生产SiC单晶的方法和抑制SiC单晶中的位错的方法

    公开(公告)号:CN115787083A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211092838.9

    申请日:2022-09-08

    Abstract: 本发明涉及生产SiC单晶的方法和抑制SiC单晶中的位错的方法。通过以下生产SiC单晶:将硅与提高碳溶解度的金属性元素M的熔融合金浸入SiC烧结体中以形成SiC坩埚,将硅和M置于该坩埚中并加热该坩埚以熔化硅和M并形成Si‑C溶液,将硅和碳从与该溶液接触的该坩埚的表面溶解在该溶液中,使SiC籽晶与该溶液的顶部接触以通过溶液工艺在该SiC籽晶上生长第一SiC单晶,和通过升华或气体工艺在溶液生长的第一SiC单晶的面上大块生长第二SiC单晶。这个方法能够通过气相工艺生产低位错、高品质SiC单晶。

    制备用于锂离子电池的粒状正电极材料的方法

    公开(公告)号:CN102779997A

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN201210194396.9

    申请日:2012-05-11

    Abstract: 本发明涉及一种制备用于锂离子电池的粒状正电极材料的方法。通过如下方式制备用于锂离子电池的粒状正电极材料:将硫酸锰(II)、硫酸铁(II)和磷酸锂和/或磷酸氢锂分散在水中以形成浆料,在高压釜中进行水热反应以合成作为初级颗粒的锂化合物:LiMnxFe1-xPO4其中x=0.05至0.5,制备包合初级颗粒和有机物质的分散液,将分散液喷雾、造粒并干燥以形成平均颗粒尺寸为0.5-4μm的聚集颗粒,并将聚集颗粒在600-780℃下烧制用以碳化其中的有机物质,产生具有降低的碳含量的次级颗粒。

    用于制造磁记录介质衬底的方法

    公开(公告)号:CN1577511A

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN200410071639.5

    申请日:2004-07-15

    CPC classification number: G11B5/8404

    Abstract: 提供了一种用于制造磁记录介质的优选为小直径衬底的高效方法。更具体地说,提供了一种用于制造磁记录介质的衬底的方法,包括:取芯步骤,以从其直径至少为150mm至多为300mm的单晶硅晶片获得其外径至多为65mm的多个环形衬底,其中,内径和外径的取芯通过不同的方式来进行。在所述取芯步骤中,所述的内径取芯是通过水注切割或激光切割来进行的。

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