公开(公告)号：CN102791674B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201180007070.4

申请日：2011-01-28

Applicant: 日立化成株式会社 ,  学校法人神奈川大学

Inventor： 舟生重昭 ,  石塚健一 ,  中子伟夫 ,  冈本专太郎

IPC: C07C69/616 ,  C07C29/36 ,  C07C33/24 ,  C07C33/46 ,  C07C41/16 ,  C07C43/164 ,  C07C67/343 ,  C07C69/65 ,  C07F5/02 ,  C07F7/18 ,  C08G61/00

CPC classification number: C07C33/24 ,  C07C25/24 ,  C07C33/46 ,  C07C33/486 ,  C07C43/164 ,  C07C69/65 ,  C07F5/02 ,  C07F7/1804 ,  C08G61/02 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/132 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/411

Abstract: 本发明提供下述式1所示的化合物。其中，式1中，R1和R2分别独立地为氢；以及从由C、H和/或X形成的取代基中选择的基团，Z1和Z2分别独立地为从由C和H形成的芳香族取代基团；由C、H和X形成的芳香族取代基团；含有芳香环和由C和H形成的双键性和/或三键性的共轭结构的基团；以及，含有芳香环和由C、H和/或X形成的双键性和/或三键性的共轭结构的基团中选择的基团，这里，X是杂原子。

公开(公告)号：CN111247647A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201880068703.4

申请日：2018-10-24

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 根岸征央 ,  川名祐贵 ,  石川大 ,  须镰千绘 ,  中子伟夫 ,  江尻芳则

IPC: H01L35/34 ,  B22F7/08 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06 ,  C22C19/03 ,  H01L35/08

Abstract: 本发明的热电转换模块的制造方法为制造具有热电半导体部和高温侧电极及低温侧电极的热电转换模块的方法，所述热电半导体部是p型半导体与n型半导体交替地多个排列而成的，所述高温侧电极及低温侧电极将相邻的所述p型半导体及所述n型半导体电串联地连接，所述高温侧电极接合于所述p型半导体及所述n型半导体的高温热源一侧的接合面，所述低温侧电极接合于所述p型半导体及所述n型半导体的低温热源一侧的接合面，所述制造方法具备通过对设置于所述高温侧电极及所述低温侧电极中的至少一方与所述p型半导体及所述n型半导体之间的含有金属粒子的接合层进行烧结来将其接合的接合工序，所述接合层由含有铜粒子作为所述金属粒子的接合材料形成。

公开(公告)号：CN110461504A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880017472.4

申请日：2018-01-18

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 川名祐贵 ,  中子伟夫 ,  根岸征央 ,  石川大 ,  须镰千绘 ,  江尻芳则

IPC: B22F1/00 ,  B22F9/00 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明的接合用金属糊料含有金属粒子和碳数为1～9的一元羧酸，金属粒子含有体积平均粒径为0.12～0.8μm的亚微米铜粒子，碳数为1～9的一元羧酸的含量相对于金属粒子100质量份为0.015～0.2质量份。

公开(公告)号：CN110430951A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201880017473.9

申请日：2018-01-18

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 川名祐贵 ,  中子伟夫 ,  根岸征央 ,  石川大 ,  须镰千绘 ,  江尻芳则

IPC: B22F1/00 ,  B22F9/00 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明的接合用金属糊料含有金属粒子和碳数为1～20的直链状或支链状的一元脂肪族醇，金属粒子含有体积平均粒径为0.12～0.8μm的亚微米铜粒子。

公开(公告)号：CN104737278B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201380054154.2

申请日：2013-10-11

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 中子伟夫 ,  神代恭 ,  纳堂高明 ,  稻田麻希 ,  黑田杏子

IPC: H01L21/311 ,  H01L31/0224

CPC classification number: C09K13/00 ,  C09K13/10 ,  H01L21/31111 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种刻蚀材料，其含有选自结构中含有硼和与该硼结合的卤素的路易斯酸、所述路易斯酸的盐以及产生所述路易斯酸的化合物之中的至少一种硼化合物。

公开(公告)号：CN107949447A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201680051482.0

申请日：2016-09-07

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 川名祐贵 ,  蔵渊和彦 ,  江尻芳则 ,  中子伟夫 ,  须镰千绘 ,  石川大

IPC: B22F7/08 ,  B22F1/00 ,  C04B37/00 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，亚微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量之和以金属粒子的总质量为基准计为80质量％以上，亚微米铜粒子的含量以亚微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量之和为基准计为30质量％以上且90质量％以下。

公开(公告)号：CN104475758B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410616539.X

申请日：2010-09-13

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 中子伟夫 ,  山本和德 ,  神代恭 ,  横泽舜哉 ,  增田克之 ,  江尻芳则 ,  稻田麻希 ,  黑田杏子

IPC: B22F9/26 ,  B32B15/01 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  H01B1/02 ,  H05K3/12

CPC classification number: B22F9/26 ,  B22F1/02 ,  B22F9/22 ,  B22F9/24 ,  B22F2201/01 ,  B22F2301/10 ,  B22F2302/25 ,  B22F2999/00 ,  B32B15/01 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  H01B1/026 ,  H05K1/097 ,  H05K3/105 ,  H05K3/1283 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2201/0272 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1157 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/12903 ,  B22F2201/013 ,  B22F2202/13

Abstract: 本发明提供能形成基板粘附性、低体积电阻率、深部金属性优良的金属铜膜和金属铜图案的液状组合物。其含有铜氧化物、和金属状的过渡金属或合金或者包含金属元素的过渡金属配合物、及25℃下的蒸气压小于1.34×103Pa的溶剂，所述铜氧化物、和金属状的过渡金属或合金或者包含金属元素的过渡金属配合物被分散为其平均分散粒径成为500nm以下且最大分散粒径成为2μm以下，所述铜氧化物的含量相对于所述铜氧化物、和金属状的过渡金属或合金或者包含金属元素的过渡金属配合物、及溶剂的总量100体积份为1～80体积份，所述过渡金属、合金、或过渡金属配合物分别为选自由Cu、Pd、Pt、Ag、Au及Rh组成的组中的金属、或包含该金属的合金、或包含该金属元素的配合物。