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公开(公告)号：CN1839439A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200380110443.6
申请日：2003-11-28
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 细川哲夫
IPC: G11B20/10 , G11B11/105 , G11B7/30
CPC classification number: G11B7/0079 , G11B7/14 , G11B7/24038 , G11B11/10515 , G11B11/10584 , G11B11/10597 , G11B20/10 , G11B27/329 , G11B2007/0013 , G11B2220/211 , G11B2220/235
Abstract: 一种光盘具有包含适于光盘上的音乐信息等的多路记录/再现的ROM和RAM部分的记录结构，已利用光反射率通过相位坑记录信息的ROM部分和可执行记录和再现的RAM部分被配置在多个层中，并且，被记录在ROM部分中的信息和被记录在RAM部分中的信息被同步再现。RAM部分被分割为可与ROM部分同步再现的多个信息记录区域。当从ROM部分再现音乐信息时，诸如来自各乐器的音乐的音乐信息以多路的方式被记录在RAM部分上，并在需要时以多路的方式被再现。
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公开(公告)号：CN1679100A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03819920.3
申请日：2003-03-28
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 细川哲夫
IPC: G11B11/105
CPC classification number: G11B11/10597 , G11B7/0079 , G11B7/0943 , G11B7/131 , G11B7/24085 , G11B11/10541 , G11B11/10576 , G11B11/10584 , G11B2020/1259 , G11B2220/211 , G11B2220/2525
Abstract: 一种磁光记录介质，至少由相位凹坑基板/电介质层/记录层/电介质层/反射层构成，可以同时再生ROM和RAM。该相位凹坑的形状被构造为5＜100×Ip/Im＜22，其中，Im和Ip分别是照射偏振方向水平于该介质的轨道方向的再生光时，在镜面上的反射电平以及最短标记的相位凹坑信号强度电平。由于可以把磁光记录/再生信号和相位凹坑信号的抖动抑制在最佳的范围内，因此可以提高同时再生ROM和RAM时的再生信号的质量。
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公开(公告)号：CN1625773A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02828957.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 细川哲夫
IPC: G11B11/105 , G11B7/24 , G11B7/007
CPC classification number: G11B7/24076 , G11B7/00718 , G11B7/24079 , G11B11/10543 , G11B11/10578 , G11B11/10584 , G11B11/10586
Abstract: 提供了一种光记录媒体和光记录装置，所述光记录媒体具有由凸脊和凹槽构成的记录道，在记录再现中使用的激光束的记录媒体面上的光束直径小于或等于0.7μm，其具有：包含交替形成的多个凸脊和多个凹槽的透明基板；以及，设置于该透明基板上的可光记录的记录层。当设前述各凸脊和各凹槽的边界中心高度上的凸脊宽度为w1、凸脊的平坦顶部宽度为w2、各凹槽的深度为d时，则0.4≤w2/w1≤0.8且25nm≤d≤45nm，至少所述各凸脊具有曲面形状的边缘部。
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公开(公告)号：CN1332390C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN03802122.6
申请日：2003-01-10
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B11/105
CPC classification number: G11B20/1403 , G11B7/005 , G11B7/0079 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24085 , G11B11/1051 , G11B11/10515 , G11B11/10543 , G11B11/10554 , G11B11/10584 , G11B11/10597 , G11B20/10 , G11B2007/0013 , G11B2020/1259
Abstract: 本发明涉及记录装置，该记录装置可以使用通过相位凹坑记录ROM信息、在上述相位凹坑的记录区域上重叠记录RAM信息的光信息记录介质，具有：发射光束的光源；记录信息检测系统，其检测从光信息记录介质反射来的上述光束的反射光，生成与ROM信息对应的ROM信号以及与RAM信息对应的RAM信号；光强度检测系统，其检测来自上述光源的光束强度；驱动器，其控制上述光源的光束强度；以及控制器，其再现记录在上述光信息记录介质上的ROM信息以及RAM信息。
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公开(公告)号：CN1308947C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN03802095.5
申请日：2003-01-10
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B11/105
CPC classification number: G11B11/10584 , G11B7/0052 , G11B7/00718 , G11B7/0079 , G11B7/126 , G11B7/24038 , G11B7/24085 , G11B11/10528 , G11B11/10543 , G11B11/10578 , G11B11/10597 , G11B20/0021 , G11B20/1217 , G11B20/1426 , G11B2007/0013 , G11B2020/1242 , G11B2020/1248 , G11B2020/1274 , G11B2020/1461
Abstract: 一种光信息记录介质。在同时读出ROM-RAM信息时，可以稳定地再生RAM信息。上述光信息记录介质具有：包括形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域的基板；以及形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜，上述ROM区域中的至少用户区域的上述相位凹坑的调制度为10%～37%，上述用户区域的相位凹坑的调制度优选为15%～25%。作为一种实施方式，使上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，λ是用于记录或再生的激光的波长)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1307634C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN02828957.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 细川哲夫
IPC: G11B11/105 , G11B7/24 , G11B7/007
CPC classification number: G11B7/24076 , G11B7/00718 , G11B7/24079 , G11B11/10543 , G11B11/10578 , G11B11/10584 , G11B11/10586
Abstract: 提供了一种光记录媒体和光记录装置，所述光记录媒体具有由凸脊和凹槽构成的记录道，在记录再现中使用的激光束的记录媒体面上的光束直径小于或等于0.7μm，其具有：包含交替形成的多个凸脊和多个凹槽的透明基板；以及，设置于该透明基板上的可光记录的记录层。当设前述各凸脊和各凹槽的边界中心高度上的凸脊宽度为w1、凸脊的平坦顶部宽度为w2、各凹槽的深度为d时，则0.4≤w2/w1≤0.8且25nm≤d≤45nm，至少所述各凸脊具有曲面形状的边缘部。
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公开(公告)号：CN1659654A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN02829526.9
申请日：2002-08-30
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 细川哲夫
IPC: G11B20/10 , G11B27/00 , G11B11/105
CPC classification number: G11B11/10584 , G11B7/0079 , G11B11/10597 , G11B13/04 , G11B13/045 , G11B20/10 , G11B20/10527 , G11B20/1403 , G11B27/034 , G11B27/10 , G11B27/105 , G11B27/3063 , G11B27/34 , G11B2005/0002 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021 , G11B2020/1062 , G11B2020/10962 , G11B2020/1259 , G11B2220/20 , G11B2220/211 , G11B2220/235 , G11B2220/2525
Abstract: 通过使用设有相位凹坑和记录层的可使ROM－RAM同时再生的存储介质来进行多重记录和同时再生。在利用并行ROM/RAM记录介质(3)再生ROM(8)的同时，向RAM(9)记录数据时，利用ROM(8)的记录开始和记录结束信号(86，89)来控制对于RAM的记录开始和结束。因此，可以相对于ROM(8)的内容使RAM(9)的内容的记录位置均衡，可以控制延迟，并可以容易地以低成本实现虚拟会话功能和多重记录功能。
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公开(公告)号：CN1474391A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03104710.6
申请日：2003-02-25
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B11/10582 , G11B7/24053 , G11B7/252 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B11/10584
Abstract: 一种记录介质，其包括：树脂基材，该基材具有第一热膨胀系数、中心孔、第一表面以及与该第一表面相对的第二表面；记录层，该记录层在该树脂基材的该第一表面上形成，并具有记录区、在该记录区内周边内侧形成的内侧非记录区、和在该记录区外周边外侧形成的外侧非记录区；和热变形抑制层，该热变形抑制层在该树脂基材的第二表面上形成，形成该热变形抑制层的区域为除了距离该中心孔预定范围的内周区域、该记录区和该外侧非记录区的区域。该热变形抑制层具有小于该第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN101064161A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610110651.1
申请日：2006-08-04
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 细川哲夫
IPC: G11B20/18 , G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/24
CPC classification number: G11B20/1258 , G11B7/22 , G11B19/04 , G11B20/10009 , G11B20/182 , G11B27/36 , G11B2020/1275 , G11B2020/1298 , G11B2220/215 , G11B2220/2537 , G11B2220/255 , G11B2220/2562
Abstract: 本发明公开了再现装置制造方法、记录介质以及计算机产品。将已知的错误信号记录在测试用记录介质中。当制造再现装置时，使用该测试用记录介质来检查再现装置中是否存在缺陷。
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公开(公告)号：CN1942958A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200480042807.6
申请日：2004-06-09
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 细川哲夫
IPC: G11B11/105
CPC classification number: G11B11/10515
Abstract: 本发明公开了一种记录介质。发明人对在读出RAM信息时从光检测器输出的电信号进行了观察。已经证实，该电信号包括具有相对较大的第一振幅值(b)的再现波形和具有小于第一振幅值(b)的第二振幅值(a)的再现波形。第二振幅值(b)的再现波形与第一振幅值(a)的再现波形同步。发明人披露了第一和第二振幅值之比与第一和第二双折射值之间的双折射差之间的相关性。满意的相关性使得能够在基于记录标记读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。这种类型的记录介质使得能够基于记录标记高精度地实现信息的记录和再现。
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