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公开(公告)号:CN101610082A
公开(公告)日:2009-12-23
申请号:CN200910072512.8
申请日:2009-07-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H03L7/08
Abstract: 应用于锁相环中的源极开关型电荷泵。它涉及集成电路领域,它解决了现有传统的源极开关型电荷泵所存在的动态失配的问题。它的充电电流电路和充电电流关断加速电路的充电信号输入端分别输入充电控制信号;充电电流关断加速电路的加速信号输出端接充电电流电路的加速信号输入端;放电电流电路和放电电流关断加速电流的放电信号输入端分别输入放电控制信号DN;放电电流关断加速电流的加速信号输出端同时接放电电流电路的加速信号输入端和速度补偿电容CslowN的一端;速度补偿电容CslowN的另一端接地,充电电流电路和放电电流电路的输出端同为电流输出端Iout。将本发明应用到锁相环中时,可以有效降低电荷泵失配所引起的参考杂散,改善锁相环输出信号的频率纯度。
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公开(公告)号:CN115603767A
公开(公告)日:2023-01-13
申请号:CN202211229211.3
申请日:2022-10-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(CN)
Abstract: 本发明公开了一种宽带可调谐接收机,所述接收机包括低噪声放大器单元、混频器单元、有源低通滤波器单元,其中:混频器单元包括混频器1和混频器2;有源低通滤波器单元包括有源低通滤波器1和有源低通滤波器2;低噪声放大器的输出正端同时连接混频器1、混频器2的输入正端,输出负端同时连接混频器1、混频器2的输入负端;混频器1的输出负端连接有源低通滤波器1的输入正端,输出正端连接有源低通滤波器1的输入负端;混频器2的输出负端连接有源低通滤波器2的输入正端,输出正端连接有源低通滤波器2的输入负端。本发明在实现了信号接收、下变频、杂波抑制的基础上,具有高增益、高带宽、高线性度、低噪声的特性。
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公开(公告)号:CN114785322A
公开(公告)日:2022-07-22
申请号:CN202210507961.6
申请日:2022-05-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种注入锁定环形振荡器,所述振荡器包括3级延时单元,每级延迟单元包括主输入环路和辅助输入环路,结构均相同。本发明包括3个交叉相连的差分延迟单元,通过调整差分延迟单元连接方式,实现输入信号在一个周期内翻转两次,减少了级联个数,增大了振荡频率。差分延迟单元使用复合负载结构减小了输出端阻抗,进一步增大了振荡器的振荡频率,并达到更宽的调谐范围。本发明在PMOS晶体管上施加控制电压增加电压摆幅并减小1/f噪声。本发明在注入锁定电路的基础上增加了辅助环路技术、复合负载技术并修改了电压控制模式。本发明去除了尾电流管,适用于低压工艺,振荡频率大且调谐范围广,可适用于全数字锁相环。
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公开(公告)号:CN114759902A
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN202210459114.7
申请日:2022-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种带外抑制可配置N‑path带通滤波器,所述滤波器包括八条滤波通道,每条滤波通道的结构均相同,且每条滤波通道的输入端相接,输出端相接;所述每条滤波通道内包括一次混频器、RC低通模块、二次混频器;所述每条滤波通道的输入端为一次混频器,滤波器的输入信号与一次混频器的输入端相接,一次混频器的输出端与RC低通模块的输入端相接,RC低通模块的输出端与二次混频器的输入端相接,二次混频器的输出端与滤波器的电路输出端相接。该滤波器在实现了N‑path带通滤波器中心频率可调谐的基础上,实现N‑path带通滤波器内部低通滤波器阶数可配置,从而实现对N‑path带通滤波器带外抑制可配置的特点。
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公开(公告)号:CN114006603A
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN202111290261.8
申请日:2021-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种可重构N‑path型滤波器,所述滤波器包括四条滤波通道,每条滤波通道的结构均相同,且每条滤波通道的输入端相接,输出端相接;每条滤波通道内包含混频器x1、混频器x2、选通电容x1、选通电容x2和中间级滤波单元,滤波器的输入信号与混频器x1和选通电容x1的输入端相接,混频器x1的输出端与中间级滤波单元的输入端相接,中间级滤波单元的输出端与混频器x2的输入端相接,混频器x2的输出端与选通电容x2和滤波器的电路输出端相接。该滤波器避免了现有N‑path型滤波电路结构单一或配置复杂的问题,在实现滤波器中心频率可调谐、通带带宽可调的基础上,实现了低通、带通或带阻滤波器电路可重构的特点。
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公开(公告)号:CN113300694A
公开(公告)日:2021-08-24
申请号:CN202110614004.9
申请日:2021-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H03K17/689
Abstract: 本发明公开了一种超宽带低损耗高隔离的全差分结构射频开关,所述全差分结构射频开关由第一CMOS传输门TR_GATE1、第二CMOS传输门TR_GATE2、第三CMOS传输门TR_GATE3和第四CMOS传输门TR_GATE4四个CMOS传输门组成,其中:所述第一CMOS传输门TR_GATE1和第四CMOS传输门TR_GATE4组成主传输通路,第二CMOS传输门TR_GATE2和第三CMOS传输门TR_GATE3组成交叉传输通路。本发明的射频开关实现了工作带宽大、低插入损耗、高隔离度,转换时间很短,并且线性度较高,功率处理能力强。
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公开(公告)号:CN111756348A
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN202010562205.4
申请日:2020-06-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种跨导电容可配置N-path带通滤波器,所述滤波器包括N-path带通滤波器、四相位时钟源、Gm-C低通滤波器和数字控制信号接口,其中:N-path带通滤波器的输入端为跨接电容组;带通滤波通道N-path1和N-path2连接跨接电容组的同相输出端口;四相位时钟源的时钟输出连接至N-path带通滤波器;跨导Gm-C低通滤波器连接N-path带通滤波器的差分输出端口;数字控制信号接口连接至跨接电容组、N-path带通滤波器、可配置跨导Gm-C低通滤波器。该滤波器避免了现有技术中N-path滤波器的通带带宽不足、线性度不佳、谐波失真大、带内纹波大的特点,在实现宽范围中心频率调谐的基础上,实现通带带宽可调、带内纹波可调的功能。
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公开(公告)号:CN103633940B
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201310626620.1
申请日:2013-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H03B5/18
Abstract: 本发明公开了一种有源电感型压控振荡器,所述振荡器主要包括LC谐振回路,负阻电路;LC谐振回路主要是由第一有源电感、第二有源电感和电容组成,负阻电路包括第一NMOS管、第二NMOS管和偏置电流源,第一NMOS管、第二NMOS管以交叉耦合方式连接,通过调整偏置电流源改变负阻的大小,用于补充LC谐振回路能量的损失;有源电感与电容构成等效LC谐振电路,通过调整有源电感电感值,来实现振荡器中心频率的调谐;本发明电路调谐带宽大,简洁方便,节约芯片面积。
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公开(公告)号:CN115603767B
公开(公告)日:2025-02-11
申请号:CN202211229211.3
申请日:2022-10-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带可调谐接收机,所述接收机包括低噪声放大器单元、混频器单元、有源低通滤波器单元,其中:混频器单元包括混频器1和混频器2;有源低通滤波器单元包括有源低通滤波器1和有源低通滤波器2;低噪声放大器的输出正端同时连接混频器1、混频器2的输入正端,输出负端同时连接混频器1、混频器2的输入负端;混频器1的输出负端连接有源低通滤波器1的输入正端,输出正端连接有源低通滤波器1的输入负端;混频器2的输出负端连接有源低通滤波器2的输入正端,输出正端连接有源低通滤波器2的输入负端。本发明在实现了信号接收、下变频、杂波抑制的基础上,具有高增益、高带宽、高线性度、低噪声的特性。
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公开(公告)号:CN114785322B
公开(公告)日:2024-11-05
申请号:CN202210507961.6
申请日:2022-05-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种注入锁定环形振荡器,所述振荡器包括3级延时单元,每级延迟单元包括主输入环路和辅助输入环路,结构均相同。本发明包括3个交叉相连的差分延迟单元,通过调整差分延迟单元连接方式,实现输入信号在一个周期内翻转两次,减少了级联个数,增大了振荡频率。差分延迟单元使用复合负载结构减小了输出端阻抗,进一步增大了振荡器的振荡频率,并达到更宽的调谐范围。本发明在PMOS晶体管上施加控制电压增加电压摆幅并减小1/f噪声。本发明在注入锁定电路的基础上增加了辅助环路技术、复合负载技术并修改了电压控制模式。本发明去除了尾电流管,适用于低压工艺,振荡频率大且调谐范围广,可适用于全数字锁相环。
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