公开(公告)号：CN111244066B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201910734502.X

申请日：2019-08-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 赵文生 ,  胡庆豪 ,  王晶 ,  胡月 ,  王高峰

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开便于工艺生产且节省芯片面积的差分硅通孔结构及其工艺。包括硅衬底、介质层、半导体性碳纳米管、金属性碳纳米管、金属焊盘；所述的硅衬底开有两个通孔，通孔由半导体性碳纳米管层，以及分别设置在半导体性碳纳米管层两侧的金属性碳纳米管层构成，且半导体性碳纳米管层完全阻隔两金属性碳纳米管层；硅通孔外周设置有介质层；金属性碳纳米管层的上下两端设有金属焊盘。本发明可以减少三维集成电路差分传输结构中的硅通孔数量，显著缩小了差分传输结构的尺寸并且减少了其占用面积，有效提高了芯片面积的利用率；用碳纳米管束作为传输通道填充材料，具有优越的力学性能、电学性能和热学性能。

公开(公告)号：CN113128159A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110427648.7

申请日：2021-04-21

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王大伟 ,  朱家和 ,  张鹏 ,  赵文生 ,  王晶

IPC: G06F30/373 ,  G06F30/23

Abstract: 本发明公开了用于半导体连续性方程的混合流线迎风有限体积有限元方法、模型数值离散系统。本发明混合流线迎风有限体积有限元方法：几何模型的空间离散化；构造控制体积单元的；利用边缘电流密度和矢量基插值来计算出网格内部电流密度；构造单元矩阵方程的；构造系统矩阵方程的。本发明能够较好地应用于半导体器件中漂移扩散模型中电流连续性方程的离散化，对于半导体器件地模拟仿真发展有着推动作用，并且在固体电子领域的数值建模中，相较于流线迎风Petrov Galerkin方法，解决了多维问题求解中边缘计算精度差问题，收敛性更好；相较于FBSG方法，对空间网格质量要求更加宽松，收敛性更好；相较于传统控制体积有限元方法，在迎风函数的优化方面更具灵活性。

公开(公告)号：CN112289856A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202011084056.1

申请日：2020-10-12

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 钱嘉楠 ,  王晶 ,  赵文生 ,  胡月 ,  王高峰

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/16 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种提高沟道长度亚10nm石墨烯TFET性能的方法。如何缩短器件的尺寸是场效应晶体管研究的一个重要方向。本发明用应变石墨烯条带代替常规均匀石墨烯条带作导电材料，利用应变石墨烯条带高开关特性、低亚阈值摆幅的优点来补偿沟道长度缩短引起的性能衰减。本发明通过调整跃迁能来模拟施加在石墨烯条带上的应变，通过修改原子坐标来模拟应变对条带结构的改变，并将应变力度调整为4.5％，使器件的开关特性提升了103，亚阈值摆幅降低了62％，让其在7nm的沟道长度下也能保持正常功能，缩短了器件的尺寸。

公开(公告)号：CN109768029A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811466579.5

申请日：2018-12-03

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 赵文生 ,  刘朋伟 ,  王晶 ,  胡月 ,  王高峰

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种基于垂直石墨烯互连结构的片上螺旋电感。单层石墨烯互连功耗明显，而多层水平石墨烯在垂直方向的导热性差。本发明包括基底、位于基底顶部的第二金属层、位于第二金属层顶部的第一金属层、第一通孔传输通道、第二通孔传输通道和位于第一金属层上且缠绕成四匝的十六根石墨烯互连线。本发明相比单层石墨烯的互连，多层垂直石墨烯的互连在较大宽度时体现出优势；相比较铜互连，减小了集成电路中信号传输时延，降低功耗；而相比较水平石墨烯互连，因石墨烯特性各异向，竖直方向的导热问题可得到有效的解决，在类似于三维集成电路新型技术中应用至关重要。

公开(公告)号：CN108649947A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810240034.6

申请日：2018-03-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  张强 ,  王晶 ,  林弥 ,  张忠海 ,  王晓媛 ,  白建玲

IPC: H03K19/20

Abstract: 本发明涉及一种纯量子逻辑电路。本发明包括纯量子逻辑非门计算电路、高压域输出纯量子逻辑计算非门电路、全压域输出纯量子逻辑计算非门电路，三组电路均在欧几里德空间中构建，均包括负载管、驱动管和电源。采用高质量本征GaN基底上外延生长InGaN/GaN/InGaN/AlGaN/InGaN双势垒单量子阱异质结结构的Franz-Keldysh振荡二极管为负载管；本发明可以与传统逻辑算法相结合，实现物联网+云计算平台大数据的超高速搜索，即将这种纯量子逻辑算法作为顶层搜索算法，极速确定云端大数据库中预搜索数据集合，从而剔除冗余搜索；将传统逻辑算法作为底层算法用于在预搜索数据集合中搜索确定元素。

公开(公告)号：CN118862802A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410982125.2

申请日：2024-07-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 巨佳沂 ,  刘其强 ,  赵文生 ,  张鹏 ,  王晶 ,  赵鹏 ,  林煊 ,  姚晨阳

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/398 ,  G06N3/126

Abstract: 本发明公开了基于遗传算法的硅通孔阵列布局设计优化方法，为三种TSV阵列提供了优化布局解决方案，其中，一种基于遗传算法，面向不固定信地比的单端TSV阵列的布局设计优化方法，包括：S1、对于不固定信地比的单端TSV阵列；S2、在遗传算法中生成随机初始种群；S3、调用适应度函数，计算种群中个体的适应度值；S4、设置遗传算法终止条件；如果满足终止条件，则输出当前满足终止条件的解；否则，执行S5；S5、使用轮盘赌方法选择父代个体；S6、以交叉概率来决定是否对每一对个体进行交换部分染色体的操作；S7、对于每个个体，以变异概率决定是否将对应的基因值取反来实现变异操作；S8、判断是否达到最大进化迭代次数，若是，则输出最优个体，否则执行S3～S7。

公开(公告)号：CN114354653B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202111576931.2

申请日：2021-12-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 赵文生 ,  叶威 ,  王大伟 ,  王晶 ,  王高峰

IPC: G01N22/00

Abstract: 本发明公开了基于改进开口谐振环的高灵敏度微波微流控传感器，具有三层结构，顶层包括两条微带线、金属片、IDC‑SRR结构及SMA连接头，微带线具有输入端口与输出端口，且输入端口与输出端口分别连接SMA连接头，SMA连接头与矢量网络分析仪相连通，IDC‑SRR结构上置有一个内部形成微流体通道的PDMS；中间层包括具有四个金属通孔的介质板；底层包括金属薄片、两条微带线及SRR结构，金属薄片中间形成刻蚀区；四个金属通孔连通顶层与底层；SRR结构一端通过两个金属通孔连接顶层的IDC‑SRR的交指电容，另一端通过另外两个金属通孔连接顶层的金属片。该传感器灵敏度高、测量范围宽，检测误差小，保证检测结果。

公开(公告)号：CN114235848B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202111575826.7

申请日：2021-12-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 叶威 ,  赵文生 ,  王大伟 ,  王晶 ,  王高峰

IPC: G01N22/00 ,  G01N27/22 ,  B01L3/00

Abstract: 本发明公开了基于串联LC谐振的高灵敏度微波微流控差分传感器，具有三层结构，所述顶层为对称设计，包括两条微带线、两个50欧姆的电阻元件、两个SMA连接头及两个接地平面，所述微带线有一个缺口处，缺口处设计为交指结构，所述微带线的一个输入端口，所述输入端口与所述微带线连接，且所述输入端口用于连接所述SMA连接头，所述SMA连接头与矢量网络分析仪相连通，微带线的另一个端口由50欧姆电阻元件焊接微带线与接地平面；所述中间层和底层是介质板；在交指结构缝隙即电场场强最大区域上面放置一个PDMS，内部挖有微流控通道。该传感器灵敏度高、测量范围宽，检测误差小，检测结果准确。

公开(公告)号：CN109360853A

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201810928184.6

申请日：2018-08-15

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 阮良浩 ,  王晶 ,  赵文生 ,  张海鹏

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66

Abstract: 本发明公开了一种提高二硫化钼锯齿形条带自旋极化率的异质结结构及方法。本发明异质结结构中的散射区由沿输入端至输出端方向排布的散射区一段、散射区二段和散射区三段组成；散射区一段和散射区三段为宽度和长度均相等的锯齿型条带；散射区三段与散射区一段的长度方向一致，散射区二段的长度方向与散射区一段的长度方向呈90°夹角；散射区二段为沿长度方向的扶手椅型条带；输入端和输出端均为锯齿型条带。本发明通过寻找只允许某一种自旋方向的电子能级存在的能量范围，使电子以该范围内的能量入射时，另一种自旋方向的电子被完全过滤，实现自旋的完全极化。

公开(公告)号：CN114354652B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202111575898.1

申请日：2021-12-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 叶威 ,  赵文生 ,  王大伟 ,  王晶 ,  王高峰

IPC: G01N22/00 ,  G01N27/22 ,  B01L3/00

Abstract: 本发明公开了基于负载开口谐振环的高灵敏度微波微流控传感器，为单端口器件；微波微流控传感器具有顶层、中间层及底层的三层结构；所述顶层包括一条微带线、一片金属地、一个50欧姆的电阻元件及一个SMA连接头，所述微带线具有一个输入端口，所述的微带线的另一个端口通过50欧姆的电阻元件连接微带线和金属地，所述输入端口与所述微带线连接，且所述输入端口与所述输出端口用于连接所述SMA连接头，所述SMA连接头与矢量网络分析仪相连通；所述中间层是介质板；所述底层包括一个改进SRR结构、所述改进结构上面置有一个PDMS，所述PDMS内部形成有微流体通道。该传感器灵敏度高、测量范围宽，检测误差小，检测结果准确。