公开(公告)号：CN105765780A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480064329.2

申请日：2014-11-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 鲁宇浩 ,  希达亚特·基什达尔约诺 ,  李宗霑 ,  大卫·R·埃文斯

IPC: H01M10/38 ,  H01M8/18 ,  H01M12/08

CPC classification number: H01M10/38 ,  H01M4/24 ,  H01M4/32 ,  H01M4/381 ,  H01M4/382 ,  H01M10/36

Abstract: 本发明提供碱金属/氧化剂电池和相关的产生电池容量的方法。在所述电池充电时，所述电池由包含还原的第一碱金属如锂(Li)、钠(Na)和钾(K)的负极制成。在电池充电状态下，电池的正极液包含成分如羟基氧化镍(NiOOH)，氧化镁(IV)(Mn(4+)O2)或羟基氧化铁(III)(Fe(3+)(OH)3)，以及碱金属氢氧化物。碱金属离子可渗透隔膜置于负极液和正极液之间。例如，如果正极液在电池放电状态下包含氢氧化镍(II)(Ni(OH)2)，则其在电池充电状态下包含NiOOH。继续这个实例，负极液可以包含放电状态下溶解的锂离子(Li+)，以及在电池充电状态下在负极上形成的固相还原的Li。

公开(公告)号：CN1469433A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03149086.7

申请日：2003-06-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 道格拉斯·詹姆斯·特威特 ,  许胜籘 ,  马哲申 ,  李宗霑

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  C30B31/22 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  Y10S438/933

Abstract: 一种在硅基片上制造Si1－xGex膜的方法包括：制备硅基片；在该硅基片上外延沉积Si1－xGex层，在其间形成Si1－xGex/Si界面；在高于Tc的温度下无定形化Si1－xGex层，以形成无定形化的、分级的SiGe层；在约650℃－约1100℃的温度下将无定形的、分级的SiGe层退火约10秒钟－约60分钟，以重结晶SiGe层。