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公开(公告)号：CN105502315A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610060579.X
申请日：2016-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , B82Y40/00
CPC classification number: C01B21/0685 , C01P2002/10 , C01P2002/72 , C01P2004/03
Abstract: 一种原位-非原位同时生长超长氮化硅纳米材料的方法，涉及一种氮化硅纳米材料的制备方法。本发明是为了解决目前超长氮化硅纳米材料的制备方法需要催化剂，导致产物纯度不高，影响纳米线的高温性能及后续应用、反应条件较为苛刻，如加压、通入易燃性气体等，导致操作安全性较低，对设备要求较高的技术问题。本发明：一、制备预制粉体；二、煅烧。本发明操作过程较为简单、设备要求低、安全系数高等。本发明应用于制备超长氮化硅纳米材料。
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公开(公告)号：CN117862619A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410203328.7
申请日：2024-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于强迫发汗技术的C/C复合材料主动冷却系统的制备方法，本发明是要解决无机非金属基主动冷却结构可靠性和冷却效率较低等问题。制备方法：一、采用致密化工艺使C/C复合材料高度致密化；二、将致密化C/C复合材料固定于电火花高速穿孔机的工作台上；三、利用脉冲电源放电产生的高能量在C/C复合材料上加工出微通道；四、加工微通道阵列；五、装配C/C复合材料主动冷却工件与金属主动冷却模具；六、通过泵送装置将冷却工质填充到C/C复合材料主动冷却组件中。本发明中采用先致密化再构筑冷却微通道的方式，能够在保障材料力学性能的同时，对微结构的尺寸和分布进行量化设计与按需构筑，拓宽了冷却工质种类，显著提升防热效率。
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公开(公告)号：CN116873920A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311004557.8
申请日：2023-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/205
Abstract: 一种采用小分子碳水化合物制备连续石墨薄膜的方法，它属于碳材料制备领域，具体涉及一种采用小分子碳水化合物制备连续石墨薄膜的方法。本发明的目的是为了解决连续石墨薄膜制备难度大，生产成本高及环境污染大的问题。本发明采用小分子碳水化合物作为碳源，羧甲基纤维素钠作为增稠剂，丙烯酸和N,N’‑亚甲基双丙烯酰胺作为凝胶体系，去离子水作为凝胶体系的溶剂，采用流延法在聚酰亚胺薄膜和PET薄膜之间制备连续水凝胶薄膜，经预碳化、碳化、石墨化后获得连续石墨薄膜。本发明开创了采用小分子碳水化合物制备连续石墨薄膜的先河，打破了聚合物如聚酰亚胺制备连续石墨薄膜的限制，制得的连续石墨膜结晶质量较高，缺陷较少。
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公开(公告)号：CN116873919A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311004550.6
申请日：2023-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/205
Abstract: 一种利用小分子糖类物质制备高取向度石墨薄膜的方法，本发明属于碳材料制备领域。本发明的目的是为了解决高取向度石墨薄膜生产难度大，生产成本高且易造成环境污染的问题。方法：一、配置糖类前驱体溶液；二、旋涂成膜；三、凝胶化；四、预碳化和碳化；五、石墨化。本发明开创了糖类物质制备高取向度石墨薄膜的先例，制备的高取向度石墨薄膜纯度极高，结晶性良好，石墨化度高，取向结构明显，具有较高的实际应用和科研价值。本发明制备的高取向度石墨薄膜具有较为优异的电磁屏蔽性能，制得的650nm厚的高取向度石墨薄膜在X波段具有超过50dB的电磁屏蔽性能。
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公开(公告)号：CN115259160A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210861950.8
申请日：2022-07-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SiC纳米粉体的制备方法，本发明属于纳米材料合成技术领域，具体涉及一种SiC纳米粉体的制备方法。本发明是为了解决目前制备SiC纳米粉体过程较为复杂、成本高、产物粉体分散性差以及污染严重等问题。本发明的主要制备过程包括：一、制备SiO2@糖碳壳层纳米复合粉体；二、制备SiC纳米粉体初产物；三、产物除杂。本发明具有制备工艺简单、成本低、产物粉体分散性好、对环境污染小等优点，并且可以制得粒径均匀、形貌近球形的β‑SiC纳米粉体。本发明用于大规模生产SiC纳米粉体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109485449B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201910030896.0
申请日：2019-01-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/83 , C04B35/622 , C04B41/87
Abstract: 一种基于毛细作用制备密度梯度防热材料的方法，本发明涉及密度梯度防热材料的制备方法领域。本发明要解决现有引入超高温陶瓷组分操作过程复杂且所制复合材料成本高、设备要求高的技术问题。方法：一、碳纤维编织体浸泡于含酚醛树脂的料浆中，经固化后进行热处理获得多孔C/C复合材料；二、将多孔C/C复合材料上表面浸于含超高温陶瓷组分的料浆中，经振动、超声以及干燥工艺，再进行热处理；三、重复步骤二工艺，获得表面超高温陶瓷改性的密度梯度C/C防热材料。本发明制备的复合材料兼具可调密度梯度、抗烧蚀和抗氧化性能好的特点，操作过程简单、设备要求低、安全系数高且可制备大尺寸部件。本发明制备的防热材料适用于飞行器的防热材料。
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公开(公告)号：CN105752952A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610060591.0
申请日：2016-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: C01B21/068 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/16
Abstract: 一种在多孔坯体或粉体状碳化硅?聚碳硅烷表面原位及非原位制备超长氮化硅纳米线的方法，它涉及一种氮化硅纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备超长氮化硅纳米材料存在反应条件较为苛刻，导致安全性低，需要催化剂，导致纯度低，设备要求高、工艺复杂、成本高的技术问题。方法：一、制备多孔坯体或粉体状碳化硅?聚碳硅烷；二、热处理，即完成在多孔坯体或粉体状碳化硅?聚碳硅烷表面原位及瓷方舟四壁非原位制备超长氮化硅纳米线的方法。优点：一、于常压下就可以制备出长达数毫米甚至是厘米级级别的超长氮化硅纳米线，且超长氮化硅纳米线呈现直线状；二、操作过程较为简单、安全系数高。本发明主要用于制备超长氮化硅纳米线。
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公开(公告)号：CN104445200B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410653437.5
申请日：2014-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备超长碳化硅纳米线的方法，本发明涉及制备碳化硅纳米线的方法。本发明要解决现有方法制备超长SiC纳米线难度大，并且对原料、设备和过程都有严格的要求，不易操作的技术问题。方法：一、称量；二、球磨；三、预处理活性炭；四、混合含催化剂的碳-硅粉体和步骤三得到的预处理活性炭；五、加热制备纳米线。本发明具有成本低、设备要求低、实验过程简单等特点。本发明用于制备超长碳化硅纳米线。
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公开(公告)号：CN118084523A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410203329.1
申请日：2024-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/83 , C04B35/84 , C04B35/628 , C04B35/622
Abstract: 一种快速制备高韧性非石墨化C/C复合材料的方法，本发明是要解决由热固性树脂为碳源前驱体制备C/C复合材料存在的韧性差、致密化周期长的问题。制备方法：先将碳纤维预制体浸入酸性葡萄糖水溶液中进行真空浸渍，浸渍后水热反应，碳纤维预制体升温使葡萄糖涂层转变为碳涂层，然后将具有界面层的碳纤维预制体浸入碳源前驱体中进行真空浸渍，将浸渍了碳源前驱体的碳纤维预制体置于橡胶包套中进行等静压处理，再进行裂解处理，得到非石墨化C/C复合材料。本发明利用葡萄糖为原料通过水热合成方式在碳纤维界面按需构筑碳涂层的方法，来优化碳纤维与碳基体的结合强度，提升非石墨化C/C复合材料的断裂韧性，从而提高复合材料的应用可靠性。
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公开(公告)号：CN117843254A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410018332.6
申请日：2024-01-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C03C25/106 , C03C25/16
Abstract: 一种石英光纤表面碳涂层的简易制备方法，本发明属于光纤表面改性技术领域，具体涉及一种石英光纤表面碳涂层的简易制备方法。本发明是为了解决现有方法制备石英光纤表面碳涂层存在的对设备要求较高，反应条件要求比较苛刻，如需要加压以及得到的碳涂层质量差的技术问题。一、前驱体溶液的配制；二、石英光纤浸渍前驱体溶液；三、固化处理；四、前驱体裂解制备石英光纤表面碳涂层。本发明以成本低廉的酚醛树脂为前驱体，采用前驱体浸渍裂解法在石英光纤表面制备碳涂层，得到的碳涂层的厚度可以在1μm至5μm的范围内进行调控，且得到的碳涂层具有致密均匀的特点。本发明用于制备表面具有碳涂层的石英光纤。
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