公开(公告)号：CN112567070A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201980052791.3

申请日：2019-08-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 尼克·拉伊·小林百格 ,  柯蒂斯·W·贝利 ,  伊斯瓦·斯里尼瓦桑 ,  德文·佩尔基

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/505

Abstract: 一种用于等离子体室的喷头包括：电阻式加热器，其被配置成接收功率以加热所述等离子体室的所述喷头；和电阻元件，其热接合至所述等离子体室的所述喷头。所述电阻元件响应于所述喷头的温度的改变而改变电阻。所述电阻元件被封装在绝缘材料中以使所述电阻元件与所述喷头电绝缘。所述绝缘材料是良好的热导体。基于所述电阻元件的所述电阻，接收至所述电阻式加热器的所述功率。

公开(公告)号：CN108538778A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810305471.1

申请日：2015-12-14

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 伊莱·乔恩 ,  尼克·拉伊·小林百格 ,  西丽斯·雷迪 ,  爱丽丝·霍利斯特 ,  隆格蒂瓦·梅塔帕浓

IPC: H01L21/687

Abstract: 本发明涉及承载环，提供了用在被实施用于沉积膜的室中的承载环。承载环具有环形盘形状，具有外边缘侧和晶片边缘侧。承载环具有在外边缘侧和晶片边缘侧之间延伸的顶侧。晶片边缘侧包括低于承载环上表面的较低的承载环表面。晶片边缘侧还包括多个接触支撑结构。每个接触支撑结构位于较低的承载环表面的边缘且具有在较低的承载环表面上方延伸并且低于所述承载环上表面之间的高度，且接触支撑结构具有渐变的边缘和拐角。台阶被限定在承载环上表面和较低的承载环表面之间。所述接触支撑结构中的每一个的顶部被配置用于与晶片的下边缘表面接触以抬升和降低以及移动所述晶片。

公开(公告)号：CN309037031S

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202230757795.6

申请日：2022-11-14

Applicant: 朗姆研究公司

Designer： 黄彦辉 ,  法亚兹·A·谢赫 ,  尼克·拉伊·小林百格 ,  吉沢克规

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：承载环的径向朝内部分。
2.本外观设计产品的用途：承载环用于半导体处理装置，具体用于在衬底处理期间支撑半导体衬底（或晶圆）。
承载环的径向朝内部分用于与承载环整体相同的用途，在衬底处理期间支撑半导体衬底（或晶圆）。
3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
5.其他需要说明的情形其他说明：要求保护的部分为实线部分，点划线为分割要求保护的部分和不要求保护的部分的分割线。