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公开(公告)号：CN114424318B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202080065164.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 蔡泰正 , 菲利普·艾伦·克劳斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文中所公开的实施方式包括单片式源阵列。在一个实施方式中，所述单片式源阵列包括：介电板，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述单片式源阵列可以更包括：多个凸部，从所述介电板的所述第一表面延伸出去，其中所述多个凸部及所述介电板是单片式结构。
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公开(公告)号：CN110622279B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201880029380.8
申请日：2018-04-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 菲利普·艾伦·克劳斯 , 蔡泰正 , 曼尼·苏布拉马尼
IPC: H01J37/32
Abstract: 实施方式包括方法和设备，所述方法和设备包括等离子体处理工具，所述等离子体处理工具包括多个磁体。在一个实施方式中，等离子体处理工具可包括处理腔室和耦接至处理腔室的多个模块化微波源。在实施方式中，多个模块化微波源包括位于形成处理腔室的外壁的一部分的电介质上的施加器阵列，和微波放大模块阵列。在实施方式中，每一微波放大模块耦接至施加器阵列中的施加器之一或更多者。在实施方式中，等离子体处理工具可包括多个磁体。在实施方式中，磁体围绕施加器之一或更多者定位。
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公开(公告)号：CN109564843B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201780047022.5
申请日：2017-01-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 菲利普·艾伦·克劳斯 , 蔡泰正
Abstract: 实施方式包括模块式微波源。在一个实施方式中，模块式微波源包括电压控制电路、电压控制振荡器，其中来自该电压控制电路的输出电压驱动电压控制振荡器中的振荡。模块式微波源也可包括耦接至电压控制振荡器的固态微波放大模块。在一个实施方式中，固态微波放大模块将来自电压控制振荡器的输出放大。模块式微波源也可包括耦接至该固态微波放大模块的施加器(applicator)，其中施加器是介电谐振器。
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公开(公告)号：CN110391128A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910320330.1
申请日：2019-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 汗赫·阮 , 蔡泰正 , 菲利普·艾伦·克劳斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述的实施方式包括一种处理工具，所述处理工具包括处理腔室、用于支撑所述处理腔室中的基板的吸盘、形成所述处理腔室的一部分的介电窗、以及模块化高频发射源。在一个实施方式中，所述模块化高频发射源包括多个高频发射模块。在一个实施方式中，每个高频发射模块包括振荡器模块、放大模块和施加器。在一个实施方式中，所述放大模块耦接到所述振荡器模块。在一个实施方式中，所述施加器耦接到所述放大模块。在一个实施方式中，所述施加器定位在所述介电窗附近。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110391127B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201910320328.4
申请日：2019-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 蔡泰正 , 克里斯蒂安·阿莫米诺 , 汗赫·阮 , 卡洛尔·贝拉 , 菲利普·艾伦·克劳斯
Abstract: 实施方式包括模块化高频发射源。在一个实施方式中，所述模块化高频发射源包括多个高频发射模块，其中每个高频发射模块包括振荡器模块、放大模块和施加器。在一个实施方式中，所述振荡器模块包括电压控制电路和电压受控的振荡器。在一个实施方式中，所述放大模块耦接到所述振荡器模块。在一个实施方式中，所述施加器耦接到所述放大模块。在一个实施方式中，每个高频发射模块包括不同的振荡器模块。
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公开(公告)号：CN114514794B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202080066589.9
申请日：2020-09-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·卡达希 , 理查德·C·福维尔 , 拉里·D·伊丽莎加 , 西尔瓦斯特·罗德里格斯 , 蔡泰正 , 菲利普·艾伦·克劳斯
Abstract: 本案公开的实施方式包括用于源组件的壳体。在一个实施方式中，壳体包括导电体与多个开口，导电体具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，多个开口穿过第一表面和第二表面之间的导电体的厚度。在一个实施方式中，壳体进一步包括进入导电体的第一表面的通道以及在所述通道之上的盖件。在一个实施方式中，盖件之上的第一杆远离第一表面延伸，以及盖件之上的第二杆远离第一表面延伸。在一个实施方式中，第一杆和第二杆通向通道。
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公开(公告)号：CN116848618A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202280012909.1
申请日：2022-01-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 蔡泰正 , 克里斯蒂安·巴伦西亚 , 王赤矿 , 贝纳切克·梅巴克 , 哈恩·阮 , 菲利普·艾伦·克劳斯
IPC: H01L21/285
Abstract: 本文公开的实施方式包括用于沉积石墨烯层的方法和设备。在一个实施方式中，一种在基板上沉积石墨烯层的方法包含：在模块化微波等离子体腔室之内提供基板，并且将碳源和氢源流入模块化微波等离子体腔室中。在一个实施方式中，方法进一步包含在模块化微波等离子体腔室中触发等离子体，其中基板温度低于约400℃，并且在基板上沉积石墨烯层。
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公开(公告)号：CN115692156A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211292228.3
申请日：2018-03-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 蔡泰正 , 法扎德·霍什曼德 , 克里斯汀·阿莫米诺 , 菲利普·艾伦·克劳斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 实施方式包含：等离子体处理工具，所述等离子体处理工具包含：处理腔室，及被耦接至该处理腔室的多个模块化微波源。在一实施方式中，该多个模块化微波源包含：施加器的阵列，所述施加器被设置在介电体上，该介电体形成该处理腔室的外壁的一部分。该施加器的阵列可被耦接至该介电体。此外，该多个模块化微波源可包含：微波放大模块的阵列。在一实施方式中，每一微波放大模块可被耦接至在施加器的阵列中的所述施加器中的至少一者。根据一实施方式，该介电体是平面的、非平面的、对称的，或非对称的。在又一实施方式中，该介电体可包含：多个凹部。在此一实施方式中，至少一个施加器可被设置在所述凹部的至少一者中。
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公开(公告)号：CN114514595A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202080066972.4
申请日：2020-09-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·卡达希 , 理查德·C·福维尔 , 拉里·D·伊丽莎加 , 西尔瓦斯特·罗德里格斯 , 弗拉基米尔克·尼亚齐克 , 菲利普·艾伦·克劳斯 , 蔡泰正
IPC: H01J37/32 , C23C16/511 , C23C16/455
Abstract: 本文公开的实施方式包括用于源阵列的外壳。在一个实施方式中，外壳包括导电体，其中导电体包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。在一个实施方式中，穿过导电体形成多个开口，并且在导电体的第二表面中设置通道。在一个实施方式中，盖在通道之上，并且盖包括穿过盖的厚度的第一孔。在一个实施方式中，外壳还包括穿过导电体的厚度的第二孔。在一个实施方式中，第二孔与通道相交。
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