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公开(公告)号：CN1774845B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200580000318.9
申请日：2005-03-23
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/125
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/125
Abstract: 本发明提供一种DBR型波长可变光源，其具有更宽波段的波长可变特性，可实现6nm以上的连续波长移动，且与现有技术相比，具有高输出。在衬底(21)上形成的光波导包括具有发光功能的有源区光波导(22)和设置在该有源区(22)两端的无源区光波导(23a、23b)，该无源区光波导(23a、23b)具有绝缘区域(25)及具有波长可变功能的前侧和后侧DBR区域(24、29)，在后侧DBR区域(29)上形成有具有有效长度饱和值的95％以上长度的衍射光栅，在前侧DBR区域(24)上形成有比所述长度短的衍射光栅，从该前侧DBR区域获取振荡光。
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公开(公告)号：CN100568031C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200710140265.1
申请日：2004-03-30
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 在半导体基板上，通过把折射率和它对温度的依赖关系不同的材料进行组合，提供光半导体元件和光半导体集成电路。特别是利用具有折射率对温度的依赖关系与半导体激光器的增益区域不同的材料和/或结构的传输区域，可以控制振动波长对温度的依赖关系。此外在光波导路中，沿光波导方向形成多个界面，可以以在第一界面反射的光用在其他界面反射的光减弱的方式构成。此外通过界面配置成相对光的传播方向倾斜，也可以减少因在折射率不同的光波导路间的反射和折射造成的波导路损失。
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公开(公告)号：CN101529313A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038962.4
申请日：2007-10-24
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
CPC classification number: G02F1/017 , B82Y20/00 , G02F1/025 , G02F2202/101
Abstract: 根据本发明，能够提供一种耐压高、制作容易的npin型光调制器。根据本发明的一实施例的半导体光调制器(10)是一种在衬底侧配置阴极层(12－1)、顺序层叠的npin型的半导体光调制器，其特征在于，该npin型半导体光调制器至少包括：第一n型覆层(13－1)、p型覆层(14)、芯层(17)、及第二n型覆层(13－2)，其中p型覆层(14)与阴极层的电极(18－1)电连接。由此，伴随npin型光调制器中的光吸收，就能使向p型覆层的空穴积累被阳极侧的电极吸收。由于此npin型半导体光调制器为台面型波导结构，所以能使用现有的半导体制造技术较容易地制作此npin型半导体光调制器。
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公开(公告)号：CN1774845A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200580000318.9
申请日：2005-03-23
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/125
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/125
Abstract: 本发明提供一种DBR型波长可变光源，其具有更宽波段的波长可变特性，可实现6nm以上的连续波长移动，且与现有技术相比，具有高输出。在衬底(21)上形成的光波导包括具有发光功能的有源区光波导(22)和设置在该有源区(22)两端的无源区光波导(23a、23b)，该无源区光波导(23a、23b)具有绝缘区域(25)及具有波长可变功能的前侧和后侧DBR区域(24、29)，在后侧DBR区域(29)上形成有具有有效长度饱和值的95％以上长度的衍射光栅，在前侧DBR区域(24)上形成有比所述长度短的衍射光栅，从该前侧DBR区域获取振荡光。
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