公开(公告)号：CN107531851A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680026556.5

申请日：2016-07-01

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 广井佳臣 ,  远藤雅久 ,  安部菜月 ,  西野泰斗

IPC: C08F230/02 ,  C09D5/16 ,  C09D201/02

Abstract: 本发明提供通过使至少包含下述式(A)及(B)(式中，Ta、Tb、Qa、Qb、Ra、Rb、Ua1、Ua2、Ua3、Ub1、Ub2、Ub3、An‑及m如本说明书及权利要求书中所定义的那样)表示的化合物的单体混合物聚合而得到的共聚物等。本发明的共聚物可作为抑制生物材料附着的能力优异的离子复合物材料利用。

公开(公告)号：CN101473270B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN200780022550.1

申请日：2007-06-15

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 广井佳臣 ,  岸冈高广 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G63/58 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G63/19 ,  C08G63/672 ,  C08G63/6856 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明的课题是提供一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，所述光刻用抗蚀剂下层膜可以用作下述膜，即，减轻对半导体基板上所形成的光致抗蚀剂的曝光照射光从基板反射的下层防反射膜、用于将具有凹凸的半导体基板平坦化的平坦化膜、防止加热烘烤时从半导体基板产生的物质污染光致抗蚀剂的膜等。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其含有具有下述式(1)的结构的聚合物和溶剂，式(1)，其中，Y表示碳原子数1～10的亚烷基或碳原子数6～14的芳香族环，亚烷基和芳香族环具有羟基，该羟基数为1个以上，且为该亚烷基和芳香族环上能够取代的氢原子数以下。

公开(公告)号：CN1934500B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200580008475.4

申请日：2005-03-15

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 广井佳臣 ,  岸冈高广 ,  中山圭介 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08L101/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G75/00 ,  C09D181/00 ,  C09D181/02 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明提供一种防反射膜和用于形成防反射膜的组合物，所述的防反射膜，防反射光的效果高，不发生与光致抗蚀剂的混合，能够在使用F2受激准分子激光(波长157nm)或ArF受激准分子激光(波长193nm)等短波长的光的光刻工艺中使用。本发明的用于形成防反射膜的组合物，其特征在于，包含固体成分和溶剂，硫原子在该固体成分中所占的比例为5～40质量％。上述固体成分包含具有至少5质量％的硫原子的聚合物等。

公开(公告)号：CN1965268B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200580018731.8

申请日：2005-04-06

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 岸冈高广 ,  坂本力丸 ,  广井佳臣 ,  丸山大辅

IPC: G03F7/11 ,  C08L79/04 ,  C09D163/00 ,  C09D179/04 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08G73/0616 ,  C08G61/122 ,  C08G61/123 ,  C08G73/0638 ,  C08L79/04 ,  G02B1/111 ,  G03F7/091 ,  Y10S438/952

Abstract: 本发明的课题在于提供一种防反射效果好、不发生与光致抗蚀剂的混合、可以用于使用ArF准分子激光和F2准分子激光等照射光的光刻工艺中的防反射膜，及用于形成防反射膜的组合物。本发明提供一种形成防反射膜的组合物，其特征在于，含有具有嘧啶三酮结构、咪唑烷二酮结构、咪唑烷三酮结构或三嗪三酮结构的聚合物和溶剂。

公开(公告)号：CN101884015A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118921.0

申请日：2008-12-09

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 广井佳臣 ,  石田智久 ,  远藤贵文

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/22 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G59/226 ,  C08G59/38

Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，由其形成的抗蚀剂下层膜的干蚀刻速度的选择比大，在ArF准分子激光之类的短波长下的k值和折射率n显示出希望的值，还显示出溶剂耐性。提供了一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其特征在于，含有线状聚合物和溶剂，所述线状聚合物的主链上具有含有芳香环的结构和含有氮原子的结构中的至少一种结构，所述芳香环或所述氮原子上直接连接有至少一个烷氧基烷基或羟基烷基。

公开(公告)号：CN101040220A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200580034605.1

申请日：2005-09-27

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 榎本智之 ,  广井佳臣 ,  中山圭介

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 本发明的课题在于提供一种显示很高的防反射效果、不与光致抗蚀剂发生混合、具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度的可以在半导体器件制造的光刻工序中使用的防反射膜，和用于形成该防反射膜的组合物。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种形成光刻用防反射膜的组合物，其含有：将具有硫脲结构的含硫化合物和具有2个以上的被羟甲基或烷氧基甲基取代的氮原子的含氮化合物在酸催化剂的存在下反应获得的反应生成物，和溶剂。

公开(公告)号：CN108137990B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201680059049.1

申请日：2016-10-14

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 片山淳子 ,  广井佳臣 ,  相原彩子 ,  安部菜月 ,  西野泰斗

IPC: C09D201/06 ,  A61K35/19 ,  B01J19/00 ,  C08F220/34 ,  C08F230/02 ,  C09D5/16 ,  C09D143/02 ,  C12M1/00 ,  C12M1/26 ,  G01N37/00

Abstract: 本发明提供通过极其简单的操作即可涂覆在流路的内部表面且具有优异的抑制生物材料附着的能力的流路用涂层剂、以及在流路的内部表面的至少一部分具有上述流路用涂层剂的流路设备、产生血小板的流路装置及其制造方法。本发明涉及含有共聚物的流路用涂层剂、以及在流路的内部表面的至少一部分具有上述流路用涂层剂的流路设备、产生血小板的流路装置及其制造方法，上述共聚物含有包含下述式(a)表示的有机基团的重复单元及包含下述式(b)表示的有机基团的重复单元。式中，Ua1、Ua2、Ua3、Ub1、Ub2、Ub3及An－如本说明书和权利要求书中所述。

公开(公告)号：CN105308169B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201480032593.8

申请日：2014-06-09

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 大谷彩子 ,  西野泰斗 ,  广井佳臣 ,  岸冈高广 ,  小泽智行

IPC: C12M3/00 ,  B05D7/24 ,  C08F230/02 ,  C09D133/14 ,  C09D133/26 ,  A61L31/00

Abstract: 本发明提供细胞培养容器、使用了该细胞培养容器的细胞凝集块的制造方法以及该细胞培养容器的制造方法，所述细胞培养容器的特征在于，在表面上涂覆有下述共聚物，所述共聚物包含：包含下述式(a)表示的有机基团的重复单元和包含下述式(b)表示的有机基团的重复单元(式中，Ua1、Ua2、Ub1、Ub2及Ub3、以及An－如说明书及权利要求书中所记载的那样)。

公开(公告)号：CN105307698B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201480032424.4

申请日：2014-06-09

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 金木达朗 ,  岸冈高广 ,  西野泰斗 ,  广井佳臣 ,  大谷彩子 ,  小泽智行

IPC: A61M1/02

Abstract: 本发明提供一种血液滤器，所述血液滤器包括：多孔元件；以及存在于该多孔元件的表面的至少一部分上的共聚物，所述共聚物包含：包含下述式(a)表示的有机基团的重复单元和包含下述式(b)表示的有机基团的重复单元(式中，Ua1、Ua2、Ub1、Ub2及Ub3、以及An－如说明书及权利要求书中所记载的那样)。

公开(公告)号：CN105849642B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201480070299.6

申请日：2014-12-10

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  岸冈高广 ,  广井佳臣 ,  大桥智也 ,  臼井友辉

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G63/6856 ,  C08G63/6886 ,  C09D167/02 ,  C09D167/025 ,  C09D181/04 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094

Abstract: 本发明提供一种新型的抗蚀剂下层膜形成用组合物。所述抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(1)所示的结构单元及下述式(2)所示的结构单元的共聚物、交联性化合物、交联催化剂以及溶剂。(式中，A表示含三嗪环的2价的有机基团，X1表示‑S‑基或‑O‑基，Q表示碳原子数1～15的直链状、支链状或环状的烃基，该烃基可以在主链上具有至少1个硫原子或氧原子，也可以具有至少1个羟基作为取代基，n表示0或1，R1及R2各自独立地表示碳原子数1～3的亚烷基或单键，Z表示具有至少1个硫原子或氧原子的2价的基团，X1表示‑O‑基时，Z表示具有至少1个硫原子的2价的基团。)