液压微位移驱动器及微位移装置

    公开(公告)号:CN103552975A

    公开(公告)日:2014-02-05

    申请号:CN201310572651.3

    申请日:2013-11-15

    Abstract: 本发明提供一种液压微位移驱动器及微位移装置,至少包括:设有内腔(18)的缸筒(13);密封所述缸筒(13)两端的上端盖(12)以及下端盖(15);位于所述上端盖上表面的球形凸台(11);所述球形凸台的中心线与所述缸筒的中心线重合;设置于所述下端盖(15)内与所述内腔连通的进油通道(14)以及与所述进油通道(14)导通的进油嘴(17)。本发明提出的液压微位移驱动器采用向密封的缸筒内充进一定压力的液体使得圆柱形管状缸筒产生相应的轴向伸长来实现微位移驱动,具有驱动行程较大、驱动平稳、抗干扰能力强以及皮实耐用等特点,克服了压电晶体驱动行程小、稳定性较差缺陷。

    一种光栅耦合器及其制作方法

    公开(公告)号:CN102692682B

    公开(公告)日:2013-07-17

    申请号:CN201210193178.3

    申请日:2012-06-12

    Abstract: 本发明提供一种光栅耦合器及其制作方法,提供一SOI衬底,刻蚀所述SOI衬底的顶层硅,形成周期为500~800nm的耦合光栅,同时于所述顶层硅中隔出CMOS有源区;于所述耦合光栅上制作覆盖于所述耦合光栅及CMOS有源区的栅氧化层;于所述栅氧化层表面形成导电层,刻蚀所述导电层,形成与所述耦合光栅周期相同的覆层结构,同时形成CMOS的栅极结构;最后形成保护层以完成制备。所述耦合光栅、栅氧化层及覆层结构均与CMOS的制备同时完成,可共享掩膜,降低了制作成本;覆盖于栅氧化层上的导电上覆层提高了耦合效率;优化的结构参数使得光栅耦合器的耦合效率显著提高;新颖的光栅耦合器结构使耦合效率对SOI埋氧层厚度的依赖性大为降低,从而放松了对SOI衬底的规格要求。

    具有光栅的单纤三向复用器

    公开(公告)号:CN102879858A

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:CN201210419042.X

    申请日:2012-10-26

    Abstract: 本发明提供一种具有光栅的单纤三向复用器。该单纤三向复用器至少包括:用于接入第一波长及第二波长的光波信号的输入波导;用于接入第三波长的光波信号的上传波导;第一输出波导;第二输出波导;及多模波导耦合器;该多模波导耦合器用于分离所述第一波长信号及第二波长信号,并使两者分别由第一输出波导及第二输出波导输出;此外,该多模波导耦合器所具有的光栅,能反射所述第三波长的光波信号,并使该光波信号由输入波导输出。优选地,输入波导、上传波导、第一输出波导、第二输出波导及多模波导耦合器均通过对半导体基底的刻蚀来形成。本发明的优点包括:结构紧凑小巧,且制作工艺与CMOS工艺完全兼容,无需复杂工艺,加工成本低。

    T型分支波导
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102789024A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201110129324.1

    申请日:2011-05-18

    Abstract: 一种T型分支波导,利用SOI基二维平板柱状光子晶体的自准直效应实现输入光信号的180°分束传播,属于半导体光学技术领域,包括SOI衬底、在SOI衬底顶层硅刻蚀形成的硅柱区域以及将硅柱区域与外部光纤或其他器件连接的SOI条形波导。其中:硅柱区域中,刻蚀形成的硅柱呈长方晶格排列在SOI顶层硅上,硅柱的深度为SOI顶层硅的厚度,SOI条形波导为T型分支波导的输入波导,且距离硅柱区域与所述SOI条形波导平行的两边界均有一距离。该T型分支波导对于入射光束角度极不敏感,分束区的长度可以控制在10μm以内,极大缩短总体器件长度,结构更为紧凑;同时,其具有较大的制备容差和更灵活的设计。

    光子晶体分束器
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102789023A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201110128181.2

    申请日:2011-05-18

    Abstract: 一种光子晶体分束器,利用SOI基二维平板空气孔光子晶体的自准直效应实现输入光信号的分束传播,属于半导体光学技术领域,包括SOI衬底、在SOI衬底顶层硅刻蚀形成的空气孔区域以及将空气孔区域与外部光纤或其他器件相连的SOI条形波导。其中:空气孔区域中,刻蚀形成的空气孔呈正方晶格排列在SOI顶层硅上,其深度即为SOI顶层硅的厚度,SOI条形波导即为分束器的输入波导,其距离空气孔区域与之平行的两边界均有一距离。该分束器分束区的长度可以控制在10μm以内,这使总体器件的长度极大缩短,结构更为紧凑;同时,其具有较大的制备容差和更灵活的设计,能够更为广泛的用在未来的光子芯片中。

    硅基集成量子芯片、制备及测试方法

    公开(公告)号:CN112305670B

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202011409416.0

    申请日:2020-12-04

    Inventor: 李杨 陶略 甘甫烷

    Abstract: 本发明提供一种硅基集成量子芯片、制备及测试方法,将超导纳米线集成在硅波导的上方,使得超导纳米线与硅波导通过氧化硅覆盖层形成倏逝波耦合,可实现波导耦合的片上单光子探测;通过位于超导纳米线与硅波导之间的氧化硅覆盖层,可实现较高的倏逝波吸收率,且氧化硅覆盖层在生长超导纳米线时可充当掩膜,避免损伤硅波导,以降低硅波导的损耗;经CMP之后的具有较小的表面粗糙度的氧化硅覆盖层可确保超导纳米线的平整性,以减小暗计数,提高量子性能;可制备多通道的硅基集成量子芯片。本发明可实现集成化、规模化,并可靠保持高保真度的单光子信号的处理能力。

    基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构及制作方法

    公开(公告)号:CN115188776A

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202110359483.4

    申请日:2021-04-02

    Abstract: 本发明提供一种基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构及制作方法,本发明将光电探测器与偏振分束器进行有效的结合形成8通道结构,降低了系统的偏振灵敏度,同时保持较低的损耗。8通道的设计,有效地提高了系统的带宽,满足大量数据传输的需求。本发明还对光电探测器的结构做出改进,将光电探测器的光敏层设计为圆台形,圆台形的光敏层均衡了电流传输与电流扩展这两方面的影响因素,保证光生载流子在极短的时间内扩散以使电路迅速导通。此外本发明还提供了一种通过该8通道结构测试其自身偏振隔离度的方法,通过光电探测器的光电流值得出系统的偏振隔离度,简化测试过程,同时避免测试光功率时造成的损耗等误差。

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