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公开(公告)号：CN105745366B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201480057318.1
申请日：2014-09-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/12 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/02 , C30B29/406 , C30B29/68 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明实现不产生筋状的形貌异常的器件基板。GaN模板基板包括基底基板和在基底基板上外延生长而形成的第1GaN层，第1GaN层在面内方向上固有的压缩应力在260MPa以上，或者拉曼光谱中波数568cm‑1附近的GaN的E2声子的峰值半高宽在1.8cm‑1以下，这二者同时满足，器件基板包括在第1GaN层上外延生长而形成的第2GaN层、以及在第2GaN层上外延生长而形成的包括13族氮化物的器件层。
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公开(公告)号：CN108886347A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780017024.X
申请日：2017-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H3/08 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/313 , H01L41/337 , H03H9/25
Abstract: 在将压电性单晶基板与包含陶瓷的支撑基板直接键合时，可进行常温下的接合，并且使接合强度提高。在包含陶瓷的支撑基板上形成接合层，该接合层包含选自由莫来石、氧化铝、五氧化钽、氧化钛和五氧化铌构成的组中的一种以上的材质。通过对接合层的表面照射中性束，使接合层3A的表面4活化。将接合层的表面4与压电性单晶基板6直接键合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106716650A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580044820.3
申请日：2015-07-09
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明提供一种廉价且容易制作、并且出光效率优异的发光元件。发光元件包括：由取向的多个晶粒构成的取向多晶基板、离散地设置于取向多晶基板的一个主面的不存在结晶缺陷的区域的上方且分别是在取向多晶基板的法线方向具有长度方向的柱状部位的多个柱状发光部、以及用折射率比柱状发光部的构成材料低的材料以包围多个柱状发光部的方式设置于取向多晶基板的上方的光封入层。
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公开(公告)号：CN105745366A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201480057318.1
申请日：2014-09-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/12 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/02 , C30B29/406 , C30B29/68 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明实现不产生筋状的形貌异常的器件基板。GaN模板基板包括基底基板和在基底基板上外延生长而形成的第1GaN层，第1GaN层在面内方向上固有的压缩应力在260MPa以上，或者拉曼光谱中波数568nm?1附近的GaN的E2声子的峰值半高宽在1.8cm?1以下，这二者同时满足，器件基板包括在第1GaN层上外延生长而形成的第2GaN层、以及在第2GaN层上外延生长而形成的包括13族氮化物的器件层。
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公开(公告)号：CN102986138A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180034330.7
申请日：2011-05-16
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H03H7/38 , H01F17/02 , H01F2017/0026
Abstract: 本发明的目的在于提供品质的偏差小、具有大电流耐受性的小型阻抗匹配元件。上述目的通过如下阻抗匹配元件来实现，所述阻抗匹配元件具备：布线部，其含有在第1电介质材料D1的内部埋设或在其表面形成的布线用导体图案；电感器部L4以及L5或电容器部C1中的任一方或者双方，所述电感器部L4以及L5含有在前述第1电介质材料D1的内部埋设或在其表面形成的电感器用导体图案，所述电容器部C1含有至少一对电容器用导体图案CC1和介于该成对电容器用导体图案之间的具有高于第1电介质材料D1的介电常数的第2电介质材料D2，前述布线用导体图案以及电感器用导体图案的厚度为20μm以上。
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公开(公告)号：CN1174988A
公开(公告)日：1998-03-04
申请号：CN97113558.4
申请日：1997-05-22
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: G01N29/222 , G01L9/0008 , G01M3/16 , G01N9/002 , G01N11/16 , G01N29/036 , G01N2291/014 , G01N2291/015 , G01N2291/02818
Abstract: 流控传感器包括带振动部分7的基体2,固定在振动部分表面且有一个压电片4和至少一对与压电片接触的电极5a,5b的压电元件3,设在基体表面且与电极对电连接的电极端子6,设在电极端子边缘中基体表面上的涂层材料8,加压器平台14a,14b,和保持在基体和加压器平台间并围绕电极端子的密封部件12,其中,电极端子通过在涂层材料和加压器平台间固定密封部件而保持对待测流体而言是气密的和/或液密的。
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公开(公告)号：CN1173642A
公开(公告)日：1998-02-18
申请号：CN97114923.2
申请日：1997-05-22
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G01N35/00
CPC classification number: G01L9/008 , G01N29/036 , G01N29/222 , G01N2291/014 , G01N2291/015
Abstract: 传感器装置10,包括带振动部分14的主体12、固定在振动部分一表面上并有压电膜22和一对与压电膜接触的电极24A和24B的压电元件20、使流体可通向振动部分另一表面的间隙16、和与该间隙连通的引入孔18。传感器装置呈长型,由设在该装置表面上、以便基本连续地由引入孔周边延伸到该装置后端部分10’的隆起部分13形成一个在其范围内包含了至少一个处在装置表面侧上的引入孔开口端并延伸至该装置后端部分的凹槽15。
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