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公开(公告)号：CN100550510C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200680022515.5
申请日：2006-06-22
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: H01P1/205 , H01P1/213 , C04B35/111
CPC classification number: H01P1/2136 , C04B35/119 , C04B35/478 , C04B35/49 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3293 , C04B2235/9607 , H01L41/187 , H01P1/2056
Abstract: 在用于基站通信装备的电介质滤波器(1)中，矩形实体的电介质块(2)设置有多个1/4波长谐振腔(3A1-3A4；3B1-3B4)，所述多个1/4波长谐振腔沿着电介质块的侧表面(2c、2d)设置，并相互平行且与侧表面(2c、2d)平行地延伸。电介质块(2)由具有5至20的相对电介质常数的电介质陶瓷制成，而在与电介质块(2)的侧表面(2c、2d)垂直相交的方向上的尺寸(H)是10至30mm。
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公开(公告)号：CN112912356A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201980070845.9
申请日：2019-10-29
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C04B35/593 , C04B35/64 , H05K1/03
Abstract: 一种氮化硅基板的制造方法，其特征在于，将包含氮化硅粉末和烧结助剂的多张生片以在它们之间夹持分离材料的方式层叠并烧结后进行分离，由此得到多张氮化硅烧结体，从而由氮化硅烧结体得到氮化硅基板，分离材料包含氮化硅粉。由于得到的氮化硅基板在表面不含氮化硼粉，因此在与铜接合时的热循环性优异。分离材料的通过BET法测定的比表面积为1m2/g以上且20m2/g以下，通过激光衍射散射法测定的体积基准的50％粒径D50为20μm以下，并且氧量为0.3重量％以上且低于2重量％，通过将分离材料以0.1mg/cm2以上且3mg/cm2以下的涂布量涂布在生片表面，能够得到热导率在室温下为80W/(m·K)以上、4点弯曲强度在室温下为800MPa以上的氮化硅基板。
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公开(公告)号：CN104736664B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201380053996.6
申请日：2013-10-17
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B35/6265 , C04B35/645 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/5409 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C09K11/0883 , F21K9/64 , F21V9/30 , H01L33/502
Abstract: 波长转换部件的制造方法，该波长转换部件包含多晶陶瓷，其特征在于，包括如下工序：A)将成为硅源的物质、成为铝源的物质、成为钙源的物质以及成为铕源的物质混合，B)烧成得到的混合物，得到氧氮化物荧光体粉末，然后C)在惰性气氛下烧结该氧氮化物荧光体粉末得到所述多晶陶瓷，所述烧结的所述氧氮化物荧光体粉末除氧以外具有由组成式：Cax1Eux2Si12‑(y+z)Al(y+z)OzN16‑z(其中，式中，x1、x2、y、z为：0＜x1≤3.40，0.05≤x2≤0.20，3.5＜y≤7.0，0≤z≤1)表示的组成，与由所述组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论氧含量相比，所述氧氮化物荧光体粉末的氧含量过剩，将由该组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论质量设为100质量％，该氧的过剩量为1.1～11.5质量％。提供波长转换部件，其通过被300nm～500nm的波长的光激发，在峰波长590nm至610nm的宽波长区域发出荧光，此时的转换效率大。提供了相比以往耐久性优异并且效率高的波长转换部件，另外，提供了组合了波长转换部件与半导体发光元件的发光装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103842473B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201280048350.4
申请日：2012-10-12
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C09K11/64 , C01B21/068 , C01B21/082 , C09K11/08 , C09K11/65
CPC classification number: C09K11/7728 , C01B21/0821 , C01B21/0826 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供氧氮化物荧光体粉末,其为由以下组成式：Cax1Eux2Sil2-(y+z)Al(y+z)OzN16-z（其中，式中，x1、x2、y、z为：0
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公开(公告)号：CN105247011A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480030239.1
申请日：2014-05-26
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7792 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/48095 , H01L2224/48472 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供氮氧化物荧光体粉末，其为具有565～577nm的主波长的α型塞隆系荧光体，且具有在实用时高的荧光强度及外部量子效率。本发明的氮氧化物荧光体粉末为以组成式：Cax1Eux2Ybx3Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(其中，式中，0.0＜x1≤2.0、0.0000＜x2≤0.0100、0.0000＜x3≤0.0100、0.4≤x2/x3≤1.4、1.0≤y≤4.0、0.5≤z≤2.0)表示的α型塞隆。
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公开(公告)号：CN102782085B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201180011395.X
申请日：2011-03-30
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883
Abstract: 提供光致发光荧光体的制造方法，其能够在以α-赛隆为主成分的氧氮化物荧光体中实现以蓝色LED为光源的白色LED的高亮度化。该α-赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法的特征在于将混合粉末在含有氮的惰性气体气氛中在1400～2000℃烧制，所述混合粉末含有松装密度为0.16～0.22g/cm3的无定形氮化硅粉末，并且是按照生成物以式MxSi12-(m+n)Al(m+n)OnN16-n:Lny表示而配混的混合粉末，M为选自Li、Ca、Mg、Y或者除La、Ce以外的镧系金属的至少一种金属，Ln为选自Eu、Dy、Er、Tb、Yb的至少一种镧系金属。
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公开(公告)号：CN103842473A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280048350.4
申请日：2012-10-12
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C09K11/64 , C01B21/068 , C01B21/082 , C09K11/08 , C09K11/65
CPC classification number: C09K11/7728 , C01B21/0821 , C01B21/0826 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供氧氮化物荧光体粉末,其为由以下组成式：Cax1Eux2Sil2-(y+z)Al(y+z)OzN16-z（其中，式中，x1、x2、y、z为：0
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公开(公告)号：CN102782085A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180011395.X
申请日：2011-03-30
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883
Abstract: 提供光致发光荧光体的制造方法，其能够在以α-赛隆为主成分的氧氮化物荧光体中实现以蓝色LED为光源的白色LED的高亮度化。该α-赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法的特征在于将混合粉末在含有氮的惰性气体气氛中在1400～2000℃烧制，所述混合粉末含有松装密度为0.16～0.22g/cm3的无定形氮化硅粉末，并且是按照生成物以式MxSi12-(m+n)Al(m+n)OnN16-n:Lny表示而配混的混合粉末，M为选自Li、Ca、Mg、Y或者除La、Ce以外的镧系金属的至少一种金属，Ln为选自Eu、Dy、Er、Tb、Yb的至少一种镧系金属。
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