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公开(公告)号：CN113668048A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110958466.2
申请日：2021-08-20
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种低电阻率重掺磷硅单晶生产装置及方法，属于硅单晶生产技术领域。该生产装置包括由石英材质制成的掺杂舟，所述掺杂舟包括红磷升华室及锗熔融室，以同时向硅熔液中掺杂磷及锗；所述红磷升华室的顶部开设若干红磷挥发孔，所述锗熔融室的底部开设若干锗渗漏微孔。掺杂红磷时，同时向硅熔液中掺杂单质锗，锗掺杂量为红磷掺杂量的1/14～3/14。实践表明，掺杂锗后，不仅不影响重掺磷硅单晶的性能，且能够有效提高低电阻率重掺磷硅单晶的整棒率，提高产品合格率，减少浪费。尤其地，生产电阻率为0.001Ω.cm以下的重掺磷硅单晶时，整棒率由不足10%提高至25%。
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公开(公告)号：CN215481413U
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202121974540.1
申请日：2021-08-20
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供的单晶炉石墨热屏，属于拉晶技术领域，包括：热屏主体、热屏环体、石英针挂块，热屏主体为上下开孔的筒体，热屏主体的下部设置热屏环体，热屏环体水平内置于热屏主体的内侧，并且热屏环体位于热屏主体的下部，热屏环体靠近内侧的上边缘设置卡台，卡台的中部设置有通孔，石英针挂块的截面形状与卡台的截面形状相同，卡台与石英针挂块卡合，石英针挂块上开设卡孔，热屏环体套设在热屏主体内，石英针挂块卡接在热屏环体的卡台内，石英针挂接在石英针挂块的卡孔内，一旦石英针挂块卡孔位置开裂，或所述热屏环体的卡台处开裂时，只需对石英针挂块、热屏环体进行更换即可，不用对整个单晶炉石墨热屏进行更换，降低了成本。
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公开(公告)号：CN215404652U
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202121380719.4
申请日：2021-06-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产装置，属于单晶硅生产技术领域。在搅拌器的下端设置螺旋桨叶，且螺旋桨叶的叶宽为坩埚半径的1/3～1/2，化料结束后，将搅拌器安装在所述重锤上，并使得所述螺旋桨叶伸入所述坩埚内进行搅拌，以降低单晶硅晶棒的头部氧含量。搅拌过程中，在所述螺旋桨叶的作用下，使得硅熔汤向中部汇集，形成中间略高、坩埚内壁处略低的液面，一方面降低安全风险，防止硅熔汤挂壁或溢出，另一方面，有利于进一步降低硅熔汤中的氧含量。
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公开(公告)号：CN212077194U
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202020413455.7
申请日：2020-03-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Inventor： 张兴茂
IPC: C30B15/04
Abstract: 一种单晶炉掺杂装置，涉及单晶炉部件技术领域，包括由上至下依次密封连接并连通的进料部、阻通部、出料部；进料部包括由上至下依次密封连接并连通的真空阀、第一法兰、第二法兰、料仓，料仓的入料口与第二法兰密封连接并连通，料仓的出料口与阻通部密封连接并连通。通过第一法兰和第二法兰的拆卸分离，料仓的入料口能够与外界连通，保证了本装置能够根据掺杂剂的实际需求不断添加，保证了在投掺过程中不会出现无掺杂剂可投的情况，进而保证不会因为投掺量的问题导致拉制出来的产品品质不合格。
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公开(公告)号：CN216639712U
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202123383164.1
申请日：2021-12-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉，包括主炉体、测温组件，所述主炉体的侧壁由内至外依次包括主保温层、中保温层和炉壁外层，在中保温层和炉壁外层上设有测温孔，所述测温孔沿主炉体的径向延伸，所述测温孔的一端贯通炉壁外层，所述测温孔的另一端不贯通主保温层，所述测温组件包括圆形测温玻璃、阻隔件，所述圆形测温玻璃盖合在测温孔位于炉壁外层一端的端面，所述阻隔件设有贯通的连接孔，所述阻隔件夹装在中保温层和炉壁外层之间的中空层中，所述阻隔件的连接孔与测温孔同轴，在中空层中安装阻隔件，阻隔件的设置能阻止中空层中的气体进入测温孔，避免测温玻璃被熏黑，解决了300mm单晶硅片掺砷拉晶工艺不稳的问题。
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