公开(公告)号：CN114380583B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202210096854.9

申请日：2022-01-26

Applicant: 重庆恩辰新材料科技有限责任公司 ,  哈尔滨工业大学重庆研究院

Inventor： 杨治华 ,  张砚召 ,  周国相

IPC: C04B35/119 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/634 ,  B28B1/00 ,  B33Y70/10 ,  B33Y10/00

Abstract: 本发明属于陶瓷技术领域，提供一种陶瓷材料的制备方法，包括将氧化锆增韧氧化铝陶瓷坯体进行排胶、预烧、浸渍液浸泡和烧结处理；其中，浸渍液包括锆离子盐溶液、铝离子盐溶液和尿素。上述陶瓷材料的制备方法采用包括锆离子盐溶液、铝离子盐溶液和尿素的混合液作为浸渍液对氧化锆增韧氧化铝陶瓷坯体进行后处理，提高了陶瓷材料的致密度，克服了传统3D打印技术制备陶瓷制品硬度低的缺陷。

公开(公告)号：CN114874402B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210389144.5

申请日：2022-04-13

Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院

Inventor： 杨治华 ,  张砚召 ,  周国相 ,  贺云鹏 ,  周玉 ,  贾德昌

IPC: C08F283/10 ,  C08F283/00 ,  C08F283/01 ,  C08F226/10 ,  C08F222/14 ,  C08F222/20 ,  C08F220/28 ,  C08F2/48 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638

Abstract: 本发明属于3D打印技术领域，具体涉及一种光固化树脂基体、陶瓷浆料及其制备方法和应用。本发明提供了一种光固化树脂基体，包括如下质量百分含量的组分：光固化低聚物10％‑35％；活性稀释剂45‑84％；粘结剂5‑10％；光引发剂0.1‑5％；光吸收剂0.1‑5％；阻聚剂0.01‑1％，其中，所述光固化低聚物的数均分子量为200‑2000。本发明提供的光固化树脂基体，既满足了光固化3D打印技术对光敏特性的要求，也具有直写式3D打印技术要求的粘结或增塑的特性，并且光固化树脂基体还具有加热可软化的效应。另外，光引发剂以及光吸收剂的加入，提高了固化光源的有效范围，扩展了挤出线条的可固化直径。

公开(公告)号：CN115231928A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210614093.1

申请日：2022-05-31

Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院

Inventor： 杨治华 ,  贺云鹏 ,  周国相 ,  张砚召

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提供一种氮化铝陶瓷基板，其由无机粉体烧结获得，无机粉体包括主相材料和烧结助剂，主相材料为氮化铝粉体，其粒径分布按体积百分比包括：0.05‑0.2μm 16.26‑18.93％、0.2‑0.5μm 17.10‑18.21％、0.5‑1μm17.94‑17.96％、1‑2μm 22.55‑23.84％、2‑3.5μm 22.37‑24.86％。上述氮化铝陶瓷基板的制备方法包括如下步骤：将主相材料和烧结助剂球磨获得流延浆料；将流延浆料成型、排胶，在0.1‑0.3MPa的保护气压力下以1760‑1800℃保温烧结4‑6h。本发明通过主相材料和烧结助剂的配合提高了氮化铝陶瓷基板的热导率。

公开(公告)号：CN118125850A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410266780.8

申请日：2024-03-08

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  赵晓彤 ,  陈敏 ,  林坤鹏 ,  肖俊泽 ,  周唐雎尔 ,  张祎 ,  杨治华 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 一种短切KD‑SA型SiC纤维增强SiBCN‑MAS陶瓷的方法，它涉及SiBCN‑MAS陶瓷的制备方法。方法：一、制备具有BN涂层的SiC纤维；二、SiBCN‑MAS非晶粉体与纤维混合；三、制备SiCf/SiBCN‑MAS复合材料。本发明用于短切KD‑SA型SiC纤维增强SiBCN‑MAS陶瓷。

公开(公告)号：CN116283290B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202310208487.1

申请日：2023-03-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  张宇航 ,  张砚召 ,  周国相 ,  贺云鹏 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明属于陶瓷技术领域，具体涉及一种微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供的微波介质陶瓷材料，其化学组成为xLi0.5Nd0.5TiO3‑(1‑x)Sr0.61Nd0.26TiO3，其中0.55≤x≤0.65。本发明的微波介质陶瓷材料可以达到介电常数εr为100～121，品质因数Qf为4800～6800GHz，谐振频率温度系数τf为‑33～+50ppm/℃，其介电常数范围可调、品质因数高、温度稳定性好且绿色无污染。

公开(公告)号：CN116283290A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310208487.1

申请日：2023-03-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  张宇航 ,  张砚召 ,  周国相 ,  贺云鹏 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明属于陶瓷技术领域，具体涉及一种微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供的微波介质陶瓷材料，其化学组成为xLi0.5Nd0.5TiO3‑(1‑x)Sr0.61Nd0.26TiO3，其中0.55≤x≤0.65。本发明的微波介质陶瓷材料可以达到介电常数εr为100～121，品质因数Qf为4800～6800GHz，谐振频率温度系数τf为‑33～+50ppm/℃，其介电常数范围可调、品质因数高、温度稳定性好且绿色无污染。

公开(公告)号：CN115180957B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210812537.2

申请日：2022-07-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  牛波 ,  杨治华 ,  蔡德龙 ,  段文九 ,  段小明 ,  周玉

IPC: C04B35/583 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  H01Q1/42

Abstract: 一种具有优异热透波性能的六方氮化硼陶瓷的制备方法，涉及一种六方氮化硼陶瓷的制备方法。为了解决六方氮化硼陶瓷在高温下介电损耗随温度增加异常增加的问题。制备方法：称取h‑BN粉体和硅溶胶溶液，混合均匀后装入钢模具中，进行振荡预压处理，干燥处理将陶瓷干燥坯体放入石墨坩埚中进行气压烧结，获得织构指数为2000～8000的六方氮化硼陶瓷，作为热透波材料使用。本发明六方氮化硼陶瓷的织构指数为2000～8000和具有低缺陷浓度，能够防止高温下六方氮化硼陶瓷透波性能的异常衰减，具有优异的热透波性能。

公开(公告)号：CN111689778B

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202010611802.1

申请日：2020-06-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  朱启帅 ,  梁斌 ,  贾德昌 ,  杨治华 ,  蔡德龙 ,  段小明 ,  何培刚 ,  周玉

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/65 ,  C04B35/645

Abstract: 一种高致密SiBCN陶瓷材料及其制备方法，本发明涉及SiBCN陶瓷材料及其制备方法。本发明要解决现有机械合金化‑热压烧结法制备SiBCN陶瓷材料的密度低，尺寸小，生产效率低的问题。一种高致密SiBCN陶瓷材料由立方晶系的硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉制备而成。方法：称取立方晶系的硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉，并放入球磨罐中球磨，然后热压预烧结，最后封入包套进行热等静压，即完成高致密SiBCN陶瓷材料的制备。本发明用于高致密SiBCN陶瓷材料及其制备。

公开(公告)号：CN111960827B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202010876714.4

申请日：2020-08-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  关景怡 ,  贾德昌 ,  杨治华 ,  周玉

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明提供了一种多元BCN系高熵陶瓷粉体及其制备方法，涉及陶瓷粉体材料技术领域，所述多元BCN系高熵陶瓷粉体的制备方法，包括：将非金属陶瓷粉体与过渡金属均匀混合后经高能球磨后得到多元BCN系高熵陶瓷粉体。与现有技术比较，本发明一种多元BCN系高熵陶瓷粉体制备方法操作简单，可在常温下制备出具有单相面心立方结构的高熵陶瓷粉体，避免了其他制备工艺需要高温处理的步骤，且晶粒尺寸在5‑20nm，粉体纯度高，同时具有较高的热稳定性，其中四元、五元高熵陶瓷粉体在1300℃保温30min仍可保持晶粒细小的单相固溶体结构。

公开(公告)号：CN109851375B

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN201910096687.6

申请日：2019-01-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  廖兴祺 ,  贾德昌 ,  段小明 ,  何培刚 ,  王胜金 ,  蔡德龙 ,  周玉

IPC: C04B35/66 ,  C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种硅硼碳氮陶瓷复合材料及制备方法，所述硅硼碳氮陶瓷复合材料的制备方法，具体步骤为：将硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉混合，并在球磨罐中进行球磨，得到SiBCN非晶粉末；将所述SiBCN非晶粉末与钛增强相粉末混合，并在球磨罐中进行球磨，得到复合粉体；其中，所述钛增强相粉末包括TiB2粉和TiC粉，或，TiB和TiB2混合粉；将所述复合粉体进行热压烧结，得到所述硅硼碳氮陶瓷复合材料。本发明通过采用钛增强相作为增强相用于补强增韧硅硼碳氮陶瓷基体，可以显著提高硅硼碳氮陶瓷复合材料的抗弯强度与断裂韧性。