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公开(公告)号：CN103496692B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310424537.6
申请日：2013-09-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用液氨/碱金属溶液制备二维纳米材料的方法，它涉及二维纳米材料的制备方法。本发明要解决现有二维纳米材料制备方法得到的产品产率低和插层过程难于控制的问题，制备方法：一、称取的碱金属和层状化合物放入石英管中；二、石英管抽真空后充入高纯氨气，冷却至管中的氨气液化；三、振荡石英管至液氨溶液的蓝色褪去，然后抽出汽化的液氨；四、将插层后的层状化合物放入去离子水中超声处理；五、把步骤四的纳米材料水溶液放入离心机中离心，在上层液体中收集得到二维纳米材料。通过本发明的制备方法得到二维纳米材料的产率可达80%，并通过观察液氨溶液颜色由蓝色逐渐变为无色的过程，有效地控制碱金属离子对层状化合物的插层过程。
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公开(公告)号：CN104944418A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510337459.5
申请日：2015-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种一步原位制备氮含量和种类可调的掺杂石墨烯的方法，它涉及一种制备氮含量和种类可调控的掺杂石墨烯的方法。本发明的目的是要解决目前氮掺杂石墨烯制备工艺复杂，制备成本较高，难以工业化以及制备的氮掺杂石墨烯中氮元素含量和种类可控的问题，本发明方法为：将氮化碳放入一端密封的石英管中，在石英管开口端放置圆柱形石英堵头，将石英管转移至管式炉中，在惰性气氛保护下进行升温，保温，继续升温，并保温来调控氮掺杂石墨烯种氮元素含量和种类，即完成。本发明方法简单，环境友好，氮掺杂石墨烯种氮元素的含量和种类可控，可用于替代商业Pt/C作为氧还原催化剂，本发明应用于电池、光催化、催化氧化、气体传感器和药物输运领域。
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公开(公告)号：CN102618930A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210093222.3
申请日：2012-03-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种AlN晶体的制备方法，它涉及一种晶体的制备方法。本发明要解决现有采用PVT法制备AlN单晶的方法中，异质籽晶与AlN晶体的晶格失配较大，得到AlN晶体缺陷密度高的问题。方法：一、将AlN粉末置于坩埚中、将籽晶固定在坩埚顶部，在氮气气氛下，升温至1800～2000℃，保温1～5小时；二、将预烧结后的AlN粉末在氮气气氛中加热升温至2150～2300℃，保温反应8～20小时，降至室温。零微管SiC作为异质籽晶，可以降低AlN晶体的缺陷密度，同时由于偏角度SiC籽晶偏离面一定角度，缺陷遗传的几率也将显著降低，从而最终减少缺陷对器件性能的不利影响。本发明的AlN晶体用于半导体器件。
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公开(公告)号：CN113130305B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110232940.3
申请日：2021-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶表面微结构的构建方法，该方法包括以下步骤：S1、飞秒激光扫描：在气体氛围下，利用飞秒激光辐照清洁后碳化硅单晶Ⅱ，得碳化硅单晶Ⅲ；S2、酸液刻蚀：利用酸液刻蚀碳化硅单晶Ⅲ，得碳化硅单晶Ⅳ；S3、碱液刻蚀：利用碱液刻蚀碳化硅单晶Ⅳ，即得碳化硅单晶微结构。其实现了碳化硅单晶表面微结构的构建和表面的快速腐蚀。
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公开(公告)号：CN115360296A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210986016.9
申请日：2022-08-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料及其制备方法，涉及自旋电子学材料制备技术领域，本发明所述的制备方法首先采用真空封管工艺，在正的X蒸气压下合成CuCr2X4粉末材料，将获得的粉末材料与适量X粉末混合后低温氩气气氛烧结，制成富X的CuCr2X4靶材；进而采用激光脉冲沉积技术，以高能脉冲激光轰击富X的CuCr2X4靶材，在真空腔中产生一定的X蒸气分压，促使CuCr2X4薄膜在高温衬底上成为尖晶石相，以实现铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料的稳定制备。本发明制备的铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料结晶度高，在室温下(300K)具有铁磁性，饱和磁化强度为150‑250emu/cm3，尺寸满足自旋电子器件需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114310530A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111469456.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种应用于半导体衬底片加工的自动装卸顶出结构，包括底座，所述底座上设置有用于输送碳化硅衬底片的输送通道，所述输送通道上设置有加工区域，所述加工区域一侧设置有碳化硅衬底片储存桶组件，所述碳化硅衬底片储存桶组件一侧的所述输送通道上连接有用于将所述碳化硅衬底片储存桶组件内的碳化硅衬底片顶出至所述加工区域的推送组件，所述加工区域四周设置有用于夹持处于所述加工区域内的碳化硅衬底片的夹持组件，夹紧装置和研磨装置自动为上料过程让位，上料完毕后夹紧装置自动夹紧，并且研磨装置自动进给研磨，最后下次上料时，将已研磨完毕的碳化硅衬底片自动送出，一体化联动自动加工，减少人力物力的投入。
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公开(公告)号：CN113130305A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110232940.3
申请日：2021-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶表面微结构的构建方法，该方法包括以下步骤：S1、飞秒激光扫描：在气体氛围下，利用飞秒激光辐照清洁后碳化硅单晶Ⅱ，得碳化硅单晶Ⅲ；S2、酸液刻蚀：利用酸液刻蚀碳化硅单晶Ⅲ，得碳化硅单晶Ⅳ；S3、碱液刻蚀：利用碱液刻蚀碳化硅单晶Ⅳ，即得碳化硅单晶微结构。其实现了碳化硅单晶表面微结构的构建和表面的快速腐蚀。
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公开(公告)号：CN111270205B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010099720.3
申请日：2020-02-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法，本发明涉及一种p型半导体性氧化物薄膜的制备方法，制备方法：一、清洗衬底，得到清洗处理后的衬底；二、将清洗处理后的衬底放在托盘上，利用机械泵和分子泵将生长室抽至本底真空，衬底加热到530～580℃，以NiFe2O4陶瓷材料为靶材，调整高能脉冲激光器，控制脉冲激光输出为能量100～250mJ进行脉冲激光沉积薄膜，薄膜沉积过程中生长氧分压为0.1～20mTorr，得到尖晶石相p型半导体性氧化物薄膜。本发明采用脉冲激光沉积方法生长NiFe2O4半导体氧化物薄膜，在较低氧分压下得到的四面体Fe缺失的NiFe2O4薄膜是一种p型半导体材料。
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公开(公告)号：CN112980599A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110202982.2
申请日：2021-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C11D1/66 , C11D1/835 , C11D1/825 , C11D3/33 , C11D3/20 , C11D3/39 , C11D3/04 , C11D3/60 , C11D11/00 , B08B3/08 , B08B3/12 , B08B3/02
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶清洗剂及其应用。本发明的碳化硅单晶清洗剂包括以下原料：金属螯合剂、表面活性剂、过氧化氢、氟化物和硫酸。本发明的清洗剂，通过表面活性剂和螯合剂的协同作用，实现了对金属离子的去除；通过表面活性剂实现了对表面杂质的去除；该清洗剂实现了晶片表面0.5μm的颗粒度≤1000，对碳化硅单晶的清洗效果有显著的提升。
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公开(公告)号：CN108511721B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810297516.5
申请日：2018-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/583 , H01M4/62 , H01M10/054 , C01B32/158
Abstract: 钠离子电池负极用VC0.75@NPC复合材料、制备及应用，本发明属于钠离子电池负极材料制备领域，具体是钠离子电池负极用VC0.75@NPC材料、制备及应用。本发明是要解决现有钠离子电池用负极材料不能在保证良好比容量的前提下，又能有效提高材料的循环稳定性的问题。方法：一、制备三聚氰胺分散液；二、将络合酸加入分散液中，得到沉淀；三、沉淀清洗干燥得前驱体A；四、制备含有钒源、磷源的凝胶；五、将前驱体A和凝胶混合，干燥得前驱体B；六、将前驱体B在氩气或氮气的条件下升温并保温，得黑色粉末；七、将黑色粉末清洗干燥后，即得VC0.75@NPC复合材料。复合材料作为钠离子电池负极材料。
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