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公开(公告)号：CN1275248C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN99816585.9
申请日：1999-05-31
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B7/1353 , G11B7/22 , G11B11/10534 , G11B11/10545 , G11B11/10554 , G11B11/10576 , G11B11/1058
摘要： 本发明涉及一种基于光磁记录系统记录信息的记录头，目的在于通过减小照射在记录介质上的光束的束径来实现高密度记录。当比记录头直径大的光束被照射时，在光导层中该光束被聚光。利用尖头晶片将该光束进一步聚光。从晶片前端处小于光波长的发射孔发射该聚光的光束，并照射在记录介质上。
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公开(公告)号：CN1695188A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02829893.4
申请日：2002-12-13
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： G11B11/105
CPC分类号： G11B11/10582 , G11B7/0079 , G11B7/24038 , G11B7/26 , G11B11/10543 , G11B11/10578 , G11B11/10584 , G11B11/10597
摘要： 一种光磁记录介质，包括：具有ROM区域的基板，在该ROM区域上形成有成为ROM信号的多个相位凹坑；和形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜。位于各相位凹坑的深度的一半的±20％的位置上的相位凹坑端部的平均倾斜角度为10°～40°。各相位凹坑的宽度为300nm～500nm，各相位凹坑的调制度为10％～30％。
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公开(公告)号：CN1274150A
公开(公告)日：2000-11-22
申请号：CN00108347.3
申请日：2000-05-12
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： G11B7/135
CPC分类号： G11B7/1356 , G11B7/123 , G11B7/126 , G11B7/1353 , G11B7/22 , G11B11/10543
摘要： 公开一种重量轻的小型光信息存储装置和实现该光信息存储装置的光器件,该存储装置能够得到足够的写入光量,用在本发明光信息存储装置中的光器件包括:由部分圆柱面构成的分束面,来自光源的发射光经该光器件通过并指向光信息存储介质,该光器件从光信息存储介质的回程光中分出信号光。
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公开(公告)号：CN1206640C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN00108347.3
申请日：2000-05-12
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： G11B7/135
CPC分类号： G11B7/1356 , G11B7/123 , G11B7/126 , G11B7/1353 , G11B7/22 , G11B11/10543
摘要： 公开一种重量轻的小型光信息存储装置和实现该光信息存储装置的光器件，该存储装置能够得到足够的写入光量，用在本发明光信息存储装置中的光器件包括：由部分圆柱面构成的分束面，来自光源的发射光经该光器件通过并指向光信息存储介质，该光器件从光信息存储介质的回程光中分出信号光。
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公开(公告)号：CN1625771A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02828755.X
申请日：2002-04-15
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： G11B11/105
CPC分类号： G11B7/0079 , G11B11/10515 , G11B11/10521 , G11B11/10584 , G11B11/10597 , G11B20/10527 , G11B2020/10546 , G11B2020/1062 , G11B2020/10962 , G11B2020/1259 , G11B2020/1287 , G11B2020/1461 , G11B2020/1843
摘要： 本发明提供一种光学存储装置和光学存储介质的读出/写入方法。为了在连续播放光信息存储介质的ROM信息的同时，把与ROM信息相关联的新信息RAM记录在光信息存储介质中与ROM信息链接的位置，具有光学头(5)，该光学头(5)向在形成有相位凹坑的基板上形成了光磁记录膜的光信息记录介质(4)照射光，并从来自前述光信息记录介质的返回光中，检测出用前述相位凹坑调制后的光强度作为ROM信号，同时检测出前述返回光被前述光磁记录膜调制后的偏振光方向分量的差动振幅作为RAM信号；把前述ROM信号以n(n＞2)倍速读出，转换成基准速度输出，并且，以前述n倍速把与前述ROM相关联的输入信息作为RAM信息记录在规定的位置。
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公开(公告)号：CN1615522A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN03802121.8
申请日：2003-01-10
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： G11B20/10 , G11B7/30 , G11B11/105 , G06F12/14
CPC分类号： G11B11/10597 , G11B7/0079 , G11B20/00086 , G11B20/00094 , G11B20/00115 , G11B20/00152 , G11B20/0021 , G11B20/00507 , G11B20/00659 , G11B20/1262 , G11B2020/1259 , G11B2220/211 , G11B2220/2525
摘要： 本发明提供一种使用了能够同时读出ROM－RAM信息的光信息记录介质的安全系统，能够从该光信息记录介质接收数据，该光信息记录介质具有：记录用于特定介质的识别符号的段落符号记录区域、记录纯文本数据的ROM区域、和形成在对应所述ROM区域的区域上的记录有将所述纯文本数据加密后的加密数据的光磁记录膜，该系统能够使用用于对所述加密数据进行解密的解密程序的记录介质，并具有：根据按照特定所述光信息记录介质的识别符号的数据发送要求，接收所述加密数据的接收部；将由所述接收部接收的加密数据记录到所述记录介质中的记录部；和通过所述解密程序对被记录在所述记录介质中的加密数据进行解密的解密部。
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公开(公告)号：CN1378687A
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN99816585.9
申请日：1999-05-31
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B7/1353 , G11B7/22 , G11B11/10534 , G11B11/10545 , G11B11/10554 , G11B11/10576 , G11B11/1058
摘要： 本发明涉及一种基于光磁记录系统记录信息的记录头,目的在于通过减小照射在记录介质上的光束的束径来实现高密度记录。当比记录头直径大的光束被照射时,在光导层中该光束被聚光。利用尖头晶片将该光束进一步聚光。从晶片前端处小于光波长的发射孔发射该聚光的光束,并照射在记录介质上。
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公开(公告)号：CN1945713A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610153854.9
申请日：2003-01-10
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： G11B11/105 , G11B7/00 , G11B20/10
CPC分类号： G11B11/10584 , G11B7/0052 , G11B7/00718 , G11B7/0079 , G11B7/126 , G11B7/24038 , G11B7/24085 , G11B11/10528 , G11B11/10543 , G11B11/10578 , G11B11/10597 , G11B20/0021 , G11B20/1217 , G11B20/1426 , G11B2007/0013 , G11B2020/1242 , G11B2020/1248 , G11B2020/1274 , G11B2020/1461
摘要： 一种光信息记录介质。在同时读出ROM－RAM信息时，可以稳定地再生RAM信息。上述光信息记录介质具有：包括形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域的基板；以及形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜，上述ROM区域中的至少用户区域的上述相位凹坑的调制度为10％～37％，上述用户区域的相位凹坑的调制度优选为15％～25％。作为一种实施方式，使上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，λ是用于记录或再生的激光的波长)。
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公开(公告)号：CN1615518A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN03802122.6
申请日：2003-01-10
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： G11B11/105
CPC分类号： G11B20/1403 , G11B7/005 , G11B7/0079 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24085 , G11B11/1051 , G11B11/10515 , G11B11/10543 , G11B11/10554 , G11B11/10584 , G11B11/10597 , G11B20/10 , G11B2007/0013 , G11B2020/1259
摘要： 一种记录装置，对于通过相位凹坑记录ROM信息、在上述相位凹坑的记录区域上重叠记录RAM信息的光信息记录介质，可以进行记录或者再现，具有能进行以下控制的主控制器：检测从光信息记录介质反射的激光的反射光，当在生成与ROM信息和RAM信息对应的信号的记录信息检测系统的输出中，同时具有与ROM信息和RAM信息对应的ROM信号和RAM信号时，利用上述记录信息检测系统的输出中的ROM信号，对半导体激光器的发光进行负反馈控制，并且通过实施控制，从检测上述激光强度的光强度检测系统的输出中获得所读取再现的ROM信号。
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公开(公告)号：CN1615517A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN03802095.5
申请日：2003-01-10
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： G11B11/105
CPC分类号： G11B11/10584 , G11B7/0052 , G11B7/00718 , G11B7/0079 , G11B7/126 , G11B7/24038 , G11B7/24085 , G11B11/10528 , G11B11/10543 , G11B11/10578 , G11B11/10597 , G11B20/0021 , G11B20/1217 , G11B20/1426 , G11B2007/0013 , G11B2020/1242 , G11B2020/1248 , G11B2020/1274 , G11B2020/1461
摘要： 一种光信息记录介质。在同时读出ROM－RAM信息时，可以稳定地再现RAM信息。上述光信息记录介质具有：包括形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域以及形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜，上述ROM区域中的至少用户区域的上述相位凹坑的调制度为10％～37％，上述用户区域的相位凹坑的调制度优选为15％～25％。作为一种实施方式，使上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，λ是用于记录或再现的激光的波长)。
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