公开(公告)号：CN115459600A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202210566205.0

申请日：2022-05-23

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 塚田能成

IPC: H02M3/335 ,  H02M1/08

Abstract: 提供能够在避免电路的复杂化的同时扩大输出电压的控制范围的转换器、转换器的控制装置及转换器的控制方法。转换器具备：一次侧开关部，其与蓄电池连接；二次侧开关部，其与马达连接；变压器，其设置于所述一次侧开关部与所述二次侧开关部之间；以及控制部，其至少控制所述二次侧开关部，以使沿着期望的波形的输出波形轮廓的电压输出到所述马达侧。

公开(公告)号：CN102377419A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110230116.0

申请日：2011-08-09

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 五月女耕二 ,  塚田能成 ,  后藤胜敏 ,  竹内祐介

IPC: H03K17/567

CPC classification number: H03K17/166 ,  H02M1/44 ,  H03K17/04206 ,  H03K17/0424 ,  H03K17/168

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的驱动装置及方法，半导体元件的驱动装置的断开时反馈部(23OFF)在第一半导体元件(11U)从导通切换到断开时，根据第一半导体元件(11U)的集电极电流的时间变化，将反馈电压作为使母线导通或阻断的驱动信号的电压的一部分而生成。导通时反馈部(23ON)在第一半导体元件(11U)从断开切换到导通时，根据第二半导体元件(11D)侧的续流二极管(12D)中所流过的续流电流而生成反馈电压。

公开(公告)号：CN1211640C

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN01814351.2

申请日：2001-09-13

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 塚田能成

IPC: G01D5/245 ,  G01B7/30 ,  H02K29/06

CPC classification number: G01D5/2046 ,  H02K29/12 ,  H02P6/16

Abstract: 本发明提供旋转位置探测器以及附带旋转位置探测器的马达。具有对应于和马达同步旋转的转子所引起的空隙磁通变化、感应基于马达旋转角变化的电压信号的探测部的旋转位置探测器，当马达的磁极对数为n时，相对于转子在其2π/n的角度范围内设置探测部，同时，把所述旋转位置探测器安装在马达上时，由于在配设所述探测部的部位，一体地安装马达的驱动控制电路，因此制造容易、小型、轻量，往马达上安装的自由度提高，同时，又具有驱动控制马达的电路基板的装配性好。

公开(公告)号：CN1447904A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01814351.2

申请日：2001-09-13

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 塚田能成

IPC: G01D5/245 ,  G01B7/30 ,  H02K29/06

CPC classification number: G01D5/2046 ,  H02K29/12 ,  H02P6/16

Abstract: 本发明提供旋转位置探测器以及附带旋转位置探测器的马达。具有对应于和马达同步旋转的转子所引起的空隙磁通变化、感应基于马达旋转角变化的电压信号的探测部的旋转位置探测器，当马达的磁极对数为n时，相对于转子在其2π/n的角度范围内设置探测部，同时，把所述旋转位置探测器安装在马达上时，由于在配设所述探测部的部位，一体地安装马达的驱动控制电路，因此制造容易、小型、轻量，往马达上安装的自由度提高，同时，又具有驱动控制马达的电路基板的装配性好。

公开(公告)号：CN219642824U

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202320563306.2

申请日：2023-03-21

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 米田真也 ,  中村研贵 ,  前田康宏 ,  塚田能成 ,  小堀俊光 ,  根来佑树

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置，包含设置在至少一半导体基板的表面的主电流电极、电流控制电极以及电压控制电极，并配备把每个电极连接到基板外部的主电流配线、电流控制配线和电压控制配线。所述电压控制电极被绝缘膜覆盖，并在所述表面沿第一方向呈直线状延伸配置。多个电压控制配线沿与第一方向不同的第二方向排列。所述电流控制配线与所述电压控制电极交叉，沿所述第二方向呈直线状延伸配置。所述电流控制配线与设置在多个所述电压控制电极之间的所述电流控制配线下方的所述电流控制电极连接。因此，本实用新型的半导体装置可减少配线层数并借此降低制造成本。而且，源极配线和基极配线交替地配置，有利于获得良好的半导体特性。

公开(公告)号：CN219610441U

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202320656480.1

申请日：2023-03-29

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 中村研贵 ,  米田真也 ,  塚田能成 ,  小堀俊光 ,  根来佑树 ,  前田康宏

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本实用新型提供一种BiMOS半导体装置，包括连续配置的数个BiMOS半导体，每个BiMOS半导体包括：漏电极与形成于漏电极侧的漂移层、源电极与形成于源电极侧的源极接触层、形成在源极接触层旁边的栅电极、形成在漂移层与源极接触层之间的基极层与基电极。基极层包含由栅电极形成的沟道区，基电极与基极层相连。在BiMOS半导体装置中，在连续配置的栅电极之间的漂移层包括柱层，柱层中交替形成有第一导电型与第二导电型的数个柱，且在柱层与基极层之间形成有导电型与基极层不同的中间层。在本实用新型中，即使柱层和柱的数量跟沟道区的数量不匹配，也可以形成电流路径并且有效降低阻值。