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公开(公告)号：CN101542364A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000478.7
申请日：2008-06-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02F1/1335 , F21S2/00 , F21V3/00 , G02B5/30 , G02F1/13363
CPC classification number: G02F1/13363 , G02B5/3025 , G02B5/3083 , G02F1/133528 , G02F1/133634 , G02F2001/133531 , G02F2001/133635
Abstract: 本发明涉及一种依次配置有光源(BL)、反射型直线偏振光层(Pr1)、具有规定的光学特性的双折射层(A)、光源侧吸收型直线偏振光层(P1)、液晶单元(LC)、辨识侧直线偏振光层(P2)，该双折射层具有规定的相位差特性的透射型液晶显示装置。在本发明的透射型液晶显示装置中，由于抑制斜向方向的光漏而黑亮度低下。另外，也可以抑制向正面方向的配光引起的正面对比度的低下。
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公开(公告)号：CN1791817A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200480013713.6
申请日：2004-10-01
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/13363
CPC classification number: G02B5/3033 , G02B5/3083 , Y10T428/1041
Abstract: 本发明提供了具有优异的面内相位差、在厚度方向的相位差和取向轴均一性的双折射薄膜。所述双折射薄膜如下制备：在拉伸聚合物薄膜的过程中，在宽度方向拉伸该聚合物薄膜的同时在长度方向收缩该聚合物薄膜，并假定所述聚合物薄膜在被拉伸前在宽度方向和长度方向的长度为1，由于所述拉伸导致的聚合物薄膜在宽度方向的长度改变率(STD)和由于所述收缩导致的聚合物薄膜在长度方向的长度改变率(SMD)符合下式(1)，(1/STD)1/2≤SMD＜1 (1)。
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公开(公告)号：CN1758106A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510108461.1
申请日：2005-10-08
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02B5/30
Abstract: 本发明提供一种双折射薄膜的制造方法，是包括拉伸聚合物薄膜的工序的双折射薄膜的制造方法，其特征在于，在宽幅方向上对聚合物薄膜进行拉伸处理的同时在其长幅方向上进行收缩处理，在将拉伸前的聚合物薄膜的宽幅方向的长度和长幅方向的长度分别设为1的情况下，通过拉伸的宽幅方向的长度的变化倍率(STD)与通过收缩的长幅方向的长度的变化倍率(SMD)满足(1/STD)1/2≤SMD＜1，而且拉伸后的该聚合物薄膜的Nz系数为0.9～1.1。由此，本发明提供一种消除在宽幅方向上拉伸聚合物薄膜制造双折射薄膜时的弯曲现象，在抑制双折射或相位差、取向角的偏差的光学特性方面出色，而且在与偏振光薄膜贴合时可以实现连续贴合的生产效率高的双折射薄膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN102758190B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201210132151.3
申请日：2012-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/086 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/568 , H01L21/67132 , H01L21/67173 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种真空成膜方法和由该方法得到的层积体，在卷对卷技术中进一步谋求作业的高效化或者改善。是对长形基材进行连续真空成膜的方法，具备：沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向将卷绕成卷筒状的长形基材从第一辊室抽出的阶段、将沿第一方向抽出的基材进行脱气的阶段、在第二成膜室将第二膜材料在被脱气的基材的面上进行成膜的阶段、将成膜有第二膜材料的基材在第二辊室进行卷绕的阶段、沿从第二辊室朝向第一辊室的第二方向将在第二辊室卷绕的基材从第二辊室抽出的阶段、在第一成膜室将第一膜材料在沿第二方向抽出的基材的面上进行成膜的阶段、将在第二膜材料上层积有第一膜材料的基材在第一辊室卷绕的阶段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103310906B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310073333.2
申请日：2013-03-07
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/14 , C23C14/562
Abstract: 本发明提供一种导电性膜卷的制造方法，邻接的膜彼此不压接而能够维持高品质。本发明的制造方法边使长条状的膜基材接触第1成膜辊边进行搬运，在膜基材的不接触该第1成膜辊的第1面侧通过溅射法顺次层叠第1透明导电体层、第1金属层和氧化金属被膜层，形成第1层叠体。然后，将形成了第1层叠体的膜基材不卷成卷状而供给到第2成膜辊，边使第1层叠体的上述氧化金属被膜层接触第2成膜辊边进行搬运，在该膜基材的没有形成上述第1层叠体的第2面侧通过溅射法顺次层叠第2透明导电体层和第2金属层，形成第2层叠体。然后将形成了第1以及第2层叠体的膜基材卷成卷状。
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公开(公告)号：CN103339689B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201280006323.0
申请日：2012-10-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , B32B7/02 , C23C14/086 , C23C14/3492 , C23C14/5806 , G06F3/044 , H01L31/022475 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/266 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31855
Abstract: [课题]使用薄膜基材时，以以往的铟锡氧化物的3层膜的构成，铟锡氧化物不能结晶化、或结晶化非常耗费时间。[解决手段]本发明的透明导电性薄膜10具备：具有2个主面的薄膜基材11、和形成于薄膜基材11的一个主面的透明导电膜12。透明导电膜12为从薄膜基材11侧起依次层叠有第一铟锡氧化物层13、第二铟锡氧化物层14、第三铟锡氧化物层15的3层膜。第一铟锡氧化物层13的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层14的氧化锡含量少。第三铟锡氧化物层15的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层14的氧化锡含量少。
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公开(公告)号：CN103116231A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201210424573.8
申请日：2012-10-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/13363 , G06F3/044
CPC classification number: G06F3/044 , G02F1/13338 , G02F2001/133738 , G02F2202/22 , G06F3/0412
Abstract: 本发明提供如下输入显示装置，其在无损自然的操作感的情况下，能够减少显示缺陷的发生，且能够减少误动作的发生。输入显示装置（1）包含：包含在不存在电场的状态下平行取向的液晶分子的液晶层（2）、配置于该液晶层可视侧的偏振片（3）、配置于该偏振片与液晶层（2）之间的静电电容式传感器（4）、配置于该静电电容式传感器与偏振片（3）之间且附着于偏振片（3）的防静电层（5）。静电电容式传感器（4）具有透明基板（6）、形成于该透明基板上的透明电极图案（7）、与以埋设该透明电极图案的方式形成在透明基板上的粘合层（8）。防静电层（5）的每单位面积的表面电阻值为1.0×109~1.0×1011Ω/□。
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公开(公告)号：CN103065705A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210398190.8
申请日：2012-10-18
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , B32B3/00 , B32B7/12 , G02B5/30 , H01B5/14 , Y10T428/24802 , Y10T428/24851
Abstract: 本发明提供一种透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(10)具有透明粘接层(11)、层叠于透明粘接层(11)的一个面的第一聚环烯烃薄膜(12)、层叠于透明粘接层(11)的另一个面的第二聚环烯烃薄膜(13)、形成于第一聚环烯烃薄膜(12)上的第一透明电极图案(14)、和形成于第二聚环烯烃薄膜(13)上的第二透明电极图案(15)。无论从哪个方向观察本发明的透明导电性薄膜(10)都几乎不产生颜色不均匀。
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公开(公告)号：CN102899629A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210267243.2
申请日：2012-07-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C16/44 , C23C14/021 , C23C14/562 , C23C16/06 , C23C16/56 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。将卷绕成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面而沿第一辊室朝向第二辊室的方向从第一辊室输出，对输出的基体进行脱气，在第一成膜室，在脱气的基体的第一面成膜第一膜材料，在第二成膜室，在第一膜材料上成膜第二膜材料，在第二辊室将层积有膜材料的基体卷绕成卷筒状，将与第一面相反一侧的第二面作为被成膜面而沿方向从第一辊室输出卷绕的基体，重复进行上述所有的处理。
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