外部谐振器型发光装置
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106233175B

    公开(公告)日:2020-01-03

    申请号:CN201580020713.7

    申请日:2015-04-13

    Abstract: 光栅元件2A包括:支撑基板、光学材料层1、具有射入激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射端的脊型光波导3A、以及由形成在光波导内的凹凸构成的布拉格光栅20。光波导包含:设置在入射面1a与布拉格光栅20之间的入射部3a和设置在入射部与布拉格光栅之间的锥形部3b。传播光在布拉格光栅中进行单模传播。入射部处的光波导的宽度Win大于布拉格光栅处的光波导Wgr的宽度,锥形部处的光波导的宽度Wt自入射部朝向布拉格光栅减小。满足式(1)~式(3)的关系。0.8nm≤△λG≤6.0nm···(1),10μm≤Lb≤300μm···(2),20nm≤td≤250nm···(3)(在式(1)中,△λG是所述布拉格光栅的布拉格反射率的峰值的半高宽。在式(2)中,Lb是所述布拉格光栅的长度。在式(3)中,td是构成所述布拉格光栅的凹凸的深度)。

    外部谐振器型发光装置
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105453352B

    公开(公告)日:2019-01-25

    申请号:CN201480043674.8

    申请日:2014-06-04

    Abstract: 外部谐振器型发光装置具备使半导体激光振荡的光源、及与该光源构成外部谐振器的光栅元件。光源具备使半导体激光振荡的活性层。光栅元件具备:光波导路,其具有射入半导体激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射面;布拉格光栅,其在光波导路内形成;及传播部,其设置在入射面和布拉格光栅之间。该外部谐振器型发光装置满足式(1)~式(4)的关系。

    光学部件
    26.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105556354B

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201480050094.1

    申请日:2014-08-15

    Abstract: 光学部件21A包括:具有接合面3b和进行了光学研磨的端面3d的光学元件1、以及形成于光学元件1的接合面且用于将光学元件接合于基板的金属膜。金属膜包括:覆盖接合面3b的除端面3d一侧的端部以外的区域的主覆盖部6、在端部内覆盖接合面的端部覆盖部7。在主覆盖部6与端部覆盖部7之间设置有未被金属膜覆盖的非覆盖部8。

    波长转换元件
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103874958B

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201380001898.8

    申请日:2013-05-22

    CPC classification number: G02F1/3775 G02F1/37 G02F2001/3548

    Abstract: 本发明提供一种波长转换元件,其具有用于将基波的波长进行转换并产生高次谐波的周期极化反转结构。波长转换元件具有形成有周期极化反转结构的强电介质基板,当从相对于基波的传播方向平行且相对于强电介质基板的上表面的法线平行的截面来看强电介质基板时,周期极化反转结构的纵极化反转边界相对于上表面的法线倾斜。

    光栅元件以及外部谐振器型发光装置

    公开(公告)号:CN105765803A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201480063856.1

    申请日:2014-11-18

    Abstract: 不使用珀耳帖元件就能够抑制跳模,提高波长稳定性,并抑制光强度变动。光栅元件1包含:支撑基板10,光学材料层11,其设置在支撑基板上、厚度为0.5μm~3.0μm,脊型光波导,其是在上述光学材料层上由一对脊型沟槽形成的,具有射入半导体激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射面,布拉格光栅12,其由形成在光波导内的凹凸所构成;及传播部13,其设置在入射面和布拉格光栅之间。该光栅元件1满足式(1)~式(4)的关系:0.8nm≤ΔλG≤6.0nm···(1):10μm≤Lb≤300μm···(2):20nm≤td≤250nm···(3):nb≥1.8···(4)。

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