公开(公告)号：CN103168359A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201180035067.3

申请日：2011-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 姬野敦史 ,  空田晴之 ,  早川幸夫 ,  三河巧

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明的非易失性存储元件（10）具有：第1金属布线（103）；插塞（107），形成于第1金属布线（103）上，并与第1金属布线（103）连接；层叠体（150），包括第1电极（108）和第2电极（111）和电阻变化层（113），并形成于插塞（107）上，插塞（107）与第1电极（108）连接；第2金属布线（119），形成于层叠体（150）上，直接与第2电极（111）连接；以及侧壁保护层（115），具有绝缘性和氧阻隔性，覆盖层叠体（150）的侧壁，第2金属布线（119）的下表面的一部分位于层叠体（150）的上表面的下侧。

公开(公告)号：CN102696107A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080057285.2

申请日：2010-12-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 二宫健生 ,  川岛良男 ,  早川幸夫 ,  三河巧

IPC: H01L27/105 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: C23C26/00 ,  C23C28/00 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

Abstract: 在以M为一种过渡金属元素、以O为氧时，包括：下部电极；第一氧化物层，其在上述下部电极上形成，在令O相对于M的组成比为x时由MOx构成；第二氧化物层，其在上述第一氧化物层上形成，在令O相对于M的组成比为y时由MOy构成；在上述第二氧化物层上形成的上部电极；保护层，其在上述上部电极上形成，由具有与上述上部电极不同的组成的导电性材料构成；以覆盖上述保护层的方式形成的层间绝缘层；和在贯通上述层间绝缘层的上部接触孔内形成的上部接触栓。

公开(公告)号：CN102473708A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180002804.X

申请日：2011-07-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 二宫健生 ,  藤井觉 ,  早川幸夫 ,  三河巧

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 提供一种减小初始化电压、能够实现低动作电压的非易失性存储装置。该非易失性存储装置(10)包括：第1电极层(105)，形成在半导体基板(100)上；缺氧型的第1钽氧化物层(106x)，形成在第1电极层(105)上，具有用TaOx(0.8≤x≤1.9)表示的组成；第2钽氧化物层(106y)，形成在第1钽氧化物层(106x)上，具有用TaOy(2.1≤y)表示的组成；和第2电极层(107)，形成在第2钽氧化物层(106y)上；第2钽氧化物层(106y)具有由多个柱状体构成的柱状构造。

公开(公告)号：CN102428587A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201180002096.X

申请日：2011-03-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 早川幸夫 ,  有田浩二 ,  三河巧 ,  二宫健生

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/2409 ,  H01L45/146

Abstract: 一种电流控制元件，在被施加极性不同的电脉冲时也能够防止写入干扰的产生，而且能够在电阻变化元件流过大电流。该电流控制元件具有第1电极(32)、第2电极(31)、电流控制层(33)，电流控制层(33)由SiNx(0＜x≤0.85)构成，并且含有氢或者氟，而且在设氢或者氟的浓度为D(＝D0×1022atoms/cm3)、设电流控制层(33)的膜厚为d(nm)、设能够在第1电极(32)和第2电极(31)之间施加的电压的最大值为V0(V)时，D和x和d和V0满足(ln(10000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2≤V0、(ln(1000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2-(ln(10000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2/2≥0，其中，C＝k1×D0k2、α、β、γ、k1和k2是常数。

公开(公告)号：CN202308073U

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201120379247.0

申请日：2011-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  早川幸夫 ,  二宫健生 ,  川岛良男 ,  米田慎一

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种非易失性存储元件，具有：第一电极(106)；第二电极(104)；以及电阻变化层(115)，该电阻变化层(115)介于第一电极(106)和第二电极(104)之间、基于施加到两电极之间的电信号，电阻值可逆地变化。电阻变化层(115)具有第一过渡金属氧化物层(115I)、第二过渡金属氧化物层(115II)、以及第三过渡金属氧化物层(115III)，以第一过渡金属氧化物层(115I)、第二过渡金属氧化物层(115II)、以及第三过渡金属氧化物层(115III)的顺序层叠，各层的含氧率以第一过渡金属氧化物层、第二过渡金属氧化物层、以及第三过渡金属氧化物层的顺序降低，并且，所述第三过渡金属氧化物层(115III)的膜厚比所述第二过渡金属氧化物层(115II)的膜厚要厚。