一种适用于扫描探针显微分析的层状材料转移方法

    公开(公告)号:CN118731418A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410749995.5

    申请日:2024-06-12

    Abstract: 本发明属于显微分析技术领域,具体公开了一种适用于扫描探针显微分析的层状材料转移方法,包括以下步骤:将PDMS薄膜平整地贴合于初始生长衬底上的待转移的层状材料表面,获得PDMS薄膜/层状材料/初始生长衬底,随后将其抽真空;将获得的PDMS薄膜/层状材料/初始生长衬底置于去离子水中浸泡,随后在去离子水中将PDMS薄膜/层状材料与初始生长衬底剥离;将获得的PDMS薄膜/层状材料拾取并贴合于目标衬底,得到PDMS薄膜/层状材料/目标衬底,随后将其抽真空;将获得的PDMS薄膜/层状材料/目标衬底加热后,趁热将PDMS薄膜剥离,获得层状材料/目标衬底,实现单一的层状材料转移至目标衬底。同时采用本发明还可以实现界面高质量的层状材料同质结或异质结的制备。

    一种微纳球模板全自动制备装置及制备方法

    公开(公告)号:CN117563516A

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202311531874.5

    申请日:2023-11-16

    Abstract: 本发明涉及微纳米自动化制造技术领域,涉及一种微纳球模板全自动制备装置及制备方法,其包括:基座、培养皿定位台、注射泵定位台、水泵、培养皿、第一注射泵和第二注射泵,第一注射泵中设有第一注射器,第二注射泵中设有第二注射器;借此,通过整体设备的全自动化,无需人工干预,从根本上避免了由于人工操作时的失误或抖动、不均匀等情况带来的误差,整体制备过程都设定了精确的参数,确保每一次制备都能够准确无误地按照预设条件进行,提高制备成品的准确性和一致性,也具备可复制性,从而提高了生产效率和产品良率,适应性高,适合大规模应用。

    一种多功能光谱光电测试系统
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117538264A

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202311820654.4

    申请日:2023-12-27

    Abstract: 本发明涉及光电测试领域,提供一种多功能光谱光电测试系统,其中多功能光谱光电测试系统包括:激光器,用于发射不同波长的激光,激光照射到待测目标后形成激光光谱,激光光谱用于表征待测目标的物理特性;显微物镜,设置在激光器发射的激光的光路上,用于将激光器发出的激光汇聚到待测目标表面,并用于对待测目标表面进行宏观观测;光谱仪,用于对待测目标表面的激光光谱进行线偏振测试和/或圆偏振测试。用以解决现有技术中的光电测试仪器功能单一,难以对待测物体进行全方位的测试,因此测试结果不准确的缺陷,集成了线偏振和圆偏振的多种光谱光电测试,灵活可变,功能多样、且便于功能进一步拓展。

    一种智能遮阳帘装置及其控制方法

    公开(公告)号:CN116610056A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310597722.9

    申请日:2023-05-25

    Abstract: 一种智能遮阳帘装置及其控制方法,涉及智能家居。装置包括单片机系统、变压器电路、电机驱动电路、充电锂电池、传感器模块、遮阳卷帘、电机、电路板、示例显示屏;单片机系统和变压器电路连接并固定于电路板同侧,电机驱动电路与单片机系统连接并固定于电路板异侧,充电锂电池分别与变压器电路板和电机驱动电路板通过导线连接,传感器模块安装固定于示例显示屏的屏幕边缘并与单片机系统连接,电机安装固定于示例显示屏上方并与电机驱动电路板连接,电机的输出轴同遮阳卷帘形成同步旋转连接关系。可根据不同季节和天气,设置遮阳帘升降高度和速度,保证室内光线、温度适宜的同时,保护室内显示屏不被太阳长时间照射或因紫外线照射而损坏。

    一种可拼接多场景可循环利用的污水净化装置

    公开(公告)号:CN116062832A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202310029928.1

    申请日:2023-01-09

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种可拼接多场景可循环利用的污水净化装置,涉及水处理技术领域。包括:用于进行光催化的催化板,用于流通污水并固定光催化板的降解槽,以及用于透光的降解窗。所述催化板是在硅基片上刻蚀的硅纳米线和包覆在硅纳米线表面的二氧化钛组成的半导体异质纳米材料;所述降解槽的内侧设有固定催化窗的卡扣纹路,底部设有导流孔,外部四周设有拼接口;所述降解窗覆盖在降解槽之上,采用石英玻璃组成,并在窗内设有导流孔。本发明催化板为自主设计的纳米线异质结构,使用刻蚀和原子层沉积技术构建的半导体异质结纳米线阵列能够快速消除有机污染物,并且采用可拼接设计,大幅地拓展了设备使用的场景,能够在不同的场合设计相对应的净水装置。

    一种全彩有源寻址Micro-LED芯片结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN112117356B

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN202010813127.0

    申请日:2020-08-13

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明涉及一种全彩有源寻址Micro‑LED芯片结构及其制作方法,包括具有驱动电路阵列的支撑衬底、位于支撑衬底上的堆叠层,以及贯穿堆叠层与驱动电路阵列连接的互联电极,其中堆叠层从下至上包括有衬底金属键合层、多色发光外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、钝化层,互联电极包括连接第一外延层的p型面与驱动像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、连接第三外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、贯穿堆叠层分别与多色发光外延层n型面连接的共用电极。本发明技术方案可制造出高分辨率且高效的全彩驱动融合Micro‑LED芯片。

    一种可见光通信的微型阵列光收发集成芯片及制作方法

    公开(公告)号:CN112234118A

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN202011042977.1

    申请日:2020-09-28

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明涉及一种可见光通信的微型阵列光收发集成芯片及制作方法,包括具有信号处理电路的支撑衬底、位于支撑衬底上的微型收发单元阵列以及互联电极,其中每个微型收发单元包括由下至上的衬底金属键合层、多个堆叠外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、光接收台面和钝化层,互联电极包括连接第一外延层的p型面与光发射模块像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与光发射模块像素的贯穿阵列电极、贯穿微型收发单元阵列分别与每个外延层n型面连接的共用电极。使用本发明技术方案可制造出实用化、高速、多场景应用的可见光通信终端产品。

    分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极

    公开(公告)号:CN102820398B

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201210319019.3

    申请日:2012-08-31

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极,涉及一种电极。提供一种可抑制发光二极管金属电极吸收光较强的负面效应,改善发光二极管横向电流扩展均匀性的分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极。设有分布式布拉格反射结构、小面积金属欧姆接触阵列和半导体基底;分布式布拉格反射结构设在半导体基底上,分布式布拉格反射结构为多层介质,所述多层介质由至少1层高折射率介质层和至少1层低折射率介质层交替组成的膜堆;所述小面积金属欧姆接触阵列与分布式布拉格反射结构复合并贯穿分布式布拉格反射结构再与半导体基底欧姆接触并形成复合三维电极。

    一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器

    公开(公告)号:CN103474503A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201310461747.2

    申请日:2013-09-30

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器,属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极;所述二维晶格在衬底上交替生长,交替生长的周期为至少20个;每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成,第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中,成为半导体Ⅰ类超晶格,第一介质膜层作为势阱,第二介质膜层作为势垒,金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。

    一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法

    公开(公告)号:CN103296141A

    公开(公告)日:2013-09-11

    申请号:CN201310215286.0

    申请日:2013-06-03

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法,涉及一种纳米线阵列结构材料的制备方法。一个制备Si纳米线阵列的步骤;一个沉积ZnO薄膜的步骤;一个制备ZnO纳米线的步骤。应用一种低成本的方法制备了枝状结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学刻蚀法在Si衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都比较均匀;然后利用水热法在Si纳米线的表面生长了ZnO纳米线,得到了枝形结构的Si/ZnO纳米线阵列。与现有的纳米材料相比,该结构材料拥有异质结界面,可通过改变材料成分调节能带结构,并且枝状结构增加了样品的曲率效应和表面积,非常适用于太阳能电池及光催化领域。

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