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公开(公告)号：CN109742209A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910110844.4
申请日：2019-02-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一半导体芯片及其制造方法，其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极的一列P型电极连接针在穿过所述绝缘层后被电连接于所述透明导电层，并且一列所述P型电极连接针与所述透明导电层的一列导通位置之间的连线为曲线，通过这样的方式，当电流自所述N型电极和所述P型电极被注入时能够被均匀地扩展。
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公开(公告)号：CN114188448A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010961831.0
申请日：2020-09-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括衬底、外延结构、截止层和透明导电层，其中，所述截止层具有贯穿所述截止层的通孔，以露出部分所述外延结构，所述透明导电层设于所述通孔中露出的外延结构上和所述截止层上，以使得所述透明导电层位于所述截止层上的部分与所述外延结构不接触，从而降低所述LED芯片承受瞬间大电压时，所述LED芯片被击穿的概率。
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公开(公告)号：CN114188447A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010961928.1
申请日：2020-09-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有平坦化绝缘层的LED芯片及其制作方法，通过在制作金属接触层之前，在所述P型半导体层背离所述衬底的一侧形成平坦化绝缘层，所述平坦化绝缘层上具有第二凹槽结构，用于暴露出所述P型半导体层；之后，通过所述第二凹槽结构，在所述P型半导体层上设置金属接触层；并且，使所述金属接触层和所述平坦化绝缘层的厚度相同。也就相当于是，将金属接触层嵌入在平坦化绝缘层中，从而抵消了金属接触层带来的凸起形貌，进而在焊接电极完成后，P电极结构也不会存在一个凸起圆环，PN电极会大致处于一个水平高度，在长期的应用过程中，电极的受力是平均的，可以避免凸起形貌应力集中所带来的漏电和失效风险。
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公开(公告)号：CN111584691B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010461643.1
申请日：2020-05-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种应用于显示屏的LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括衬底、外延片、复合导电层、第一钝化层、P电极以及N电极，其中，复合导电层包括欧姆接触层和至少两层透明导电层，至少两层透明导电层的致密性沿预设方向逐渐降低，从而在对至少两层透明导电层进行刻蚀后，使得复合导电层靠近第一区域的侧面到第一区域之间的距离沿预设方向逐渐增大，进而增大复合导电层靠近第一区域的侧面与第一区域所成的角度，使其角度的取值位于140度～160度范围内，以提高后续第一钝化层形成后，第一钝化层在复合导电层该侧面的包覆性，降低第一钝化层位于复合导电层侧面的部分发生断裂的概率，提高所述LED的可靠性。
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公开(公告)号：CN110137201B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201910441110.4
申请日：2019-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种显示屏灯珠装置、集成式二极管芯片及制备方法，其中，该集成式二极管芯片包括：支撑衬底；位于所述支撑衬底上的键合结构；位于所述键合结构内且间隔设置的反射结构；位于所述键合结构上且与每个反射结构对应的发光单元；位于每个所述发光单元上的第一电极，以及位于所述支撑衬底背面的第二电极；相邻两个发光单元之间设置的凸出所述发光单元的反射堤坝；在至少两个发光单元上设置的包覆位于该发光单元上的光转换膜，不同发光单元上的光转换膜用于对接收的光进行不同颜色的转换。本申请实施例能够降低显示屏灯珠体积，从而提高显示屏的分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110055514B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910501159.4
申请日：2019-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/513
Abstract: 本申请公开了一种气相沉积设备及其控制方法、腔体清洁方法，气相沉积设备通过向腔体内通入由预设气体形成的气体脉冲，并且通过提供射频脉冲信号，将进入腔体内部的气体脉冲电离产生等离子体，以使等离子体对腔体的不同部位进行清洁，避免了湿法清洁过程需要在腔体处于室温进行而造成的清洁用时较长，清洁效率低下以及容易引入二次污染的问题。并且气相沉积设备块可以提供不同频率的电平脉冲信号，以控制通入腔体的气体脉冲的频率，还可以提供不同功率的射频脉冲信号，通过控制电平脉冲信号的频率、射频脉冲信号的功率以及腔体压强，可以实现对腔体内用于清洁的等离子体的运动方向和所处位置的控制，从而实现对腔体内部不同部位的全方位清洁。
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公开(公告)号：CN109817779B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201910106878.6
申请日：2019-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种高压LED芯片结构及其制造方法，所述高压LED芯片结构，包括多个LED芯片颗粒和设置在相邻两个LED芯片颗粒之间的原胞隔离槽，所述原胞隔离槽包括连接原胞隔离槽和非连接区原胞隔离槽，其中，在相邻两个LED芯片颗粒中心连线的方向上，所述非连接区原胞隔离槽的宽度小于所述连接区原胞隔离槽的宽度；所述非连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度大于所述连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度。从而减小了非连接区原胞隔离槽的面积，进而增加了发光区面积，提高了高压LED芯片的光效。由于连接区原胞隔离槽的侧壁偏缓，从而保证了桥接绝缘隔离层和桥接电极的有效覆盖，保证了高压LED芯片结构的产品可靠性。
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公开(公告)号：CN110544737A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910864541.1
申请日：2019-09-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种具有改性区域的发光二极管及其制备方法，其中，所述具有改性区域的发光二极管的外延结构中处于最外侧的第一半导体层具有呈预设图案的改性区域，所述改性区域中的第一半导体层为绝缘膜层，且所述改性区域在所述衬底上的正投影与第一电极结构和第二电极结构在所述衬底上的正投影互不交叠，绝缘的改性区域在一定程度上增加了电流扩展层与外延结构的接触电阻，从而缩小电流扩展层与外延结构的接触电阻与电流在电流扩展层中的扩散电阻的差距，有利于促进外延结构中的电流向远离第一电极结构的外围扩展，进而改善现有技术中发光二极管的电流扩展效果不佳的现象。
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公开(公告)号：CN211265505U
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201922386858.7
申请日：2019-12-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种Mini LED芯片，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩大电极接触镂空占用面积问题，保证了发光区的面积大，提高了Mini LED芯片的发光效率。进一步的，由于本实用新型提供的技术方案无需制作辅助扩展电极，进而避免了由于辅助扩展电极的存在而引入制备的第一键合电极的平整度差及绝缘隔离反射层覆盖效果差的问题，进而提高了Mini LED芯片的可靠性，且同时保证Mini LED芯片的发光角度达到预期的效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN214411232U
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202023171309.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种Mini LED芯片，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩大电极接触镂空占用面积问题，保证了发光区的面积大，提高了Mini LED芯片的发光效率。进一步的，由于本实用新型提供的技术方案无需制作辅助扩展电极，进而避免了由于辅助扩展电极的存在而引入制备的第一键合电极的平整度差及绝缘隔离反射层覆盖效果差的问题，进而提高了Mini LED芯片的可靠性，且同时保证Mini LED芯片的发光角度达到预期的效果。
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