公开(公告)号：CN101064139A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610115463.8

申请日：2006-08-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 细川哲夫 ,  冈室昭男

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/258 ,  G11B7/26

CPC classification number: G11B7/263 ,  G11B7/2403 ,  G11B7/24097 ,  G11B7/259 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713

Abstract: 提供了一种光学记录介质及其制造方法。光学记录介质包括：具有相位坑的基片；反射层，用于对发射到基片和相位坑的光束进行反射；以及反射层的光入射侧上的反射率减小层，用于减小反射层的反射率。形成介电层作为反射率减小层，以使得折射率改变。在另一变型例中，将金属层用作反射率减小层，所述金属层由具有比反射层折射率更高的折射率的金属膜形成。

公开(公告)号：CN1945713A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610153854.9

申请日：2003-01-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 青山信秀 ,  秋山良太 ,  森本宁章 ,  细川哲夫

IPC: G11B11/105 ,  G11B7/00 ,  G11B20/10

CPC classification number: G11B11/10584 ,  G11B7/0052 ,  G11B7/00718 ,  G11B7/0079 ,  G11B7/126 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/24085 ,  G11B11/10528 ,  G11B11/10543 ,  G11B11/10578 ,  G11B11/10597 ,  G11B20/0021 ,  G11B20/1217 ,  G11B20/1426 ,  G11B2007/0013 ,  G11B2020/1242 ,  G11B2020/1248 ,  G11B2020/1274 ,  G11B2020/1461

Abstract: 一种光信息记录介质。在同时读出ROM－RAM信息时，可以稳定地再生RAM信息。上述光信息记录介质具有：包括形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域的基板；以及形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜，上述ROM区域中的至少用户区域的上述相位凹坑的调制度为10％～37％，上述用户区域的相位凹坑的调制度优选为15％～25％。作为一种实施方式，使上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，λ是用于记录或再生的激光的波长)。

公开(公告)号：CN1650361A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN02829432.7

申请日：2002-08-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 细川哲夫

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10591 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10593

Abstract: 一种磁光记录媒体，其特征在于具有：基板；设置在该基板上，以Tb和FeCo为主成分，在室温下补偿组分或过渡金属占优势，且表现出垂直磁化的第1记录层；以及设置在上述第1记录层上，具有大于等于100℃的补偿温度，在室温下稀土类元素占优势，且表现出垂直磁化的第2记录层；在上述第1记录层和第2记录层的居里温度分别为Tc1、Tc2，室温下的矫顽力为Hc1、Hc2，膜厚为t1、t2时，有以下的关系：60℃＜Tc2＜Tc1，Hc1·t1＞Hc2·t2。

公开(公告)号：CN1615518A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN03802122.6

申请日：2003-01-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 青山信秀 ,  秋山良太 ,  森本宁章 ,  细川哲夫

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B20/1403 ,  G11B7/005 ,  G11B7/0079 ,  G11B7/126 ,  G11B7/1263 ,  G11B7/24085 ,  G11B11/1051 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10543 ,  G11B11/10554 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10597 ,  G11B20/10 ,  G11B2007/0013 ,  G11B2020/1259

Abstract: 一种记录装置，对于通过相位凹坑记录ROM信息、在上述相位凹坑的记录区域上重叠记录RAM信息的光信息记录介质，可以进行记录或者再现，具有能进行以下控制的主控制器：检测从光信息记录介质反射的激光的反射光，当在生成与ROM信息和RAM信息对应的信号的记录信息检测系统的输出中，同时具有与ROM信息和RAM信息对应的ROM信号和RAM信号时，利用上述记录信息检测系统的输出中的ROM信号，对半导体激光器的发光进行负反馈控制，并且通过实施控制，从检测上述激光强度的光强度检测系统的输出中获得所读取再现的ROM信号。

公开(公告)号：CN1615517A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN03802095.5

申请日：2003-01-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 青山信秀 ,  秋山良太 ,  森本宁章 ,  细川哲夫

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10584 ,  G11B7/0052 ,  G11B7/00718 ,  G11B7/0079 ,  G11B7/126 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/24085 ,  G11B11/10528 ,  G11B11/10543 ,  G11B11/10578 ,  G11B11/10597 ,  G11B20/0021 ,  G11B20/1217 ,  G11B20/1426 ,  G11B2007/0013 ,  G11B2020/1242 ,  G11B2020/1248 ,  G11B2020/1274 ,  G11B2020/1461

Abstract: 一种光信息记录介质。在同时读出ROM－RAM信息时，可以稳定地再现RAM信息。上述光信息记录介质具有：包括形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域以及形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜，上述ROM区域中的至少用户区域的上述相位凹坑的调制度为10％～37％，上述用户区域的相位凹坑的调制度优选为15％～25％。作为一种实施方式，使上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，λ是用于记录或再现的激光的波长)。