公开(公告)号：CN103986359B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201410050416.4

申请日：2014-02-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功

IPC: H02M7/487 ,  H02M7/5387

CPC classification number: H02M7/537 ,  H02M7/487 ,  H02M2001/342 ,  Y02B70/1491

Abstract: 一种电力转换装置，具备双向开关，该双向开关插入安装于串联连接且被相互关联地进行导通关断驱动来转换直流电压的一对或多对半导体开关元件的串联连接点与电源部之间，将上述半导体开关元件钳位在上述直流电压的中间电位点，该电力转换装置用于防止上述半导体开关元件进行关断动作时上述双向开关损坏。将上述半导体开关元件进行关断动作时在上述双向开关处产生的感应电动势抑制为上述双向开关开始正向恢复时的栅极电压与栅极阈值电压之差以下，从而防止上述双向开关正向恢复时的异常电压上升。

公开(公告)号：CN104145342B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380008904.2

申请日：2013-02-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395

Abstract: 在成为n‑漂移区(1a)的半导体基板的一个主面侧，设置有沟道栅MOS结构。在n‑漂移区(1a)的内部，设置有与构成沟道栅MOS结构的p基区(2a)的n‑漂移区(1a)侧接触的n壳区(13)。n壳区(13)具有比n‑漂移区(1a)高的杂质浓度。n壳区(13)中的n型的杂质的有效注入剂量为5.0×1012cm‑2以下。n‑漂移区(1a)具有施加以发射极为正极的反向的额定电压时，使得从另一个主面侧的p集电区(10a)扩展的耗尽层不能到达n壳区(13)和第一沟道(5)的底部中的离p集电区(10a)较近的一方的电阻率。

公开(公告)号：CN102804385B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180013762.X

申请日：2011-10-19

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397

Abstract: 在n?型偏移区（11）的表面中形成多个栅沟槽（13a,13b）。隔着栅沟槽（13a,13b）内壁上的栅氧化膜（14）而形成栅电极（15）。选择性地形成P?型基极区（12a,12b）从而在相邻的栅沟槽（13a，13b）之间的栅沟槽纵向彼此相邻。在p?型基极区（12a,12b）的表面层中形成n?型发射极区（16a）与栅沟槽（13a）相接触。在p?型基极区（12a）的表面层中也形成浓度比p?型基极区（12a）高的p?型接触区（17），从而与n?型发射极区（16a）的栅沟槽（13b）侧相接触。位于n?型发射极区（16a）的栅沟槽（13b）侧的边缘部分端接于p?型接触区内（17）。

公开(公告)号：CN103022115B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201210441210.5

申请日：2009-01-28

Applicant: 富士电机株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 百田圣自 ,  阿部和 ,  椎木崇 ,  藤井岳志 ,  吉川功 ,  今川铁太郎 ,  小山雅纪 ,  浅井诚

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。

公开(公告)号：CN103986359A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410050416.4

申请日：2014-02-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功

IPC: H02M7/487 ,  H02M7/5387

CPC classification number: H02M7/537 ,  H02M7/487 ,  H02M2001/342 ,  Y02B70/1491

Abstract: 一种电力转换装置，具备双向开关，该双向开关插入安装于串联连接且被相互关联地进行导通关断驱动来转换直流电压的一对或多对半导体开关元件的串联连接点与电源部之间，将上述半导体开关元件钳位在上述直流电压的中间电位点，该电力转换装置用于防止上述半导体开关元件进行关断动作时上述双向开关损坏。将上述半导体开关元件进行关断动作时在上述双向开关处产生的感应电动势抑制为上述双向开关开始正向恢复时的栅极电压与栅极阈值电压之差以下，从而防止上述双向开关正向恢复时的异常电压上升。

公开(公告)号：CN102522427B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110414104.3

申请日：2009-01-28

Applicant: 富士电机株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 百田圣自 ,  阿部和 ,  椎木崇 ,  藤井岳志 ,  吉川功 ,  今川铁太郎 ,  小山雅纪 ,  浅井诚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种半导体装置，在第1导电型基板的第1主面上形成：主电流流过的主活性区域以及第1主电极；和对流过上述主活性区域的上述主电流的变动进行检测的电流检测结构区域以及与上述第1主电极分离的第2主电极。在上述基板的第2主面上形成第3主电极，上述主活性区域具有第1沟槽栅极结构部，在上述第1沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第1虚拟沟槽结构部，上述电流检测结构区域具有第2沟槽栅极结构部，在上述第2沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第2虚拟沟槽结构部。上述主活性区域，在上述第1沟槽栅极结构部和上述第1虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第1虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第1主电极电绝缘的第1个第2导电型的层，且上述第1沟槽栅极结构部相互连接。上述电流检测结构区域，在上述第2沟槽栅极结构部和上述第2虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第2虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第2主电极电连接的第2个第2导电型的层，且上述第2沟槽栅极结构部和上述第1沟槽栅极结构部相互连接。

公开(公告)号：CN102804385A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201180013762.X

申请日：2011-10-19

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397

Abstract: 在n-型偏移区（11）的表面中形成多个栅沟槽（13a,13b）。隔着栅沟槽（13a,13b）内壁上的栅氧化膜（14）而形成栅电极（15）。选择性地形成P-型基极区（12a,12b）从而在相邻的栅沟槽（13a，13b）之间的栅沟槽纵向彼此相邻。在p-型基极区（12a,12b）的表面层中形成n-型发射极区（16a）与栅沟槽（13a）相接触。在p-型基极区（12a）的表面层中也形成浓度比p-型基极区（12a）高的p-型接触区（17），从而与n-型发射极区（16a）的栅沟槽（13b）侧相接触。位于n-型发射极区（16a）的栅沟槽（13b）侧的边缘部分端接于p-型接触区内（17）。

公开(公告)号：CN102263124A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110150675.0

申请日：2011-05-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功 ,  井口研一

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/404

Abstract: 本发明的目的在于提供具有减小的尺寸并展现卓越的阻断电压能力的半导体器件。本发明的半导体器件包括有源区10和隔离区30之间的边缘端接结构20，该边缘端接结构20包括正向偏压部40的边缘端接结构和反向偏压部50的边缘端接结构。多个场限制环(FLR)41、51以及多个场板(FP)44、54设置在正向偏压部40的边缘端接结构和反向偏压部的边缘端接结构中。多个FP 44的最靠近反向偏压部50的边缘端接结构的第一正向FP 45形成为朝隔离区30侧延伸。多个FP 54的最靠近正向偏压部40的边缘端接结构的第一反向FP 55形成为朝隔离区10侧延伸。第一反向FP 55在施加正向电压时终止耗尽层从有源区10扩展。第一正向FP 45在施加反向电压时终止耗尽层从隔离区30扩展。