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公开(公告)号：CN1427544A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN02156091.9
申请日：2002-12-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H02M3/073 , H02M2003/075
Abstract: 一种放大电路，用于不挥发性半导体存储器或集成电路。它即像是在使用低电压电源而使放大时钟信号的振幅变小时，也确保正常的放大操作而维持电流的供应能力。在放大元件14内配置电压复原电路4，它从设置在放大电路14上的复原端子R接收栅极电压复原信号。该复原信号，放大电压从高电压向低电压骤然变迁的时候，或者是电源瞬时停止后再起动时被激活。电压复原电路4，在上述栅极电压复原信号处于激活状态时，将电荷传送晶体管M1的栅极端子接地，将电荷传送晶体管M1的栅极电位Vg复原到接地电位Vss。因此，即使是开关晶体管M2常处于切断状态，可防止电荷传送晶体管M1栅极上高电压残存的原因的放大操作的不适合。
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公开(公告)号：CN102804278B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201180014829.1
申请日：2011-03-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供一种电阻变化型非易失性存储元件的塑造方法及电阻变化型非易失性存储装置，与以往相比能够降低塑造电压且能够回避塑造电压在每个电阻变化元件中的偏差。该塑造方法是电阻变化元件(100)初始化的塑造方法，包括：判断1T1R型存储器单元电流是否大于基准电流的步骤(S24)；在判断为并不大的情况下(S24中“否”)，施加脉冲宽度(Tp(n))上升的塑造用正电压脉冲的步骤(S22)；以及施加具有脉冲宽度(Tp(n))以下的脉冲宽度(Tn)的负电压脉冲的步骤(S23)，重复步骤(S24)、施加步骤(S22)及施加步骤(S23)，直到塑造完成为止。
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公开(公告)号：CN102822901B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201280000807.4
申请日：2012-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明的电阻变化型非易失性存储元件的写入方法是通过对包括电阻变化元件的存储器单元施加电压脉冲而使电阻变化元件根据所施加的电压脉冲的极性在第1电阻状态与第2电阻状态之间可逆地变化的写入方法，包括第1电阻状态化步骤，该第1电阻状态化步骤包括：在使电阻变化元件从第2电阻状态向第1电阻状态变化时，对电阻变化元件施加电压绝对值比第2电压脉冲(VL)小且极性不同于第1电压脉冲(VH)的第1电阻化预电压脉冲(VLpr)的第1步骤；以及之后施加第1电压脉冲(VH)的第2步骤。
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公开(公告)号：CN102667947B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201180004630.0
申请日：2011-09-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 在具有第1电极、第2电极、以及由所述第1电极和所述第2电极夹着的过渡金属氧化物层的电阻变化型非易失性存储元件处于初始状态时，在第1电极与第2电极之间施加第1形成用电压，直到发生变化为在高电阻状态与低电阻状态之间能够可逆地转变的第1动作可能状态的第1形成为止，在所述第1电极与所述第2电极之间施加第2形成用电压，直到发生变化为能够转变为与在第1形成后的所述第1动作可能状态的低电阻状态的电阻值相比电阻值更低的低电阻状态的第2动作可能状态的第2形成为止，从而进行电阻变化型非易失性存储元件的形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103339682A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201280007370.7
申请日：2012-11-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/00 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0038
Abstract: 读出放大器电路(7)具有潜行电流补偿用负载电流供给部(8)，对由列选择电路(6)所选择的位线(4)选择性地切换电流量不同的负载电流并供给，在流入列选择电路(6)所选择的位线(4)的电流量比标准电流量多的情况下，输出‘L’电平，在比标准电流量少的情况下，输出‘H’电平。控制电路(18)在选择了规定的存储器单元(2)的状态下，在对规定的存储器单元(2)施加成形之前，按照如下方式控制写入电路(15)：将负载电流的电流量调整为使读出放大器电路(7)的输出为‘H’电平的规定的电流量之后，供给规定的电流量的负载电流，并且对规定的存储器单元(2)施加成形脉冲直到读出放大器电路(7)的输出变为‘L’电平为止。
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公开(公告)号：CN102077296A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201080001897.X
申请日：2010-06-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供可以使电阻变化元件的动作窗口最大化的电阻变化元件最适合的成形方法。该成形方法用来使电阻变化元件(100)进行初始化，包含：判断步骤(S35)，判断电阻变化元件(100)的电阻值是否比高电阻状态时小；施加步骤(S36)，在判断为不小时(S35中的“否”)，施加不超过下述电压的电压脉冲(S36)，该电压是在成形电压中加上成形余量而得到的；判断步骤(S35)和施加步骤(S36)对于存储器阵列(202)中的全部存储器单元进行重复(S34～S37)。
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公开(公告)号：CN101548335A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000864.6
申请日：2008-07-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/003 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0076 , G11C2211/5623 , G11C2213/15 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , G11C2216/22
Abstract: 本发明提供非易失性存储装置，其包括：包含多个具有电阻值由于施加电脉冲而变化的特性的非易失性存储元件的多个存储器单元阵列(136、146)；和用于在相对于上述多个存储器单元阵列写入数据时，相对于某存储器单元阵列进行写入，与此同时，相对于其它存储器单元阵列进行读出的控制部(102、104、108、110、114、128、130、152)。
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公开(公告)号：CN1975931A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610162911.X
申请日：2006-11-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/12 , G11C11/5628 , G11C16/16 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5641
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，由多个在单一的电荷存储部位具有3个以上的阈值电压分布的状态的存储器单元构成存储器单元阵列。利用编程顺序控制电路，将由多个值的数据构成的数据集中所含有的各个数据与上述3个以上的阈值电压分布中的任一个阈值电压分布对应地存储在上述存储器单元，而在重写存储于上述存储器单元的数据时，将在数据的存储中使用的阈值电压分布向一个方向移动来进行数据的重写。
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公开(公告)号：CN1677572A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510060072.6
申请日：2005-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C8/08 , G11C16/10 , G11C16/30 , G11C16/3454 , G11C16/3459
Abstract: 构成电压变换开关电路(17)的多个开关供给有多种电压，且被设置成与多个行解码器(2)相对应，以便于每一开关可以分别选择该多种电压中的任意一种并将其输出到相应的行解码器(2)。电压升压电路(7，8)通过升压电源电压来产生该多种电压。调整器电路(9)降低由电压升压电路(7，8)产生的多种电压中的至少一种以稳定电压值，并将最终的电压输出到每一开关。每一行解码器(2)通过利用从相应的开关输出的电压来选择存储单元。因此，能够减少编程/程序校验操作所需的时间同时减小功耗。
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