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公开(公告)号：CN110878422B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910772738.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 藤川阳平
Abstract: 本发明的目的是提供能够抑制升华的原料气体在原料表面再结晶化、并抑制进行晶体生长的单晶内发生异种多形的单晶生长用坩埚和单晶生长方法。该单晶生长用坩埚具备用于收纳原料的内底部、与所述内底部相对的晶体设置部、以及在从所述晶体设置部俯视时至少覆盖所述内底部所收纳的所述原料的表面的中央区域的防析出构件，所述防析出构件至少在所述晶体设置部侧的表面包含金属碳化物，从所述晶体设置部俯视时，所述中央区域是与所述原料的表面的位置的截面形状相似、且从中心起算为所述截面的截面积的20面积％的区域。
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公开(公告)号：CN110004494B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201811514867.3
申请日：2018-12-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 藤川阳平
Abstract: 本发明涉及采用升华再结晶法的碳化硅单晶锭的制造方法。制造方法包括：升温工序，使在内部配置有碳化硅原料和碳化硅籽晶的晶体生长炉内的温度升温至晶体生长温度；单晶生长工序，维持晶体生长温度，使碳化硅单晶在所述碳化硅籽晶上生长；以及降温工序，使晶体生长炉内的温度从晶体生长温度降低而使碳化硅单晶的生长停止，在单晶生长工序与降温工序之间还包括降温准备工序，在将晶体生长炉内的温度维持为晶体生长温度的同时使晶体生长炉内的氮气浓度比升温工序以及单晶生长工序的氮气浓度增加，使降温工序的晶体生长炉内的氮气浓度比升温工序以及所述单晶生长工序的氮气浓度高。
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公开(公告)号：CN111188089A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911092363.1
申请日：2019-11-11
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 藤川阳平
Abstract: 本发明的SiC单晶制造装置是在配置于坩埚内的籽晶的生长面上进行结晶生长从而制造SiC单晶的SiC单晶制造装置，坩埚(1)包含坩埚下部(1A)和坩埚上部(1B)，坩埚下部(1A)能够在内部收纳SiC单晶用原料(M)，且具有底部(1Aa)和侧部(1Ab)，坩埚上部(1B)具有顶部(1Ba)和侧部(1Bb)，顶部(1Ba)设有用于设置籽晶(SD)的籽晶设置部(1Bc)，在坩埚下部(1A)的侧部(1Ab)的外周(1AA)设置阳螺纹(1AAa)，在坩埚上部(1B)的侧部(1Bb)的内周(1BB)设置与阳螺纹螺合的阴螺纹(1BBa)，SiC单晶制造装置具备旋转机构(10)，旋转机构(10)使坩埚上部(1B)和坩埚下部(1A)中的至少一者旋转，使坩埚上部(1B)和坩埚下部(1A)相对地上下移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110820042A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910698737.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 藤川阳平
Abstract: 本发明涉及遮蔽构件和单晶生长装置。本发明的遮蔽构件配置在单晶生长装置中，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部，所述晶体生长用容器具备在内底部收纳原料的原料收纳部以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华，在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶，所述遮蔽构件被配置于所述原料收纳部与所述晶体设置部之间，所述遮蔽构件具备多个遮蔽板，所述多个遮蔽板各自的面积为所述晶体生长用容器的底面积的40％以下，将所述多个遮蔽板投影到所述原料收纳部中填充有原料时的原料表面位置的内切圆上而得到的遮蔽率为0.5以上。
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公开(公告)号：CN110004494A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811514867.3
申请日：2018-12-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 藤川阳平
Abstract: 本发明涉及采用升华再结晶法的碳化硅单晶锭的制造方法。制造方法包括：升温工序，使在内部配置有碳化硅原料和碳化硅籽晶的晶体生长炉内的温度升温至晶体生长温度；单晶生长工序，维持晶体生长温度，使碳化硅单晶在所述碳化硅籽晶上生长；以及降温工序，使晶体生长炉内的温度从晶体生长温度降低而使碳化硅单晶的生长停止，在单晶生长工序与降温工序之间还包括降温准备工序，在将晶体生长炉内的温度维持为晶体生长温度的同时使晶体生长炉内的氮气浓度比升温工序以及单晶生长工序的氮气浓度增加，使降温工序的晶体生长炉内的氮气浓度比升温工序以及所述单晶生长工序的氮气浓度高。
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