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公开(公告)号：CN116110765A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210788205.5
申请日：2022-07-06
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及金属接合层(40)。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)具有冷媒流路(32)。金属接合层(40)将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合。关于冷媒流路(32)中的俯视与晶片载放面(22a)重复的区域处的最上游部(32U)和最下游部(32L)的冷媒流路(32)的截面积，最下游部(32L)的该截面积比最上游部(32U)的该截面积小。
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公开(公告)号：CN116092904A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210788363.0
申请日：2022-07-06
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 一种晶片载放台，防止由热应力导致的破损。晶片载放台(10)具备：中央陶瓷基材(20)，在上表面具有晶片载放面(20a)，内置有电极(22)；外周陶瓷基材(25)，在上表面具有聚焦环载放面(25a)；冷却基材(30)，中央部(31)接合于中央陶瓷基材的下表面，外周部(35)接合于外周陶瓷基材的下表面，具有将中央部和外周部连结的连结部(40)。冷却基材具有：在中央部所设置的中央冷媒流路(32)、在外周部所设置的外周冷媒流路(37)，连结部在比中央冷媒流路的最外缘更靠外周侧且比外周冷媒流路的最内缘更靠内周侧的部分具有在上表面呈开口的环状的上沟(42)、在下表面呈开口且顶面(44c)比上沟的底面(42b)高的环状的下沟(44)。
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公开(公告)号：CN115995374A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202210702212.9
申请日：2022-06-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，减少了其对晶片的均热性的影响。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、接合层(40)、附带有台阶的孔(81)、附带有台阶的绝缘管(84)、以及供电端子(82)。附带有台阶的孔(81)具有细径的孔上部(81a)、粗径的孔下部(81b)及孔台阶部(81c)，孔上部(81a)从冷媒流路(31)的形成区域(37)通过。附带有台阶的绝缘管(84)插入于附带有台阶的孔(81)，且具有细径的管上部(84a)、粗径的管下部(84b)及管台阶部(84c)。供电端子(82)的上端与电极(27)接合。
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公开(公告)号：CN115705989A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210709442.8
申请日：2022-06-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种晶片载置台。本发明的课题在于高效地进行由偏压用高频引起的离子向聚焦环的引入。晶片载置台(10)具备陶瓷基材(20)、冷却基材(30)和接合层(40)。陶瓷基材(20)在具有圆形的晶片载置面(22a)的中央部(22)的外周具备具有环状的聚焦环载置面(24a)的外周部(24)。冷却基材(30)含有金属。接合层(40)用于接合陶瓷基材(20)与冷却基材(30)。陶瓷基材(20)的外周部(24)的厚度为1mm以下，且未内置电极。
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公开(公告)号：CN119895555A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202280006020.2
申请日：2022-09-27
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 晶片载放台10具备：陶瓷板20，其具有晶片载放面22a且内置有电极；金属－陶瓷复合材料制的冷却板30，其具有冷媒流路32；以及接合层40，其将两个板20、30接合。从晶片载放面22a至冷媒流路32的上底及下底中的至少一者的长度在冷媒流路32的整体中并非恒定，而是存在该长度发生变化的部分。冷却板30为将包括彼此接合的第一薄型板部81及第二薄型板部82的多个板部进行金属接合得到的结构，第一薄型板部81具有第一流路部，该第一流路部是设置成俯视为与冷媒流路32相同形状的贯通沟。第二薄型板部82具有第二流路部，该第二流路部为设置于与第一流路部对置的位置的至少一部分的有底沟。
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公开(公告)号：CN115985743B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202210678777.8
申请日：2022-06-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，其抑制晶片产生热点。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及多个孔(例如气体孔(44)、端子孔(51))。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)，且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)与陶瓷基材(20)的下表面接合，且具有冷媒流路(32)。气体孔(44)、端子孔(51)沿着上下方向贯穿冷却基材(30)。在这些孔的周边区域设置有促进流通于冷媒流路(32)的冷媒与载放于晶片载放面(22a)的晶片(W)之间的热交换的热交换促进部(例如流路变细的部分(32a))。
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公开(公告)号：CN114375074B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202111203612.7
申请日：2021-10-15
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够防止供电部件从位于板侧安装位置的端子脱落的晶片载置台。陶瓷加热器(10)具备陶瓷板(20)、电极(第一及第二加热器电极(21、22))、第一及第二供电部件(31、32)、板侧的第一及第二端子孔(23a、24a)、以及电源侧的第一及第二安装孔(61、62)。第一及第二安装孔(61、62)在俯视时与第一及第二端子孔(23a、24a)偏离。第一供电部件(31)具备使第一供电部件(31)从第一安装孔(61)向第一端子孔(23a)强制地进行方向转换的金属构件(31a)。第二供电部件(32)也是同样的。
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公开(公告)号：CN116959942A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310005571.3
申请日：2023-01-04
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/20 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，能够使陶瓷基材的正上方区域的等离子体密度提高。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，其上表面具有晶片载放面(22a)，且内置有电极(26)；导电性基材(30)，其设置于陶瓷基材(20)的下表面侧，兼用作等离子体发生电极，直径与陶瓷基材(20)的直径相同；支撑基材(40)，其设置于导电性基材(30)的下表面侧，直径大于导电性基材(30)的直径，且与导电性基材(30)电绝缘；以及安装用凸缘(42)，其为支撑基材(40)的比导电性基材(30)向半径方向外侧突出的部分。
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公开(公告)号：CN116895587A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202211703797.2
申请日：2022-12-29
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及晶片载放台，课题在于：改善晶片的均热性、并且防止气体中间通路内的放电。晶片载放台(10)具备：陶瓷板(20)，内置有电极(22)；导电性板(30)，设置于陶瓷板(20)的下表面侧；导电性接合层(40)，将陶瓷板(20)与导电性板(30)接合；气体中间通路(50)，设置于导电性接合层(40)与导电性板(30)的界面；多个气体供给通路(52)，它们从气体中间通路(50)贯通导电性接合层(40)及陶瓷板(20)而到达晶片载放面(21)；气体导入通路(54)，它们设置为在上下方向贯通导电性板(30)而与气体中间通路(50)连通，数量比与气体中间通路(50)连通的气体供给通路(52)的数量少。
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公开(公告)号：CN116110766A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210788357.5
申请日：2022-07-06
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及金属接合层(40)。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)具有冷媒流路(32)。金属接合层(40)将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合。关于冷媒流路(32)中的俯视与晶片载放面(22a)重复的区域处的最上游部(32U)和最下游部(32L)的冷媒流路(32)的顶面至晶片载放面(22a)的距离(d)，最下游部(32L)的距离(d)比最上游部(32U)的距离(d)短。
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