的清洗剂。该清洗剂包含这些成分：一种为清除有机和无机残余物的硫酸和双氧水混合液；用于产生氟的氟硫酸，氟用作清除其他残余物和微料的浸蚀剂；以及水。

公开(公告)号：CN101673051A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910128224.X

申请日：2002-09-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸村真治 ,  远藤政孝 ,  笹子胜 ,  上田充 ,  藤之谷刚彦

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

Abstract: 一种具有含以[化1]所表示的单元与以[化2]所表示的单元的基体树脂和酸产生剂的图案形成材料，(其中，R1和R3是相同或不同，是氢原子、氯原子、氟原子、烷基或含氟原子烷基；R2是氢原子、烷基、脂环基、芳基、杂环、酯基或醚基，是不由酸而离去的原子或基团；R4是由酸而离去的保护基；m为0～5的整数；a和b满足0＜a＜1、0＜b＜1和0＜a+b≤1。)

公开(公告)号：CN100444316C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200510064543.0

申请日：2005-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  屉子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70341

Abstract: 一种半导体制造装置，包括一液体供应部件，用以供应待施加到平台上的液体，该平台上置有带抗蚀膜的基底；一曝光部件，用以使曝光光线穿过遮光框照射平台上的抗蚀膜，该抗蚀膜上施加有液体；一电离防止部件，用以防止所述液体的电离。

公开(公告)号：CN100355023C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200410080713.X

申请日：2004-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  屉子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70341

Abstract: 一种半导体制造装置，其包括：图形曝光部，其将液体设置在形成于基片上的保护薄膜与图形曝光部的投影透镜之间并进行曝光；杂质清除部，其清除包含在液体中的杂质；液体供给部，其向保护薄膜上供给液体；液体排出部，其将液体从保护薄膜上回收，并转移至杂质清除部，该杂质清除部由颗粒过滤器或化学过滤器构成。

公开(公告)号：CN100349258C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200410007839.4

申请日：2004-03-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/2041

Abstract: 一种图案形成方法，在形成由含基础聚合物、照射光线后能产生酸的酸发生剂、和内酯的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)后，在向抗蚀膜(102)提供边循环边暂时被储存在溶液储备部中的水(103)的状态下，向抗蚀膜(102)选择性地照射曝光光(104)，以进行图案曝光。对已进行图案曝光的抗蚀膜(102)实施后烘焙之后，利用碱性显影液进行显影，就可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好形状的抗蚀图案(105)。根据本发明，可以改善通过浸渍光刻法得到的抗蚀图案的形状。

公开(公告)号：CN1967387A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610148582.3

申请日：2006-11-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38

Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，该图案形成方法可以防止浸液曝光用液体穿过保护抗蚀膜免受该液体影响的阻挡膜而向抗蚀膜浸透的情况，从而能够获得具有良好形状的微细图案。该图案形成方法在形成于基板(101)上的抗蚀膜(102)上，形成含有聚合物和利用热使该聚合物产生交联反应的交联剂的阻挡膜(103)。接下来，将所形成的阻挡膜(103)加热而将聚合物交联后，在阻挡膜(103)上配置了液体(104)的状态下，藉由阻挡膜(103)向抗蚀膜(102)选择性地照射曝光而进行图案曝光。接下来，在将阻挡膜(103)除去后，通过对进行了图案曝光的抗蚀膜(103)进行显影，由抗蚀膜(102)形成抗蚀图案(102a)。

公开(公告)号：CN1881084A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610073601.0

申请日：2006-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08L59/00 ,  C08L2205/02 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/106 ,  C08L2666/16

Abstract: 本发明公开了一种化学放大型抗蚀材料及使用了该化学放大型抗蚀材料的图案形成方法。目的在于：能够在浸液光刻中防止化学放大型抗蚀膜的溶解性的降低，形成具有良好形状的微细图案。在衬底101上形成抗蚀膜102，该抗蚀膜102由含聚合物的化学放大型抗蚀材料构成，该聚合物具有半缩醛或半缩酮。接着，在将液体104提供到已形成的抗蚀膜102上的状态下，对抗蚀膜102选择性地照射曝光光105来进行图案曝光。然后，能够通过将已图案曝光的抗蚀膜102进行显像，来由抗蚀膜102获得具有良好的图案形状的抗蚀图案102a。

公开(公告)号：CN1873537A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610073222.1

申请日：2006-04-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/162

Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法。目的在于：能够防止在浸液光刻中使用的浸液曝光用液体对抗蚀膜的影响，获得具有良好形状的微细图案。在形成在衬底101上的抗蚀膜102上形成可溶于碱的第1阻挡膜103。接着，在形成的第1阻挡膜103上形成不溶于碱的第2阻挡膜104。接着，在将由水构成的液体105提供到第2阻挡膜104上的状态下，透过第2阻挡膜104及第1阻挡膜103对抗蚀膜102选择性地照射曝光光106，进行图案曝光。然后，除去第2阻挡膜104，且通过对已进行了图案曝光的抗蚀膜102进行显像，来除去第1阻挡膜103，同时，由抗蚀膜102形成具有微细图案的抗蚀图案102a。