-
公开(公告)号：CN101402091A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810170809.3
申请日：2004-04-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B08B1/006 , B08B1/00 , B08B7/00 , B08B7/0028 , C11D3/162 , C11D17/049 , H05K3/26
Abstract: 本发明涉及清洁片、具有清洁功能的承载元件和基片处理设备的清洁方法。包括清洁层和层压于该清洁层上的可剥离的保护膜的清洁片，其中当保护膜被从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O－，在清洁层中碎片离子CH3Si+，C3H9Si+，C5H15Si2O+，C5H15Si3O3+，C7H21Si3O2+，CH3SiO－，CH3SiO2－和Si+的相对强度为0.1或更少。
-
公开(公告)号：CN1264965C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN02825114.8
申请日：2002-10-31
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C11D17/049 , B08B7/0028 , C11D3/373
Abstract: 一种清洁片，包括：清洁层和采用包括硅氧烷的释放剂处理的保护膜，保护膜在清洁层的至少一侧上被提供为分隔物，其中当从清洁层剥离分隔物时，按照聚二甲基硅氧烷计算，粘附到清洁层的硅氧烷的量为0.005g/m2或更少。
-
公开(公告)号：CN1778830A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510124931.3
申请日：2005-10-19
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08G73/10 , C09D179/08 , H01L21/312
Abstract: 本发明提供了一种基片处理设备的清洁基片，其包含清洁层，所述清洁层包括位于基片的至少一个表面上的且在20℃～150℃下存储模量(1Hz)为5×107Pa至1×109Pa的耐热性树脂；并且提供了一种适合用于清洁层的并可以用于涉及由于硅氧烷杂质而可能产生严重缺陷的应用，例如HDD应用和一些半导体应用中的耐热性树脂的聚酰亚胺树脂。
-
公开(公告)号：CN1254317C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN01810682.X
申请日：2001-05-08
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B08B7/00
CPC classification number: A47L25/005 , B08B7/0028 , B08B13/00 , C11D11/0047 , C11D11/0058 , H01L21/67028 , Y10T156/1075 , Y10T428/14 , Y10T428/1471 , Y10T428/1495 , Y10T428/24752
Abstract: 一种清洁用标签片由清洁用标签构成，该标签包括：在接收有效能量后，其对硅晶片的180°剥离粘接力为0.20N/mm或更小的一个清洁层；和设在所述清洁层的一个表面上的粘接剂层；另外还包括通过该粘接剂层，可将标签可取下地设在其上面的一个隔板。
-
公开(公告)号：CN1717285A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104054.2
申请日：2003-11-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B08B1/00 , H01L21/304 , G02F1/13 , H01L21/68
Abstract: 本发明公开了一种清洁元件，所述清洁元件在通过将清洁元件输送至装置内，清除装置内部的外来物质的过程中，不通过离子杂质污染基板处理装置。本发明还公开了一种清洁元件，所述清洁元件在通过将清洁元件输送至装置内，清除装置内部的外来物质的过程中，不通过金属杂质污染基板处理装置。具体地，公开了一种清洁片，所述清洁片的特征在于在支持体的一个表面上提供F－、Cl－、Br－、NO2－、NO3－、PO43－、SO42－、Na+、NH4+和K+的纯水提取量都为20ppm或更少(于120℃沸腾下提取1小时)，而在支持体的另一个表面上具有粘合剂层。本发明还公开了一种清洁片，其特征在于在支持体的一个表面上提供Na、K、Ca、Mg、Al、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Zn或其化合物的量以各自的金属元素计时各自为5ppm(μg/g)的清洁层，以及提供在另一侧上的粘合剂层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1589980A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410079435.6
申请日：2004-04-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B08B1/006 , B08B1/00 , B08B7/00 , B08B7/0028 , C11D3/162 , C11D17/049 , H05K3/26
Abstract: 包括清洁层和层压于该清洁层上的可剥离的保护膜的清洁片，其中当保护膜被从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O－，在清洁层中碎片离子CH3Si+，C3H9Si+，C5H15Si2O+，C5H15Si3O3+，C7H21Si3O2+，CH3SiO－，CH3SiO2－和Si+的相对强度为0.1或更少。
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.023 seconds)
