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公开(公告)号：CN108699727B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201780005781.5
申请日：2017-02-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L31/0392 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种多晶氮化镓自立基板，使用该基板制作发光元件或太阳能电池等器件时能得到高发光效率、高转换效率等优异特性。本发明的多晶氮化镓自立基板由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成，具有上表面和底面。所述上表面利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为0.1°以上且低于1°，并且在所述上表面露出的氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径DT为10μm以上。
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公开(公告)号：CN107531576B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201680025071.4
申请日：2016-05-12
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/115 , G01N23/207 , G02B1/02
Abstract: 本发明的氧化铝烧结体具有c晶面取向度为5％以上的面，该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱，利用Lotgering法而求出的，所述氧化铝烧结体包含Mg、F，Mg/F的质量比为0.05～3500，Mg的含量为30～3500质量ppm，结晶粒径为15～200μm，在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向370.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时，直径0.2～0.6μm的气孔为250个以下，直径0.2～0.6μm的气孔的体积相对于所述氧化铝烧结体的体积的比例为130体积ppm以下。本发明的氧化铝烧结体的厚度为0.5mm时，在波长450nm～1000nm处的直线透过率为60％以上。亦即，本发明的氧化铝烧结体由于即便c晶面取向度为5％以上、直线透过率也较高，所以透明性优异。
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公开(公告)号：CN108025981B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201680050865.6
申请日：2016-09-29
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/115 , G02B1/02
Abstract: 本发明的氧化铝烧结体的c晶面取向度为5％以上，且摇摆曲线测定中的XRC半值宽度为15.0°以下，该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱，利用Lotgering法而求出的，用D－SIMS测定时的F含量低于0.99质量ppm，结晶粒径为15～200μm，在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向372.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时，直径0.2～1.0μm的气孔的数量为25个以下。本发明的氧化铝烧结体的厚度为0.5mm时，在波长300nm～1000nm处的直线透过率较高，透明性优异。
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公开(公告)号：CN108137411B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201680050576.6
申请日：2016-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/111
Abstract: 作为本发明的一种实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为0.1°以上且小于1.0°，平均烧结粒径为10μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：在对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后，利用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。
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公开(公告)号：CN106716650B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201580044820.3
申请日：2015-07-09
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种廉价且容易制作、并且出光效率优异的发光元件。发光元件包括：由取向的多个晶粒构成的取向多晶基板、离散地设置于取向多晶基板的一个主面的不存在结晶缺陷的区域的上方且分别是在取向多晶基板的法线方向具有长度方向的柱状部位的多个柱状发光部、以及用折射率比柱状发光部的构成材料低的材料以包围多个柱状发光部的方式设置于取向多晶基板的上方的光封入层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108025979A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680050570.9
申请日：2016-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/111
CPC classification number: C30B29/20 , C01F7/02 , C01P2002/54 , C04B35/111 , C30B1/12 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B28/02 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/6835 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L2221/68345 , H01L2221/6835
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为1°以上3°以下，平均烧结粒径为20μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后使用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。
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公开(公告)号：CN107074574A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201680002585.8
申请日：2016-09-27
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C01F7/02 , C04B35/626
Abstract: 本发明的板状氧化铝粉末的制法如下：将过渡氧化铝和氟化物以彼此不接触的方式放入容器中，进行热处理，由此，得到板状的α－氧化铝粉末。过渡氧化铝优选为选自由三水铝石、勃姆石及γ－氧化铝构成的组中的至少1种。氟化物的使用量优选设定成氟化物中的F相对于过渡氧化铝的比例为0.17质量％以上。容器优选为氟化物中的F的质量除以容器的容积而得到的值为6.5×10‑5g/cm3以上的容器。热处理优选于750～1650℃进行。热处理优选在以容器的内外相通的方式关闭容器后或将容器密闭后进行。
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公开(公告)号：CN105658849A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201580001462.8
申请日：2015-06-25
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。
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公开(公告)号：CN102822116B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201180015911.6
申请日：2011-03-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/50 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/6262 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/5445 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9692 , H01J2237/334
Abstract: 秤量Yb2O3与SrCO3为摩尔比1:1，调制调合粉末。将该调合粉末单轴加压成形，制作为圆盘状成形体。将成形体在大气气氛中进行热处理，合成复合氧化物。将合成的复合氧化物用研钵粗粉碎，进行湿式粉碎。将粉碎后取出的浆料在氮气流中干燥，制为合成原料粉末。将该合成原料粉末单轴加压成形，制作为圆盘状成形体。将得到的成形体用热压法烧成，得到半导体制造装置用耐腐蚀性构件。该耐腐蚀性构件，由SrYb2O4晶相构成，开孔率为0.1%，NF3腐蚀速率值小于由Y2O3的晶相构成的。
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公开(公告)号：CN113574215B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201980081631.1
申请日：2019-09-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/16 , H01L21/365
Abstract: 本发明提供高品质的基底基板，其具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，该取向层中的结晶缺陷(位错)显著降低。该基底基板具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层。取向层的用于结晶生长一侧的表面由具有a轴长度和/或c轴长度比蓝宝石的a轴长度和/或c轴长度大的刚玉型结晶结构的材料构成。取向层包含：含有选自由α－Al2O3、α－Cr2O3、α－Fe2O3、α－Ti2O3、α－V2O3及α－Rh2O3构成的组中的2种以上的固溶体。
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