公开(公告)号：CN114788032A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN201980102654.6

申请日：2019-12-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 古川浩之 ,  上野雅史 ,  鸟殿智惠 ,  上田吉裕

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  G09G3/20 ,  H01L27/32

Abstract: 在包含第一子像素、第二子像素以及第三子像素的显示装置中，使用与第一子像素对应的第一输入数据(ri)、与第二子像素对应的第二输入数据(gi)以及与第三子像素对应的第三输入数据(bi)，来生成与被供给至第一子像素的第一数据电压对应的第一输出数据(rs)，第一子像素包含发出第一颜色的光的量子点发光层，第二子像素包含发出第二颜色的光的量子点发光层，第三子像素包含发出第三颜色的光的量子点发光层。

公开(公告)号：CN114631200A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201980101668.6

申请日：2019-10-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田吉裕

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 发光元件(10)依次具备阳极(1)、EML(3)、ETL(4)和阴极(6)，在上述ETL和上述阴极之间的至少一部分具备IL(5)，上述IL(5)与上述ETL和上述阴极接触且相对介电常数为2以上且50以下。

公开(公告)号：CN102956769B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210286901.2

申请日：2012-08-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹冈忠士 ,  谷善彦 ,  荒木和也 ,  上田吉裕

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/00

Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，包括按以下顺序设置的n型氮化物半导体层、V表面坑产生层、中间层、多量子阱发光层和p型氮化物半导体层。该多量子阱发光层是通过交替堆叠势垒层和具有低于势垒层的带隙能量的阱层所形成的层。V表面坑部分地形成于多量子阱发光层中，且V表面坑的开始点的平均位置位于中间层中。

公开(公告)号：CN114616923B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN201980101919.0

申请日：2019-11-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田吉裕

IPC: H10K50/14 ,  H10K50/85

Abstract: 发光元件(10)具备AN(2)、HTL(3)、CA(7)、ETL(5)以及EML(6)，EML的至少一部分重叠在HTL和ETL中一方的一部分上，并且EML的一部分重叠在HTL和ETL中另一方的一部分上，在俯视观察时，HTL和ETL隔着EML而相对地设置。

公开(公告)号：CN112930607B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN201880098987.1

申请日：2018-10-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田吉裕

IPC: H10K50/115 ,  H10K50/15 ,  H05B33/14

Abstract: 发光元件具备：第一电极；第二电极；量子点层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，且包含量子点；以及空穴输送层，设置于所述量子点层与所述第一电极之间，且包含化合物ZnM2O4，构成元素M是金属元素。

公开(公告)号：CN114342560B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201980100045.7

申请日：2019-09-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 本田大辅 ,  上田吉裕

IPC: H05B33/14 ,  H10K50/13 ,  H10K50/115 ,  H05B33/10

Abstract: 发光元件(2)的发光层(8)包括配位于量子点(14、16)的卤素配体和有机配体。所述发光层包括空穴传输层(10)侧的第一区域(14A)和电子传输层(6)侧的第二区域(16A)。在所述第一区域中，所述卤素配体的浓度高于所述有机配体的浓度，在所述第二区域中，所述卤素配体的浓度低于所述有机配体的浓度。

公开(公告)号：CN114391187A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN201980100150.0

申请日：2019-09-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 岩田升 ,  内海久幸 ,  上田吉裕

IPC: H01L51/50 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14

Abstract: 一种场致发光元件(XR)，包括阳极(22)；阴极(25)；以及发光层，其设置于阳极(22)和阴极(25)之间，还包括：电子传输层(33)，其包含n型半导体颗粒(36)和第一绝缘性聚合物(37)；以及空穴传输层(30)，其包含p型半导体颗粒(34)，电子传输层(33)设置在阴极(25)与发光层之间，空穴传输层(30)设置于阳极(22)和发光层之间，电子传输层(33)中n型半导体颗粒(36)的体积比例小于空穴传输层(30)中p型半导体颗粒(34)的体积比例。

公开(公告)号：CN112930607A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201880098987.1

申请日：2018-10-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田吉裕

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 发光元件具备：第一电极；第二电极；量子点层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，且包含量子点；以及空穴输送层，设置于所述量子点层与所述第一电极之间，且包含化合物ZnM2O4，构成元素M是金属元素。

公开(公告)号：CN106169527B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201610341825.9

申请日：2016-05-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田吉裕 ,  伊藤茂稔

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明以低成本提供与作为氮化物半导体层的生长用衬底使用单晶蓝宝石衬底的情况相比元件特性维持现状或比现状提高的氮化物半导体发光元件。该氮化物半导体发光元件包括：作为主成分包含多晶二氧化硅或非晶二氧化硅的衬底；设置在衬底之上的基底层；和设置在衬底之上，具有至少一个由氮化物半导体单晶构成的层的层叠结构。基底层包含c轴取向的结晶，通过溅射法形成。

公开(公告)号：CN106169527A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610341825.9

申请日：2016-05-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田吉裕 ,  伊藤茂稔

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/0066

Abstract: 本发明以低成本提供与作为氮化物半导体层的生长用衬底使用单晶蓝宝石衬底的情况相比元件特性维持现状或比现状提高的氮化物半导体发光元件。该氮化物半导体发光元件包括：作为主成分包含多晶二氧化硅或非晶二氧化硅的衬底；设置在衬底之上的基底层；和设置在衬底之上，具有至少一个由氮化物半导体单晶构成的层的层叠结构。基底层包含c轴取向的结晶，通过溅射法形成。