公开(公告)号：CN102399505A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110276306.6

申请日：2011-09-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 天野康弘 ,  盛田美希 ,  木村雄大

IPC: C09J7/02 ,  C09J9/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/78 ,  C08K7/00 ,  C09J7/35 ,  C09J9/02 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2817 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00011

Abstract: 本发明的目的在于提供一种切割/芯片接合薄膜，其具有不易引起剥离带电并且胶粘性、作业性良好的芯片接合薄膜。一种在切割薄膜上设置有热固型芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，其中，热固型芯片接合薄膜含有导电性粒子，热固型芯片接合薄膜的体积电阻率为1×10-6Ω·cm以上且1×10-3Ω·cm以下，并且，热固型芯片接合薄膜热固化前在-20℃下的拉伸储能弹性模量为0.1GPa～10GPa。

公开(公告)号：CN102386054A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110270510.7

申请日：2011-09-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 天野康弘 ,  盛田美希

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/67092 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31855

Abstract: 本发明提供一种半导体装置用薄膜以及半导体装置，在将所述半导体装置用薄膜卷绕为卷筒状时，可以抑制在胶粘薄膜上产生转印痕迹，所述半导体装置用薄膜为在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以规定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到的半导体装置用薄膜。一种半导体装置用薄膜，其为在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以规定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到的半导体装置用薄膜，其特征在于，23℃下胶粘薄膜的拉伸储能弹性模量Ea与23℃下覆盖薄膜的拉伸储能弹性模量Eb的比Ea/Eb在0.001～50的范围内。