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发明公开
磁存储器件有权

公开(公告)号：CN113299821A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110476411.8

申请日：2021-04-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林世杰 , 李乾铭 , 宋明远

IPC: H01L43/04 , H01L43/08 , H01L27/22

Abstract: 磁存储器件包括自旋轨道扭矩(SOT)感应结构，该结构可以被应变和无种子并形成有垂直磁各向异性。磁隧道结(MTJ)堆叠件设置在SOT感应结构上。间隔层可以使SOT感应结构与MTJ堆叠件之间的层解耦或使MTJ堆叠件内的层解耦。SOT感应结构的一端可以耦合至第一晶体管，而SOT感应结构的另一端耦合至第二晶体管。

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