公开(公告)号：CN113300694A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110614004.9

申请日：2021-06-02

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高志强 ,  王蒙

IPC: H03K17/689

Abstract: 本发明公开了一种超宽带低损耗高隔离的全差分结构射频开关，所述全差分结构射频开关由第一CMOS传输门TR_GATE1、第二CMOS传输门TR_GATE2、第三CMOS传输门TR_GATE3和第四CMOS传输门TR_GATE4四个CMOS传输门组成，其中：所述第一CMOS传输门TR_GATE1和第四CMOS传输门TR_GATE4组成主传输通路，第二CMOS传输门TR_GATE2和第三CMOS传输门TR_GATE3组成交叉传输通路。本发明的射频开关实现了工作带宽大、低插入损耗、高隔离度，转换时间很短，并且线性度较高，功率处理能力强。

公开(公告)号：CN113300694B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110614004.9

申请日：2021-06-02

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高志强 ,  王蒙

IPC: H03K17/689

Abstract: 本发明公开了一种超宽带低损耗高隔离的全差分结构射频开关，所述全差分结构射频开关由第一CMOS传输门TR_GATE1、第二CMOS传输门TR_GATE2、第三CMOS传输门TR_GATE3和第四CMOS传输门TR_GATE4四个CMOS传输门组成，其中：所述第一CMOS传输门TR_GATE1和第四CMOS传输门TR_GATE4组成主传输通路，第二CMOS传输门TR_GATE2和第三CMOS传输门TR_GATE3组成交叉传输通路。本发明的射频开关实现了工作带宽大、低插入损耗、高隔离度，转换时间很短，并且线性度较高，功率处理能力强。