公开(公告)号：CN108026661B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201680049110.4

申请日：2016-08-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 冈本武志 ,  近藤宏行 ,  金村高司 ,  宫原真一朗 ,  海老原康裕 ,  恩田正一 ,  土田秀一 ,  镰田功穗 ,  田沼良平

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C23C16/42

Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶，其中，存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)。贯通位错中，巴尔格矢量与位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm2以下，角度大于40°的贯通位错的密度为30个/cm2以下。

公开(公告)号：CN108026661A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680049110.4

申请日：2016-08-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 冈本武志 ,  近藤宏行 ,  金村高司 ,  宫原真一朗 ,  海老原康裕 ,  恩田正一 ,  土田秀一 ,  镰田功穗 ,  田沼良平

IPC: C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶，其中，存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)。贯通位错中，巴尔格矢量与位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm2以下，角度大于40°的贯通位错的密度为30个/cm2以下。

公开(公告)号：CN103160922A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210544538.X

申请日：2012-12-14

Applicant: 纽富来科技股份有限公司 ,  财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 铃木邦彦 ,  佐藤裕辅 ,  伊藤英树 ,  土田秀一 ,  镰田功穂 ,  伊藤雅彦 ,  内藤正美 ,  藤林裕明 ,  安达步 ,  西川恒一

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/165 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，用于抑制原料气体在喷淋板上的反应。成膜装置（100）使用喷淋板（124）朝向腔室（103）内的基板（101）供给多种气体。喷淋板（124）具有按照沿着基板（101）侧的第1面的方式在其内部延伸，与供给多种的各气体的气体管（131）连接的多个气体流路（121）；和被贯穿设置成将该多个各气体流路（121）与腔室（103）内在第1面侧连通的多个气体喷出孔（129）。在成膜装置（100）中，从气体管（131）供给到喷淋板（124）的多个气体流路（121）的多种的各气体在喷淋板（124）的内部以及附近不混合地分别从气体喷出孔（129）向基板（101）供给。