锌基合金真空离子镀铬工艺代替现行电镀铬工艺

    公开(公告)号:CN102787297B

    公开(公告)日:2014-06-11

    申请号:CN201210253921.X

    申请日:2012-07-20

    Abstract: 一种钢铁、锌基合金真空离子镀铬工艺代替现行电镀铬工艺,属于材料表面技术领域。其特征是:离子镀铬工艺代替现行电镀装饰铬工艺和离子镀超硬铬代替电镀硬铬。工件与真空室之间,施加有脉冲负变偏压,电压为100-2000V,膜层与工件之间有0.5-4微米(μ)的过渡层提高镀膜附着性,离子镀氮化锆、或氮化铬代替现行电镀装饰铬工艺中电镀镍层;离子镀铬或钴代替电镀装饰铬工艺中电镀铬层;离子镀超硬铬代替电镀硬铬,离子镀金属化合物光亮剂镀膜,如三氧化二鋁或二氧化硅提高离子镀膜光亮性。本发明的效果和益处是:膜层中没有Ni元素,对人体无害;没有三废排放无须治理;附着性好,致密性好,耐蚀性强,硬度高耐磨性好。

    钢铁、锌基合金真空离子镀铬工艺代替现行电镀铬工艺

    公开(公告)号:CN102787297A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201210253921.X

    申请日:2012-07-20

    Abstract: 一种钢铁、锌基合金真空离子镀铬工艺代替现行电镀铬工艺,属于材料表面技术领域。其特征是:离子镀铬工艺代替现行电镀装饰铬工艺和离子镀超硬铬代替电镀硬铬。工件与真空室之间,施加有脉冲负变偏压,电压为100-2000V,膜层与工件之间有0.5-4微米(μ)的过渡层提高镀膜附着性,离子镀氮化锆、或氮化铬代替现行电镀装饰铬工艺中电镀镍层;离子镀铬或钴代替电镀装饰铬工艺中电镀铬层;离子镀超硬铬代替电镀硬铬,离子镀金属化合物光亮剂镀膜,如三氧化二鋁或二氧化硅提高离子镀膜光亮性。本发明的效果和益处是:膜层中没有Ni元素,对人体无害;没有三废排放无须治理;附着性好,致密性好,耐蚀性强,硬度高耐磨性好。

    一种利用驻波共振耦合电能的磁控放电方法

    公开(公告)号:CN100532634C

    公开(公告)日:2009-08-26

    申请号:CN200710159083.9

    申请日:2007-12-18

    Abstract: 本发明公开了一种利用驻波共振耦合电能的磁控放电方法。其特征是在永磁体磁极上安置铁磁性的极靴改变阴极表面的磁场分布,在构成交叉场的磁场中磁场感应强度因在应在50mT-300mT的范围之内,电压的范围是在220-3000V之间,平行电极的方向上磁场和电场正交的交叉场放电形成等离子体静电驻波共振机制耦合电源能量,通过使用频率范围为5Hz-100kHz的高功率脉冲开关电源供电或者直接使用0-3000V的可调直流电源为放电系统提供电能。本发明的有益效果是系统具有结构简单、放电效率高的优点,应用于溅射镀膜时,能够提高薄膜沉积过程中的等离子体离化率,从而达到增强薄膜和基体的结合强度、保证沉积工艺的目的。

    一种用于超高功率脉冲非平衡磁控溅射的电源方法

    公开(公告)号:CN1948547A

    公开(公告)日:2007-04-18

    申请号:CN200610134219.6

    申请日:2006-11-06

    Abstract: 本发明公开发表了一种用于超高功率非平衡磁控溅射的电源方法,主要用于表面工程技术领域。其特征在于:采用球系开关组和脉冲形成线组控制和形成超高功率脉冲放电,实现超高功率的脉冲非平衡磁控溅射的溅射沉积;使用唯一的一个主电源系统供给多路脉冲形成线组和对应的球系开关组,为不同的非平衡磁控溅射靶供给高功率脉冲,实现扩展输出;同时实现微机智能控制,频率参数连续可调,能够防止过流、过压、过热的损害。本发明的优点是电源结构简单、电源稳定、控制方便、工作效率高、耐冲击、参数调节范围宽广、放电系统能够任意扩展,能够提高薄膜沉积过程中的等离子体离化率,从而达到增强薄膜和基体的结合强度、保证沉积工艺的目的。

    用于等离子体诊断的复合探针

    公开(公告)号:CN1380811A

    公开(公告)日:2002-11-20

    申请号:CN02109519.1

    申请日:2002-04-19

    Abstract: 一种新型的复合探针,用于高精度的、实时的与具有空间分辨力的等离子体参数测量,属于等离子体诊断技术领域。其特征在于将朗谬尔(Langmuir)单探针与差分发射探针集成安装在同一探针管内形成一种新型的复合探针,结合朗谬尔(Langmuir)单探针扫描电路、差分发射探针空间电位自动跟踪电路、矩形波脉冲发生电路、计算机接口电路与自动采集与分析数据的计算机软件,实现对等离子体参数的高精度实时测量。其特点是测量精度高、测量速度快、可获取等离子体参数时间与空间分布的信息,还可实时观察朗谬尔(Langmuir)单探针的伏安(V-I)特性曲线,广泛适用于等离子体的科学研究及等离子体的工业应用。

    测量真空离子镀和等离子体喷涂镀膜膜厚与均匀性的设备

    公开(公告)号:CN207487604U

    公开(公告)日:2018-06-12

    申请号:CN201720911904.9

    申请日:2017-07-26

    Abstract: 本实用新型公开了一种测量真空离子镀和等离子体喷涂镀膜膜厚与均匀性的设备。主要包括以下模块:数据采集分析模块,其功能有LIBS-LIF光谱数据采集;分析光谱数据判断沉积膜厚度;时序控制模块,其功能有控制两个激光器时序;时序控制示波器数据采集;时序调控LIBS-LIF发射光谱模块采集。LIBS-LIF双激光,其功能为产生并增强激光等离子体发射;烧蚀激光能量调控模块,其功能为在光斑能量空间分布保持不变的情况下调控烧蚀激光能量;烧蚀激光能量测量模块;激光能量探头;真空等离子体喷涂或真空离子镀沉积膜;基底材料;激光等离子体光谱收集模块;门宽可调控的ICCD光谱仪。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    等离子体源增强沉积设备
    27.
    实用新型

    公开(公告)号:CN2632095Y

    公开(公告)日:2004-08-11

    申请号:CN03211548.2

    申请日:2003-02-20

    Abstract: 等离子体源增强沉积设备属于等离子体表面物理气相沉积技术领域。等离子体源增强沉积设备由真空系统、加热系统、偏压电源、供气系统、工件传动系统以及等离子体源与真空弧、磁控溅射组成,由等离子体源提供气体离化的等离子体,在偏压作用下,载能离子清洗、活化和强化材料表面,并与真空弧、磁控溅射产生的金属离子合成薄膜,实现等离子体源强化-镀膜一体化技术。本实用新型设备设计适合工业应用的等离子体源,利于产业化技术。应用于机械,信息,建筑装璜等领域。尤其适用于深层强化和表面处理的工模具。

    一种摇摆回旋分散器装置
    28.
    实用新型

    公开(公告)号:CN206204409U

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201621335102.X

    申请日:2016-12-07

    Inventor: 牟宗信 张家良

    Abstract: 本实用新型公开一种摇摆回旋分散器装置,该装置至少包括有样品容器、激振器和柔性平台,激振器摇摆偏心锤,激振器通过弹性支架连接样品容器,控制激振器的摇摆频率在1Hz~10kHz之间和功率在5W以上,使得激振器能够把偏心锤的摆动能量施加到样品容器上,从而使样品容器内的粉体翻滚和回旋流动。通过调整偏心锤的频率和幅值,控制柔性平台连接样品容器中的粉体流动状态,能够避免粉体的剧烈振动,特别适合于需要颗粒粉体均匀分布翻滚的领域,比如在滚珠和颗粒粉体上真空离子镀均匀涂层,或者进行颗粒粉体表面喷涂处理,和在筛选和分离粒径差异的粉体等应用和领域。

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