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公开(公告)号:CN107004630A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201580067272.6
申请日:2015-12-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 米原隆夫 , 普拉文·K·纳万克尔 , 乔纳森·S·弗兰克尔
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本文中提供了用于全卷绕多孔硅形成的方法和系统。在一些实施方式中,用于全卷绕多孔硅形成的基板保持器可以包括:主体,所述主体沿主体的第一边缘具有锥形开口,其中锥形开口被配置为释放在由基板保持器支撑的基板上的多孔硅形成期间产生的副产物气体;第一真空通道,所述第一真空通道形成于主体中并延伸至主体的第一表面;以及第一密封元件,所述第一密封元件设置在主体的第一表面上并流体耦接至第一真空通道,其中当基板设置在第一密封元件上时,第一密封元件支撑基板。
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公开(公告)号:CN204809242U
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201390000752.7
申请日:2013-08-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 戴维·K·卡尔森 , 迈克尔·R·赖斯 , 卡尔蒂克·B·沙阿 , 卡什夫·马克苏德 , 普拉文·K·纳万克尔
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/683 , B05B1/005 , C30B25/08 , C30B25/14 , C30B29/06 , E05F1/00 , H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/67115 , H01L21/67173 , H01L21/67712 , H01L21/6776
Abstract: 本文提供一种供处理腔室中使用的气体喷射器和包括所述气体喷射器的基板处理工具。在一些实施方式中,供处理腔室中使用的气体喷射器可包括:第一组喷气孔,所述第一组喷气孔被配置成将第一工艺气体的喷射流提供至处理腔室中;和第二组喷气孔,所述第二组喷气孔被配置成将第二工艺气体的层流提供至处理腔室中,其中第一组喷气孔设置在第二组喷气孔的至少两个喷气孔之间。
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公开(公告)号:CN204809192U
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201390000751.2
申请日:2013-08-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 戴维·K·卡尔森 , 迈克尔·R·赖斯 , 卡尔蒂克·B·沙阿 , 卡什夫·马克苏德 , 普拉文·K·纳万克尔
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/683 , B05B1/005 , C30B25/08 , C30B25/14 , C30B29/06 , E05F1/00 , H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/67115 , H01L21/67173 , H01L21/67712 , H01L21/6776
Abstract: 本文提供一种用于移除排放气体的设备。在一些实施方式中,设备可包括:用于在基板处理工具中支撑一个或更多个基板的载体,所述载体具有第一排气出口和排气组件,所述排气组件包括:第一入口,所述第一入口设置于载体附近以从载体的第一排气出口接收工艺排气;第二入口,所述第二入口用来接收清洁气体;和出口,所述出口用来移除工艺排气和清洁气体。
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公开(公告)号:CN204809191U
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201390000749.5
申请日:2013-08-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 戴维·K·卡尔森 , 迈克尔·R·赖斯 , 卡尔蒂克·B·沙阿 , 卡什夫·马克苏德 , 普拉文·K·纳万克尔
CPC classification number: H01L21/683 , B05B1/005 , C30B25/08 , C30B25/14 , C30B29/06 , E05F1/00 , H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/67115 , H01L21/67173 , H01L21/67712 , H01L21/6776
Abstract: 本文提供一种供串联基板处理工具中使用的门和包括所述门的串联基板处理工具。在一些实施方式中,位于成线性排列耦接至彼此的第一基板处理模块与第二基板处理模块之间供串联基板处理工具中使用的门可包括反射体,所述反射体设置在实质透明材料的两个盖板之间,所述反射体被配置成将光和热能反射至第一基板处理模块和第二基板处理模块的每一个中,其中门是选择性地可移动的,所述门经由耦接至门的致动器在流体耦接第一基板处理模块和第二基板处理模块的打开位置与使第一基板处理模块与第二基板处理模块隔离的关闭位置之间移动。
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