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公开(公告)号：CN101159284A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710045938.5
申请日：2007-09-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成上电极的WOx电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铝互连工艺中层间钨栓塞，在钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞，位于孔洞中的钨栓塞氧化形成的WOx存储介质，以自对准方式形成金属上电极于所述的WOx存储介质之上和所述的牺牲介质层孔洞之中。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，减少工艺复杂度，可提高存储性能的可靠性和降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN1832219A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610025693.5
申请日：2006-04-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于电加工技术制备相变存储器的方法。该方法是在电介质上加一电信号，使电介质完全击穿，形成唯一的微小的孔洞；同时击穿产生的热量使相变材料熔化，填入其对应的孔洞中，从而形成3D结构式相变存储单元。本发明在存储器3D结构实现方面摆脱了光刻等传统技术，并能实现与集成电路制造工艺兼容。采用本发明制造相变存储器具有自对准、制造工艺简单、可阵列加工等优点。
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公开(公告)号：CN101226988B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200810032765.8
申请日：2008-01-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种减小CuxO电阻存储器写操作电流的方法。在生长CuxO存储介质前，沉积一薄层Ta或Al层(0.5nm～20nm)于Cu基体之上，然后进行等离子体氧化或热氧化，形成TaO/CuxO或AlO/CuxO复合结构，其中CuxO充当存储介质，TaO或AlO层等效于串联电阻，可以提高存储器低阻态阻值，降低写操作电流。在Cu基体上覆盖Ta或Al薄层后，在氧化过程中会阻挡过量氧等离子体或氧气与铜接触，避免不具有存储特性的CuO生成。另外，在CuxO层上覆盖一惰性介质层，可扩大上电极材料的选择范围，消除活泼电极材料跟CuxO材料的反应，提高器件稳定性。本发明工艺简便，成本低，可显著提高CuxO性能。
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公开(公告)号：CN101232076B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810032764.3
申请日：2008-01-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种消除CuxO电阻存储器形成电压的方法。生长完CuxO存储介质后，在N2、Ar、forming gas或真空等缺氧气氛中进行退火，表层CuO会由于缺氧而被还原成Cu2O，从而消除存储器第一次编程时的形成电压，降低写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的CuxO存储介质免受大电流破坏。本发明方法工艺简便，成本低，可显著改善CuxO电阻存储器的疲劳特性。
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公开(公告)号：CN101159310B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710047974.5
申请日：2007-11-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00 , H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中，作为存储介质的CuxO用湿法氧化方法制备，具体步骤为用一定浓度(10％到50％)的双氧水溶液，在一定温度(40度到80度)下接触暴露出的Cu引线表面，从而得到存储介质CuxO。本发明方法工艺简单，成本低，无污染，形成的存储介质均匀，且不会引入新的杂质，同时易于与集成电路的铜互连工艺集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101826595A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910046977.6
申请日：2009-03-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及金属氧化物不挥发存储器技术，具体涉及一种WOx基电阻型存储器及其制备方法，该WOx基电阻型存储器包括上电极、钨下电极、以及设置在上电极和钨下电极之间的WOx基存储介质，所述WOx基存储介质是通过对覆盖在钨下电极上的WSi化合物层氧化处理形成，其中，1＜x≤3。该发明提供的电阻型存储器能提高工艺可控性和器件可靠性，同时具有相对低功耗、数据保持特性好的特点。
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公开(公告)号：CN101179091A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710172173.1
申请日：2007-12-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/24 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体为一种可三维堆叠的WOx的电阻随机存储器结构及其制备方法。所述的存储器结构包括：一个选通管和若干个存储单元，存储单元之间通过并联方式与选通管相连并层叠与选通管之上，实现一个选通管控制多个存储单元的结构。本发明可以大大提高存储集成密度。
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公开(公告)号：CN101159310A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710047974.5
申请日：2007-11-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00 , H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中，作为存储介质的CuxO用湿法氧化方法制备，具体步骤为用一定浓度(10％到50％)的双氧水溶液，在一定温度(40度到80度)下接触暴露出的Cu引线表面，从而得到存储介质CuxO。本发明方法工艺简单，成本低，无污染，形成的存储介质均匀，且不会引入新的杂质，同时易于与集成电路的铜互连工艺集成。
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