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公开(公告)号：CN102576709B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201180004244.1
申请日：2011-08-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种能够抑制非易失性存储元件间的初始击穿电压的偏差、防止成品率的降低的非易失性存储装置及其制造方法。包括：具有电阻变化层(106)与基板(117)的主面平行且平坦地形成的层叠结构的非易失性存储元件(108)；和与第一电极(105)和第二电极(107)中任一个电连接的插头(103)，插头(103)与非易失性存储元件(108)连接的一侧的端面的、与基板(117)的主面平行的面的插头(103)的面积，比作为导电区域的第一过渡金属氧化物层(115)的、与基板(117)的主面平行的截面的截面积大。
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公开(公告)号：CN102428560B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201180002106.X
申请日：2011-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 一种能够进行低电压下的初始化的非易失性存储元件，具备电阻变化层(116)，介于下部电极(105)和上部电极(107)之间，根据给两个电极间供应的电信号其电阻值可逆地变化。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和第3过渡金属氧化物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的缺氧率比第1过渡金属氧化物(116b)的缺氧率及第3过渡金属氧化物(116c)的缺氧率的任一个都高，第2过渡金属氧化物(116a)及第3过渡金属氧化物(116c)和第1电阻变化层(1161)相接。
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公开(公告)号：CN101960595B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201080001161.2
申请日：2010-02-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/146 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 在非易失性存储元件(100)中，电阻变化层(107)包含第一金属氧化物MOx和第二金属氧化物MOy，以公式13来表示化学反应式且与所述第一金属氧化物、所述第二金属氧化物、氧离子以及电子相关的化学反应的反应能量在2eV以下，所述MOx以及所述MOy的组(MOx，MOy)是从由(Cr2O3，CrO3)、(Co3O4，Co2O3)、(Mn3O4，Mn2O3)、(VO2，V2O5)、(Ce2O3，CeO2)、(W3O8，WO3)、(Cu2O，CuO)、(SnO，SnO2)、(NbO2，Nb2O5)、以及(Ti2O3，TiO2)而成的群中选择的一组。(公式13)
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公开(公告)号：CN102696107A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080057285.2
申请日：2010-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: C23C26/00 , C23C28/00 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
Abstract: 在以M为一种过渡金属元素、以O为氧时，包括：下部电极；第一氧化物层，其在上述下部电极上形成，在令O相对于M的组成比为x时由MOx构成；第二氧化物层，其在上述第一氧化物层上形成，在令O相对于M的组成比为y时由MOy构成；在上述第二氧化物层上形成的上部电极；保护层，其在上述上部电极上形成，由具有与上述上部电极不同的组成的导电性材料构成；以覆盖上述保护层的方式形成的层间绝缘层；和在贯通上述层间绝缘层的上部接触孔内形成的上部接触栓。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102017145B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200980114976.9
申请日：2009-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 提供以低的击穿电压来能够进行稳定的电阻变化工作的非易失性存储元件。非易失性存储元件(100)包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，电阻变化层(104)介于两个电极(103以及105)之间，根据提供到两个电极(103以及105)之间的电压的极性，在高电阻状态与低电阻状态之间进行可逆转移。电阻变化层(104)由包含第一过渡金属的氧化物的第一氧化物层(104a)和包含与第一过渡金属不同的第二过渡金属的氧化物的第二氧化物层(104b)层叠而构成。第二过渡金属的标准电极电位比第一过渡金属的标准电极电位小，而且，满足以下的(1)以及(2)之中的至少一方，(1)第二氧化物层(104b)的介电常数比所述第一氧化物层(104a)的介电常数大，以及(2)第二氧化物层(104b)的带隙比第一氧化物层(104a)的带隙小。
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公开(公告)号：CN102473708A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002804.X
申请日：2011-07-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 提供一种减小初始化电压、能够实现低动作电压的非易失性存储装置。该非易失性存储装置(10)包括：第1电极层(105)，形成在半导体基板(100)上；缺氧型的第1钽氧化物层(106x)，形成在第1电极层(105)上，具有用TaOx(0.8≤x≤1.9)表示的组成；第2钽氧化物层(106y)，形成在第1钽氧化物层(106x)上，具有用TaOy(2.1≤y)表示的组成；和第2电极层(107)，形成在第2钽氧化物层(106y)上；第2钽氧化物层(106y)具有由多个柱状体构成的柱状构造。
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公开(公告)号：CN102428587A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201180002096.X
申请日：2011-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L45/146
Abstract: 一种电流控制元件，在被施加极性不同的电脉冲时也能够防止写入干扰的产生，而且能够在电阻变化元件流过大电流。该电流控制元件具有第1电极(32)、第2电极(31)、电流控制层(33)，电流控制层(33)由SiNx(0＜x≤0.85)构成，并且含有氢或者氟，而且在设氢或者氟的浓度为D(＝D0×1022atoms/cm3)、设电流控制层(33)的膜厚为d(nm)、设能够在第1电极(32)和第2电极(31)之间施加的电压的最大值为V0(V)时，D和x和d和V0满足(ln(10000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2≤V0、(ln(1000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2-(ln(10000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2/2≥0，其中，C＝k1×D0k2、α、β、γ、k1和k2是常数。
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公开(公告)号：CN101946321A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980104930.9
申请日：2009-02-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 一种非易失性半导体存储装置(100)，包括：形成有晶体管(101)的基板(102)；在所述基板上覆盖所述晶体管形成的第一层间绝缘层(103)；在所述第一层间绝缘层上形成、与所述晶体管的漏极电极(101a)或源极电极(101b)电连接的第一接触插头(104)或第二接触插头(105)；覆盖所述第一接触插头的至少一部分形成的电阻变化层(106)；在所述电阻变化层上形成的第一配线(107)；和覆盖所述第二接触插头的至少一部分形成的第二配线(108)，所述电阻变化层的端面和所述第一配线的端面在同一面内。
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公开(公告)号：CN202308073U
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201120379247.0
申请日：2011-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种非易失性存储元件，具有：第一电极(106)；第二电极(104)；以及电阻变化层(115)，该电阻变化层(115)介于第一电极(106)和第二电极(104)之间、基于施加到两电极之间的电信号，电阻值可逆地变化。电阻变化层(115)具有第一过渡金属氧化物层(115I)、第二过渡金属氧化物层(115II)、以及第三过渡金属氧化物层(115III)，以第一过渡金属氧化物层(115I)、第二过渡金属氧化物层(115II)、以及第三过渡金属氧化物层(115III)的顺序层叠，各层的含氧率以第一过渡金属氧化物层、第二过渡金属氧化物层、以及第三过渡金属氧化物层的顺序降低，并且，所述第三过渡金属氧化物层(115III)的膜厚比所述第二过渡金属氧化物层(115II)的膜厚要厚。
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