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公开(公告)号：CN115700914A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210144011.1
申请日：2022-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H10B53/00 , H10B53/30
Abstract: 一些实施例涉及铁电随机存取存储器(FeRAM)器件。该FeRAM器件包括：底部电极结构和位于底部电极结构上面的顶部电极。顶部电极具有在顶部电极的最外侧壁之间测量的第一宽度。铁电结构将底部电极结构与顶部电极分隔开。铁电结构具有在铁电结构的最外侧壁之间测量的第二宽度。第二宽度大于第一宽度，使得铁电结构包括反映第一宽度和第二宽度之间的差的凸缘。介电侧壁间隔件结构设置在凸缘上，并且覆盖顶部电极的最外侧壁。本发明的实施例还涉及存储器器件及其形成方法。本发明的实施例还涉及一种集成电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115643764A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210473679.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各个实施例涉及存储器单元，其中界面层位于铁电层的底部上，位于底部电极和铁电层之间。界面层是与底部电极和铁电层不同的材料，并且具有与底部电极的顶面相比具有高纹理均匀性的顶面。例如，界面层可以是电介质、金属氧化物或金属，该电介质、金属氧化物或金属是：(1)非晶的；(2)单晶的；(3)具有低晶粒尺寸变化的晶体；(4)具有高百分比的共享共同取向的晶粒的晶体；(5)具有高百分比的具有小晶粒尺寸的晶粒的晶体；或(6)前述的任何组合。应该理解，这样的材料导致界面层的顶面处的高纹理均匀性。本申请的实施例还涉及集成电路(IC)芯片及其形成方法。
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公开(公告)号：CN115346572A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210007416.0
申请日：2022-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/22
Abstract: 一种用于唤醒铁电存储器的方法被提供。一晶片是形成有多个第一信号线、多个第二信号线、多个第三信号线、及构成一铁电存储器阵列的多个铁电存储器单元。所述铁电存储器单元中的每一者是电连接至所述第一信号线中的一者、所述第二信号线中的一者及所述第三信号线中的一者。电压信号是同时施加至所述第一信号线、所述第二信号线及所述第三信号线以在所述铁电存储器单元中引发一唤醒效应发生。
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公开(公告)号：CN112310281A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010448203.2
申请日：2020-05-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种集成电路元件及其制造方法，一电阻式随机处理记忆体单元堆叠形成于一介电层中的一开口上，介电层足够厚且开口足够深，以使得电阻式随机处理记忆体单元可用平坦化制程所形成。所得到的电阻式随机处理记忆体单元可具有U形轮廓。电阻式随机处理记忆体单元的面积包括来自平行于基材的电阻式随机处理记忆体单元的层的底部的贡献及大致上垂直于基材的电阻式随机处理记忆体单元的层的侧部的贡献。弯曲的电阻式随机处理记忆体单元的侧部及底部的组合提供相较于平坦的单元堆叠的提升的面积，提升的面积降低了电阻式随机处理记忆体单元的形成电压及设定电压。
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公开(公告)号：CN110970438A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910917271.6
申请日：2019-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 一些实施例涉及铁电随机存取存储器(FeRAM)器件。该FeRAM器件包括：底部电极结构和位于底部电极结构上面的顶部电极。顶部电极具有在顶部电极的最外侧壁之间测量的第一宽度。铁电结构将底部电极结构与顶部电极分隔开。铁电结构具有在铁电结构的最外侧壁之间测量的第二宽度。第二宽度大于第一宽度，使得铁电结构包括反映第一宽度和第二宽度之间的差的凸缘。介电侧壁间隔件结构设置在凸缘上，并且覆盖顶部电极的最外侧壁。本发明的实施例还涉及存储器器件及其形成方法。
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