用于全卷绕多孔硅形成的系统和方法

    公开(公告)号:CN107004630A

    公开(公告)日:2017-08-01

    申请号:CN201580067272.6

    申请日:2015-12-07

    Abstract: 本文中提供了用于全卷绕多孔硅形成的方法和系统。在一些实施方式中,用于全卷绕多孔硅形成的基板保持器可以包括:主体,所述主体沿主体的第一边缘具有锥形开口,其中锥形开口被配置为释放在由基板保持器支撑的基板上的多孔硅形成期间产生的副产物气体;第一真空通道,所述第一真空通道形成于主体中并延伸至主体的第一表面;以及第一密封元件,所述第一密封元件设置在主体的第一表面上并流体耦接至第一真空通道,其中当基板设置在第一密封元件上时,第一密封元件支撑基板。

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