公开(公告)号：CN110023317B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201780073389.4

申请日：2017-12-08

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤雅久 ,  孙军

IPC: C07D487/04 ,  C08G59/02

Abstract: 本发明的课题是提供新的甘脲类及其制造方法。解决手段是下述式(1)所示的含氮环状化合物，该式(1)所示的含氮环状化合物例如由下述式(1A)或式(1B)表示。(式中，R1、R2、R3和R4之中的任意2个表示缩水甘油基，其余2个表示甲氧基甲基。)

公开(公告)号：CN109641913B

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201780053682.4

申请日：2017-08-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤雅久 ,  孙军

IPC: C07D487/04

Abstract: 本发明的课题是提供新的单硫代甘脲类和二硫代甘脲类。解决手段是下述式(1)所示的硫代甘脲类。(式中，X表示氧原子或硫原子，4个R分别表示氢原子、碳原子数1～4的直链状、支链状或环状的烷基、苯基、萘基、苄基、或主链具有至少1个醚键的碳原子数3～9的烷基。)

公开(公告)号：CN109153654A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780032424.8

申请日：2017-05-23

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 后藤裕一 ,  孙军

IPC: C07D251/34

Abstract: 本发明的课题是提供具有1个烃基的异氰脲酸衍生物的新的制造方法。解决手段是一种具有1个烃基的异氰脲酸衍生物的制造方法，其包含下述工序：由下述式(0)所示的化合物获得下述式(1)所示的化合物的第一工序；由上述式(1)所示的化合物获得下述式(2)所示的化合物的第二工序；由上述式(2)所示的化合物获得下述式(3)所示的化合物的第三工序；以及由上述式(3)所示的化合物获得下述式(4)所示的化合物的第四工序，(式中，X1分别表示氯原子、氟原子或溴原子，Bn表示苯环的至少1个氢原子可以被甲基取代的苄基，R表示碳原子数1～10的烃基。)，全部工序都在不超过100℃的温度下进行。

公开(公告)号：CN110621680B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN201880031892.8

申请日：2018-05-29

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 窪寺俊 ,  后藤裕一 ,  柴山亘 ,  孙军

IPC: C07F7/18

Abstract: 本发明的课题是提供具有2个烷氧基烷基并且导入了三烷氧基甲硅烷基的新的异氰脲酸衍生物及其制造方法。解决手段是在常温常压下为液体的下述式(1)所示的异氰脲酸衍生物。(式中，R1表示甲基或乙基，2个R2分别表示碳原子数1或2的亚烷基，2个R3分别表示甲基、乙基、或碳原子数2～4的烷氧基烷基。)

公开(公告)号：CN110036344A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201880004846.9

申请日：2018-02-01

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 西田登喜雄 ,  后藤裕一 ,  坂本力丸 ,  孙军

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的目的是提供与以往相比使交联性飞跃地提高了的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步提供为了改善抗蚀剂下层膜与抗蚀剂图案的密合性而与抗蚀剂材料的成分交联的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1)所示的结构单元和下述式(2)所示的结构单元的共聚物、交联剂、有机酸催化剂和溶剂。(式中，R1各自独立地表示氢原子或甲基，R2各自独立地表示碳原子数1～3的亚烷基，R3表示单键或亚甲基，A表示可以具有取代基的碳原子数1～12的直链状、支链状、或具有环状结构的脂肪族基，或者表示可以具有取代基的碳原子数6～16的芳香族基或杂环基，Pr表示保护基。)