公开(公告)号：CN113162613A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110581803.0

申请日：2021-05-24

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 常玉春 ,  周滔 ,  申人升 ,  冯国林 ,  王志硕 ,  刘岩 ,  娄珊珊 ,  钟国强 ,  曲杨 ,  程禹

IPC: H03L7/085 ,  H03L7/099

Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域，提供一种应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器，包括：斜坡发生器和控制信号生成电路；所述控制信号生成电路，用于对输入参考时钟信号和输出时钟信号进行采样和比较，生成包含有相位差信息的控制信号，用于斜坡发生器的充放电控制；所述斜坡发生器，包括：基准电流源、电压跟随器、第一电容、基准电压源、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。本发明能够实现线性的，连续的相位误差比较，降低相位误差比较器的量化噪声，实现低噪声锁相环。

公开(公告)号：CN111553121A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010375964.X

申请日：2020-05-07

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 常玉春 ,  刘岩 ,  马艳华 ,  娄珊珊 ,  杨刚 ,  宋辰昱

IPC: G06F30/33 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明涉及电路可靠性验证领域，提供一种层次化数字电路可靠性验证方法，包括：在BSIM 3v3模型中，由mosfet晶体管受HCI、NBTI和TDDB效应影响的阈值电压漂移△Vth的计算公式，形成能够评估mosfet晶体管性能变化情况的新BSIM 3v3模型；再利用SPICE仿真器调用新BSIM 3v3模型对只含有一个mosfet晶体管的电路进行仿真，从而产生退化的mosfet晶体管模型文件；在退化的mosfet晶体管模型文件的基础上经由单元库表征工具提取出退化的数字单元库；最后基于退化的数字单元库对数字电路进行分析，实现对大规模数字电路性能退化的预测。本发明能够节省大规模数字电路可靠性验证的时间。