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公开(公告)号：CN118754648A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410943255.5
申请日：2024-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆恩辰新材料科技有限责任公司
IPC: C04B35/47 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 一种高品质因数、高介电常数的微波介质陶瓷材料及其制备方法，它属于陶瓷技术领域。本发明要解决现有微波介质陶瓷难以同时兼具高介电常数和高品质因数的问题。微波介质陶瓷材料，它的化学通式为SrTi1‑x(A0.5Ta0.5)xO3，其中A为Cr或Al，0
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公开(公告)号：CN117303867A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311199779.X
申请日：2023-09-15
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B35/78
Abstract: 本发明属于光固化打印技术领域，具体涉及一种改性辅助陶瓷粉体及其制备方法、陶瓷浆料和应用。本发明提供的改性辅助陶瓷粉体的制备方法，采用特定组成的铝盐溶胶对辅助陶瓷粉体进行包覆，可显著降低吸光度，应用于陶瓷劈刀的光固化3D打印成型中，使得高吸光度粉体的紫光吸收作用减小，从而更多的紫光能量被光敏树脂吸收，促进了陶瓷浆料固化，提高了坯体固化深度。通过改性处理，改善了辅助陶瓷粉体的高紫外光吸收率，降低了陶瓷浆料的固化宽度，从而提高了陶瓷劈刀的成型精度。
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公开(公告)号：CN117447212A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311355482.8
申请日：2023-10-18
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/628 , C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/632 , B33Y70/10 , B33Y80/00 , B33Y50/00
Abstract: 本发明属于光固化打印技术领域，具体涉及一种陶瓷粉体改性方法、陶瓷浆料及应用。本发明通过对陶瓷粉体进行表面功能化修饰，改善粉体折射率，进一步提高了浆料的固化深度，在光固化辅助直写打印成型陶瓷劈刀坯体时，可以满足陶瓷劈刀坯体壁厚的固化。使用功能性修饰的陶瓷粉体制备的陶瓷浆料能够降低陶瓷劈刀表面粗糙度，使挤出成形的陶瓷劈刀表面粗糙度Ra降低至0.15μm以下(目前使用光固化3D打印制备陶瓷坯体表面的波动范围约为5μm)，实现了陶瓷坯体表面均匀平整，解决了直写成形的陶瓷劈刀表面精度难以提高的问题，从而避免陶瓷劈刀的表面粗糙度值过大而导致焊嘴面沾污，延长了劈刀的使用寿命，以及减少金属焊线磨损。
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公开(公告)号：CN117362049A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311256558.1
申请日：2023-09-26
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/626 , C04B35/465 , C04B35/622 , B33Y70/10
Abstract: 本发明属于光固化打印技术领域，具体涉及一种陶瓷粉体的改性方法、微波介质陶瓷浆料及其制备方法和应用。本发明通过对陶瓷粉体进行表面功能化修饰，硅氧烷基团可以接枝在陶瓷粉体表面，接枝在陶瓷粉体表面裸露出丙烯酸酯基团，使得陶瓷粉体具有光敏特性，该光敏基团可以与陶瓷浆料中使用的光敏树脂中的丙烯酸酯基团进行聚合反应以进而提高陶瓷浆料的固化性能，可以大大降低陶瓷粉体折射率，在零误固化宽度下，提高浆料的增宽固化深度Db，同时，提高光固化打印时的固化层厚，使得层间界面的数量减少，层间界面上的孔隙缺陷数量减少，致密度和品质因数得以提高。浆料较高固化深度还有助于提高打印效率，促进光固化3D打印射频器件的工业化生产。
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公开(公告)号：CN117185825B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202311071130.X
申请日：2023-08-23
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64 , H01L23/29
Abstract: 本发明属于氮化硅陶瓷材料技术领域，具体涉及一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法和应用。本发明通过无机粉体中各原料的配合以及用量的调整，提供了一种高热导率、高强度、高韧性、色泽均一的氮化硅陶瓷基板，以α‑Si3N4为主相材料，掺杂具有固定长径比的β‑Si3N4纤维为第一副相材料，单晶纳米金刚石为第二副相材料，并添加烧结助剂xRE2O3‑(1‑x)MgAl2O4，复合着色剂aFe2O3‑bCr2O3‑cEr2O3‑dWO3，采用织构化成型技术和气压烧结工艺，制备出了高性能、高可靠性和稳定性的氮化硅陶瓷基板，有助于推动实现氮化硅陶瓷基板的产业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119019157A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411248732.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学 , 重庆恩辰新材料科技有限责任公司
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/48 , C04B35/14 , C04B35/04 , C04B35/50 , C04B35/584 , C04B35/583 , C04B35/581 , C04B35/56 , C04B35/12 , B33Y80/00 , B33Y70/10 , B33Y10/00
Abstract: 一种大尺寸光固化3D打印陶瓷及其制备方法，它涉及一种3D打印陶瓷及其制备方法。本发明要解决现有立体光固化技术中大尺寸坯体固化不完全引起的较低的机械性能和热稳定性，内外温差引起的变形及开裂问题。一种大尺寸光固化3D打印陶瓷由陶瓷粉体、增强相粉体、光敏树脂单体、环氧‑酸酐预聚物、导热剂、分散剂、热引发剂和光引发剂制备而成；方法：一、环氧‑酸酐预聚物的制备；二、陶瓷光敏浆料的制备；三、大尺寸模型打印；四、坯体后处理。本发明用于大尺寸光固化3D打印陶瓷及其制备。
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公开(公告)号：CN117185825A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311071130.X
申请日：2023-08-23
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64 , H01L23/29
Abstract: 本发明属于氮化硅陶瓷材料技术领域，具体涉及一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法和应用。本发明通过无机粉体中各原料的配合以及用量的调整，提供了一种高热导率、高强度、高韧性、色泽均一的氮化硅陶瓷基板，以α‑Si3N4为主相材料，掺杂具有固定长径比的β‑Si3N4纤维为第一副相材料，单晶纳米金刚石为第二副相材料，并添加烧结助剂xRE2O3‑(1‑x)MgAl2O4，复合着色剂aFe2O3‑bCr2O3‑cEr2O3‑dWO3，采用织构化成型技术和气压烧结工艺，制备出了高性能、高可靠性和稳定性的氮化硅陶瓷基板，有助于推动实现氮化硅陶瓷基板的产业化。
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公开(公告)号：CN116375464B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310310587.5
申请日：2023-03-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及温度稳定型中介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法。其中，温度稳定型中介电常数微波介质陶瓷材料，其化学组成为(1‑x)MgTiO3‑xCaTi1‑yHfyO3，其中，0.06≤x≤0.3，0.05≤y≤0.9。较于0.95MgTiO3‑0.05CaTiO3复相微波介质陶瓷，本发明制备得到的温度稳定型中介电常数微波介质陶瓷材料的介电常数有了明显的提高；通过调整特定成分配比，本发明的温度稳定型中介电常数微波介质陶瓷材料的介电常数εr在21～32之间连续可调。
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公开(公告)号：CN114380583B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210096854.9
申请日：2022-01-26
Applicant: 重庆恩辰新材料科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: C04B35/119 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/634 , B28B1/00 , B33Y70/10 , B33Y10/00
Abstract: 本发明属于陶瓷技术领域，提供一种陶瓷材料的制备方法，包括将氧化锆增韧氧化铝陶瓷坯体进行排胶、预烧、浸渍液浸泡和烧结处理；其中，浸渍液包括锆离子盐溶液、铝离子盐溶液和尿素。上述陶瓷材料的制备方法采用包括锆离子盐溶液、铝离子盐溶液和尿素的混合液作为浸渍液对氧化锆增韧氧化铝陶瓷坯体进行后处理，提高了陶瓷材料的致密度，克服了传统3D打印技术制备陶瓷制品硬度低的缺陷。
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公开(公告)号：CN116283290B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310208487.1
申请日：2023-03-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明属于陶瓷技术领域，具体涉及一种微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供的微波介质陶瓷材料，其化学组成为xLi0.5Nd0.5TiO3‑(1‑x)Sr0.61Nd0.26TiO3，其中0.55≤x≤0.65。本发明的微波介质陶瓷材料可以达到介电常数εr为100～121，品质因数Qf为4800～6800GHz，谐振频率温度系数τf为‑33～+50ppm/℃，其介电常数范围可调、品质因数高、温度稳定性好且绿色无污染。
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