公开(公告)号：CN119654452A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202280095382.3

申请日：2022-08-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 浦田勇辉 ,  松岛洁 ,  吉川润

IPC: C30B29/36

Abstract: 本发明提供能够减少磨削、研磨、切断等基板加工时的开裂及裂纹的SiC基板。该SiC基板具备双轴取向SiC层，SiC基板及双轴取向SiC层具有偏角。关于该SiC基板，在对双轴取向SiC层中的某个4mm见方的区域进行X射线形貌(XRT)测定得到的XRT图像中，基面位错(BPD)的进展方向与[11－20]方向所成的角的锐角侧的绝对值为15°以下的BPD的数量相对于BPD的总数的比例为60％以上。BPD的进展方向定义为：在XRT图像中，将观察为线状的BPD的终点和自终点沿着线状的BPD离开150μm的点连结得到的线段的方向。

公开(公告)号：CN114269972B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN201980098054.7

申请日：2019-09-02

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井宏史 ,  渡边守道 ,  吉川润

IPC: C30B29/16 ,  C23C16/40 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种α－Ga2O3系半导体膜，其能够明显地提高器件的成品率。该α－Ga2O3系半导体膜是：以具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构的结晶为主相的圆形的半导体膜。该半导体膜的表面的中心点X以及4个外周点A、B、C及D各自处的偏角的最大值θmax和最小值θmin满足θmax－θmin≤0.30°的关系。偏角定义为：沿着半导体膜的大致法线方向取向的结晶轴相对于半导体膜的膜面的法线的倾斜角度。外周点A、B、C及D以如下方式进行确定：i)将外周点A及外周点C连结的直线和将外周点B及外周点D连结的直线在中心点X处呈直角相交；且ii)外周点A、B、C及D距半导体膜的外缘的各最短距离为半导体膜的半径的1/5。

公开(公告)号：CN113614293B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202080006855.9

申请日：2020-02-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井宏史 ,  渡边守道 ,  吉川润

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/08

Abstract: 本发明提供高品质的基底基板，其具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，该取向层中的结晶缺陷(位错)显著降低。该基底基板具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，取向层的用于结晶生长一侧的表面由具有a轴长度和/或c轴长度比蓝宝石的a轴长度和/或c轴长度大的刚玉型结晶结构的材料构成，且在取向层中存在多个气孔。

公开(公告)号：CN114901875B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202080089055.8

申请日：2020-01-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 松岛洁 ,  渡边守道 ,  吉川润

IPC: C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  C30B29/36

Abstract: SiC复合基板(10)具备SiC单晶层(20)和含有稀土的SiC层(30)。含有稀土的SiC层(30)含有稀土元素，该稀土元素的浓度在1×1016原子/cm3以上且1×1019原子/cm3以下的范围内。由于将稀土元素的浓度设定在该范围内，因此能够充分地降低在含有稀土的SiC层(30)上生长的SiC外延层的BPD密度。

公开(公告)号：CN116888310A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202280016510.0

申请日：2022-02-28

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 吉川润 ,  前田美穗 ,  柴田宏之

IPC: C30B29/16

Abstract: 复合基板(50)具备基底基板(52)和设于基底基板(52)上的α－Ga2O3晶体膜(54)。α－Ga2O3晶体膜(54)的膜厚为10μm以上，碱金属元素的至少1种的含有量为1.2×1015原子/cm3以上且1.0×1018原子/cm3以下。

公开(公告)号：CN115057711B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202210702305.1

申请日：2018-10-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  佐藤圭 ,  松岛洁 ,  前田高宏 ,  吉川润 ,  七泷努

IPC: C04B35/645 ,  C04B35/111 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种平坦片材，其中，用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持所述平坦片材后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，所述平坦片材的与所述不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。

公开(公告)号：CN114761629A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202180006615.3

申请日：2021-01-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  松岛洁 ,  吉川润

IPC: C30B29/36 ,  C30B1/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/161

Abstract: 双轴取向SiC复合基板(10)具备：第一双轴取向SiC层(20)，其包含贯通螺旋位错以及基底面位错；以及第二双轴取向SiC层(30)，其与第一双轴取向SiC层(20)连续地形成，并含有1×1016atoms/cm3以上且1×1019atoms/cm3以下的稀土元素。第二双轴取向SiC层(30)的表面的缺陷密度小于第一双轴取向SiC层(20)的缺陷密度。

公开(公告)号：CN113614293A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202080006855.9

申请日：2020-02-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井宏史 ,  渡边守道 ,  吉川润

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/08

Abstract: 本发明提供高品质的基底基板，其具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，该取向层中的结晶缺陷(位错)显著降低。该基底基板具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，取向层的用于结晶生长一侧的表面由具有a轴长度和/或c轴长度比蓝宝石的a轴长度和/或c轴长度大的刚玉型结晶结构的材料构成，且在取向层中存在多个气孔。

公开(公告)号：CN108305923B

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201810324504.7

申请日：2015-03-23

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  吉川润 ,  仓冈義孝 ,  七泷努

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供一种多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件，由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°。此外，本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明，可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外，使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。

公开(公告)号：CN105830237A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201480069022.1

申请日：2014-12-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  吉川润 ,  七泷努 ,  今井克宏 ,  杉山智彦 ,  吉野隆史 ,  武内幸久 ,  佐藤圭

IPC: H01L33/32 ,  C30B29/38 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种发光元件用复合基板，所述发光元件用复合基板适于以低成本制造大面积的发光元件。该发光元件用复合基板包含：由取向多晶氧化铝烧结体构成的基板和形成在基板上的发光功能层，上述发光功能层具有二层以上在大致法线方向具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。